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Yb∶YAG晶体的生长缺陷及位错走向
被引量:
11
1
作者
杨培志
邓佩珍
+1 位作者
殷之文
田玉莲
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期399-403,共5页
用同步辐射透射白光形貌相和应力双折射法研究了沿 111 方向生长的Yb∶YAG晶体的生长缺陷、晶体中的位错起源和走向。Yb∶YAG晶体中的生长缺陷主要有 :生长条纹、核心和位错等。晶体中的位错主要起源于籽晶、杂质粒子以及生长初期的晶...
用同步辐射透射白光形貌相和应力双折射法研究了沿 111 方向生长的Yb∶YAG晶体的生长缺陷、晶体中的位错起源和走向。Yb∶YAG晶体中的生长缺陷主要有 :生长条纹、核心和位错等。晶体中的位错主要起源于籽晶、杂质粒子以及生长初期的晶种和固液界面处位错成核。位错的走向垂直于生长界面 ,符合能量最低原理。采用凸界面生长工艺可以有效的消除晶体中的位错。
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关键词
YB:YAG晶体
生长缺陷
同步辐射形貌相
应力双折射
位错走向
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职称材料
题名
Yb∶YAG晶体的生长缺陷及位错走向
被引量:
11
1
作者
杨培志
邓佩珍
殷之文
田玉莲
机构
中国科学院
无机功能材料开放
实验室
中国科学院
上海光学精密机械研究所
中国科学院北京高能物理所国家同步辐射实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期399-403,共5页
基金
国家自然科学基金(69578026)
国家高技术863-416-2资助项目
文摘
用同步辐射透射白光形貌相和应力双折射法研究了沿 111 方向生长的Yb∶YAG晶体的生长缺陷、晶体中的位错起源和走向。Yb∶YAG晶体中的生长缺陷主要有 :生长条纹、核心和位错等。晶体中的位错主要起源于籽晶、杂质粒子以及生长初期的晶种和固液界面处位错成核。位错的走向垂直于生长界面 ,符合能量最低原理。采用凸界面生长工艺可以有效的消除晶体中的位错。
关键词
YB:YAG晶体
生长缺陷
同步辐射形貌相
应力双折射
位错走向
Keywords
Yb∶YAG crystal
growth defects
synchrotron radiation topography
birefringence
dislocation propagation
分类号
O78 [理学—晶体学]
TN244 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Yb∶YAG晶体的生长缺陷及位错走向
杨培志
邓佩珍
殷之文
田玉莲
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
11
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