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杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响被引量：2: 1; 作者王海龙朱海军 +5 位作者李晴宁东汪辉王晓东邓元明封松林《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期423-426,共4页; 研究了较低掺杂浓度时InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响.光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄.该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的... 展开更多; 关键词自组织量子点硅杂质砷化锢均匀性; 在线阅读下载PDF 职称材料

自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究被引量：2: 2; 作者孔令民蔡加法 +2 位作者陈主荣吴正云牛智川《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期208-212,共5页; 在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML,的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸... 展开更多; 关键词 INAS量子点浸润层时间分辨谱半导体超薄层生长技术砷化铟; 在线阅读下载PDF 职称材料

InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒被引量：2: 3; 作者陈枫封松林 +3 位作者杨锡震王志明汪辉邓元明《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期241-244,共4页; 成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下约０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫，对应俘获势垒为０．３２... 展开更多; 关键词量子点 DLTS 自组织生长砷化铟电子俘获势垒; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响	王海龙朱海军李晴宁东汪辉王晓东邓元明封松林	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1999	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究	孔令民蔡加法陈主荣吴正云牛智川	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2003	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒	陈枫封松林杨锡震王志明汪辉邓元明	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1997	2	在线阅读下载PDF 职称材料