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Ge＿xSi＿（1－x）／Si应变层超晶格的横截面电镜样品中的弹性驰豫 被引量：4
1
作者 段晓峰 《电子显微学报》 CAS CSCD 1995年第2期81-85,共5页
迭加有样品阴影像的大角度会聚束电子衍射花样可以用来研究样品中局部应变。在本文中作者利用大角度会聚柬电子衍射技术测量并模拟计算了ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变层超品格的横截面电镜样品中的弹性驰豫和样品厚度的关系。
关键词 锗 硅 应变层超晶格 横截面 电镜 样品 弹性弛豫
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真核细胞染色质结构的电镜观察以及ESI技术在分析染色质结构中的应用
2
作者 刘京杰 张传茂 翟中和 《电子显微学报》 CAS CSCD 1993年第6期462-466,共5页
在电镜下观察了大鼠肝细胞核和鸭红细胞核的核小体、30nm纤维和放射环等染色质结构。应用电子能量损失谱成像技术(ESI)对染色质中DNA的磷元素进行了分析,在现有实验条件下,我们可以探测到一个核小体内的300个左右的磷原子,从而显示了核... 在电镜下观察了大鼠肝细胞核和鸭红细胞核的核小体、30nm纤维和放射环等染色质结构。应用电子能量损失谱成像技术(ESI)对染色质中DNA的磷元素进行了分析,在现有实验条件下,我们可以探测到一个核小体内的300个左右的磷原子,从而显示了核小体内DNA的分布。 展开更多
关键词 染色质 核小体 ESI 细胞核 电子显微镜
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急冷Al_4Cr合金的透射电镜研究
3
作者 文可云 张洪 郭可信 《电子显微学报》 CAS CSCD 1990年第3期172-172,共1页
研究与准晶结构相关的晶体相将有助于对准晶的原子结构的了解。在急冷的AL_4Cr合金中,我们观察到一个与二十面体准晶有密切联系的晶体相。通过电子衍射确定该相具有底心正交点阵,x射线能谱分析表明其成分接近Al_4cr,x射线点阵参数测量... 研究与准晶结构相关的晶体相将有助于对准晶的原子结构的了解。在急冷的AL_4Cr合金中,我们观察到一个与二十面体准晶有密切联系的晶体相。通过电子衍射确定该相具有底心正交点阵,x射线能谱分析表明其成分接近Al_4cr,x射线点阵参数测量的结果与S.S.Lu等报道的正交Al_7Cr的点阵参数相符(a=19.99A,b=34.51A,c=12.47A),因此,我们所观察到的正交相与S.S.Lu报道的Al_7Cr是同一个相,为区别于我们在急冷Al_2CrSi合金中发现的μ-Al_4Cr,我们称之为ε-Al_4Cr。 展开更多
关键词 AlCr合金 晶相 准晶结构 透射电镜
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离子注入法(IBS)合成新FeSi_2相的显微结构研究
4
作者 金星 李晓娜 +3 位作者 张泽 董闯 宫泽祥 马腾才 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第2期136-140,共5页
本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的ＦｅＳｉ２薄膜的微观结构，发现了一种新的ＦｅＳｉ２相，这种相的晶格参数与已知的β－ＦｅＳｉ２相相似，但是它的点群和空间群分别为ｍｍｍ和Ｐｂｃａ。
关键词 离子注入 金属硅化物 电子显微学
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离子束合成TiSi_2薄膜及显微结构的研究
5
作者 金星 宫泽祥 +3 位作者 李晓娜 马腾才 杨大智 Mark Aindow 《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第1期7-12,共6页
本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的TiSi_2薄膜的微观结构,发现了一种新的TiSi_2相,初步确定它为简单正交结构,点阵常数与已知的C49-TiSi_2相等,并发现新的TiSi_2可向C49-TiSi_2转化;在800℃条件下保温30分钟,C54-TiSi_2可... 本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的TiSi_2薄膜的微观结构,发现了一种新的TiSi_2相,初步确定它为简单正交结构,点阵常数与已知的C49-TiSi_2相等,并发现新的TiSi_2可向C49-TiSi_2转化;在800℃条件下保温30分钟,C54-TiSi_2可在Si(111)基片上外延生长,取向关系为:[121]_(TiSi)_2∥[110]_(Si),(111)_(TiSi)_2∥(111)_(Si)。 展开更多
关键词 离子注入 金属硅化物 电子显微学
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钛酸钠纳米线的电传输特性研究 被引量：4
6
作者 孙中化 梁学磊 +3 位作者 曹建军 陈清 张志勇 彭练矛 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期764-768,共5页
利用电子束光刻技术制作了基于钛酸钠纳米线的纳米器件。分别在大气和真空两种环境下测量了该器件的电学特性,发现器件所处的气体环境可以影响其电传输特性,这可能是由于纳米线表面的氧分子吸附造成的。另外,还研究了紫外光(UV)照射纳... 利用电子束光刻技术制作了基于钛酸钠纳米线的纳米器件。分别在大气和真空两种环境下测量了该器件的电学特性,发现器件所处的气体环境可以影响其电传输特性,这可能是由于纳米线表面的氧分子吸附造成的。另外,还研究了紫外光(UV)照射纳米线对器件电学特性的影响,发现紫外光可以使纳米线产生很大的光电导。研究表明上述纳米器件可用作气体探测器和光电探测器。 展开更多
关键词 纳米线 纳米器件 电子束光刻技术 光电导
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AlSb／GaAs异质外延薄膜应变的HRTEM几何相位分析 被引量：2
7
作者 贺小庆 温才 +1 位作者 卢朝靖 段晓峰 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期338-342,共5页
用几何相位分析(geometric phase analysis,GPA)方法研究了AlSb/GaAs异质外延薄膜的应变。此方法基于高分辨像的傅里叶变换。通过选择傅里叶变换点分辨率以内的某个强衍射,做反傅里叶变换得到晶格条纹的相对的相位分布,进一步得到应变... 用几何相位分析(geometric phase analysis,GPA)方法研究了AlSb/GaAs异质外延薄膜的应变。此方法基于高分辨像的傅里叶变换。通过选择傅里叶变换点分辨率以内的某个强衍射,做反傅里叶变换得到晶格条纹的相对的相位分布,进一步得到应变分布。Bragg滤波条纹像确认了60°和90°失配位错的存在。分析讨论了位错核心区域应变分布差异的可能机制。 展开更多
关键词 高分辨透射电子显微术 异质结 应变 失配位错
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膜蛋白二维结晶
8
作者 韩兴 张兴 邢力 《电子显微学报》 CAS CSCD 1995年第6期440-444,共5页
蛋白质电子晶体学已能以原子分辨率解析膜蛋白三维结构。而高分辨的结构测定需要高质量的膜蛋白２Ｄ晶体。本文叙述了膜蛋白２Ｄ结晶化的原理和方法，以及影响２Ｄ晶体生长的因素。同时扼要讨论了蛋白质电子晶体学高分辨结构数据收集时... 蛋白质电子晶体学已能以原子分辨率解析膜蛋白三维结构。而高分辨的结构测定需要高质量的膜蛋白２Ｄ晶体。本文叙述了膜蛋白２Ｄ结晶化的原理和方法，以及影响２Ｄ晶体生长的因素。同时扼要讨论了蛋白质电子晶体学高分辨结构数据收集时存在的主要困难和解决方法。 展开更多
关键词 膜蛋白 2D结晶 蛋白质 电子晶体学
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In GaAs/GaAS应变层中应力的CBED的研究
9
作者 谢强华 冯国光 《电子显微学报》 CAS CSCD 1990年第3期196-196,共1页
本文我们利用CBED,研究了,InGaAs/GaAs超晶格样品高阶劳厄反射中的卫星线分布情况。InGaAs/GaAs超晶格是用金属有机化学汽相沉积的方法生长在GaAs[001]衬底上,InGaAs及GaAs层的厚度分别为100A和200A,x光双晶衍射定出其中合金属中In的含... 本文我们利用CBED,研究了,InGaAs/GaAs超晶格样品高阶劳厄反射中的卫星线分布情况。InGaAs/GaAs超晶格是用金属有机化学汽相沉积的方法生长在GaAs[001]衬底上,InGaAs及GaAs层的厚度分别为100A和200A,x光双晶衍射定出其中合金属中In的含量为6％。会聚束电子衍射在EM-420上进行的。我们发现平面样品中有两种区域,1)衬底与超晶格的界面存在,可以观察在相互垂直的两[110]方向有失配位错。2)GaAs衬底与超晶格界面被Ar^+减薄掉。 展开更多
关键词 INGAAS/GAAS 应变层 应力 CBED
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Al-Cu-Fe合金中的一个新相及其相关的无公度相
10
作者 程亦凡 惠梦君 李方华 《电子显微学报》 CAS CSCD 1990年第3期173-173,共1页
用电子衍射方法在Al-Cu-Fe合金系中发现了一个新相,它属四方晶系,a=b≌8.6A,c=21A。图1和2分别是其沿[001],[010]带轴拍摄的电子衍射花样。但是,不同晶粒[010]电子衍射花样上斑点间距和强度往往不同。例如图3中沿箭头所指方向看去,衍射... 用电子衍射方法在Al-Cu-Fe合金系中发现了一个新相,它属四方晶系,a=b≌8.6A,c=21A。图1和2分别是其沿[001],[010]带轴拍摄的电子衍射花样。但是,不同晶粒[010]电子衍射花样上斑点间距和强度往往不同。例如图3中沿箭头所指方向看去,衍射斑点不在一条直线上。对所有衍射斑点的指标化都需要三个以上的指数。很显然,它具有一维无公度调制结构的特征。另一方面,这个特征又不同于一般。其一是从各个不同带轴的电子衍射花样上很难确定哪些衍射斑点是主衍射斑点,哪些是卫星衍射。因为在一般调制结构中,主衍射的强度都比其卫星斑点强。其二是如果不考虑强度。 展开更多
关键词 Al-Cu-Fe合金 四方晶系 无公度相
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