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GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究
被引量：
2
1
作者
李永平
田强
牛智川
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期923-926,共4页
利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs／AlAs异质结晶体 品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷,而不同温度下生长的GaAs／Si／AlAs异质结随着 温度的降低,深能级缺陷明显增加,并进行了分...
利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs／AlAs异质结晶体 品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷,而不同温度下生长的GaAs／Si／AlAs异质结随着 温度的降低,深能级缺陷明显增加,并进行了分析,得到深能级是由Ga空位引起的,在600℃时生长的晶体 质量最佳。
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关键词
光电子学
深能级瞬态谱
深能级缺陷
Si夹层
GaAs/AlAs异质结
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职称材料
题名
GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究
被引量：
2
1
作者
李永平
田强
牛智川
机构
曲阜师范大学物理系
北京师范大学物理系
中国科学院半导体所超品格国家重点实验室
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期923-926,共4页
基金
教育部高等学校骨干教师资助计划项目
校级项目(SJ03012)
文摘
利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs／AlAs异质结晶体 品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷,而不同温度下生长的GaAs／Si／AlAs异质结随着 温度的降低,深能级缺陷明显增加,并进行了分析,得到深能级是由Ga空位引起的,在600℃时生长的晶体 质量最佳。
关键词
光电子学
深能级瞬态谱
深能级缺陷
Si夹层
GaAs/AlAs异质结
Keywords
optoelectronics
deep level transient spectroscopy
deep level defect
Si interlayer
GaAs/AlAs heterojunction
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
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作者
出处
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被引量
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1
GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究
李永平
田强
牛智川
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
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