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量子磁力仪技术研究与应用
1
作者 汪孟珂 白萱瑶 +3 位作者 龙云 朱上果 蒲明博 罗先刚 《中国测试》 CAS 北大核心 2024年第12期1-12,44,共13页
量子磁力仪是一种利用量子效应进行高精度磁场测量的仪器。随着量子技术的进步和应用需求的增长,量子磁力仪在航空航天、地球科学、地质勘探、生物医疗和前沿探索等多个研究领域的重要性日益凸显。该文详细介绍量子磁力仪特别是基于热... 量子磁力仪是一种利用量子效应进行高精度磁场测量的仪器。随着量子技术的进步和应用需求的增长,量子磁力仪在航空航天、地球科学、地质勘探、生物医疗和前沿探索等多个研究领域的重要性日益凸显。该文详细介绍量子磁力仪特别是基于热原子系综的原子磁力仪的工作原理、性能及前沿应用。为梳理各类磁力仪的性能特点,首先,从测量的物理过程出发对量子磁力仪分类介绍,简述各类型磁力仪的基本原理与特点;然后,归纳关键技术指标和性能提升方法;最后,对量子磁力仪的发展趋势进行展望。 展开更多
关键词 量子磁力仪 光泵浦 拉莫尔进动
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相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术 被引量：15
2
作者 冯伯儒 张锦 +2 位作者 侯德胜 周崇喜 苏平 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期1-5,共5页
详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法。
关键词 相移掩模 光学邻近效应校正 光刻技术
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微光刻相移掩模技术研究 被引量：3
3
作者 冯伯儒 孙国良 +3 位作者 沈锋 阙珑 陈宝钦 崔铮 《光电工程》 CAS CSCD 1996年第S1期1-11,共11页
本文系统地论述了提高光刻分辨率的相移掩模技术的基本原理、计算模拟和光刻曝光实验 ;给出了模拟和实验结果 ;研究表明 ,只有在一定的临界参数条件下 ,相移掩模才能明显地改善分辨率和工艺宽容度 ;采用无铬相移掩模得到了 0 .2 μm的... 本文系统地论述了提高光刻分辨率的相移掩模技术的基本原理、计算模拟和光刻曝光实验 ;给出了模拟和实验结果 ;研究表明 ,只有在一定的临界参数条件下 ,相移掩模才能明显地改善分辨率和工艺宽容度 ;采用无铬相移掩模得到了 0 .2 μm的清晰抗蚀剂图形 ,证明了相移掩模在提高光刻分辨率。 展开更多
关键词 投影光刻 相移掩模 高分辨率 计算机模拟
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微透镜阵列显示技术研究 被引量：4
4
作者 董小春 杜春雷 《微纳电子技术》 CAS 2003年第6期29-32,45,共5页
通过对微透镜阵列结构进行深入研究,揭示了微透镜阵列对微图形的放大原理。并在此基础上,找到了微透镜阵列结构参数、微图形结构参数与微图形阵列移动速度、移动方向以及放大倍率之间的关系,利用微透镜阵列实现了对微图形放大、动态、... 通过对微透镜阵列结构进行深入研究,揭示了微透镜阵列对微图形的放大原理。并在此基础上,找到了微透镜阵列结构参数、微图形结构参数与微图形阵列移动速度、移动方向以及放大倍率之间的关系,利用微透镜阵列实现了对微图形放大、动态、立体的显示。 展开更多
关键词 微透镜阵列 微图形 显示 放大原理 结构参数 移动速度 微光学器件
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激光直写光刻工艺技术研究 被引量：2
5
作者 邱传凯 杜春雷 侯德胜 《光电工程》 CAS CSCD 1997年第S1期37-41,46,共6页
研究了利用激光直写技术制作微细图形的工艺方法，应用ＩＳＩ－２８０２型激光直写系统，通过实验，分析了激光曝光机理以及提高实用分辨力的途径。得到了激光直写系统参数与处理工艺参数之间的匹配关系，实验数据对研究制作各种掩模版... 研究了利用激光直写技术制作微细图形的工艺方法，应用ＩＳＩ－２８０２型激光直写系统，通过实验，分析了激光曝光机理以及提高实用分辨力的途径。得到了激光直写系统参数与处理工艺参数之间的匹配关系，实验数据对研究制作各种掩模版、衍射光学元件以及ＡＳＩＣ电路都有应用价值。 展开更多
关键词 激光直写 光刻工艺 激光光刻机 图形制备 曝光
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衰减相移掩模光刻技术研究 被引量：2
6
作者 冯伯儒 张锦 +2 位作者 侯德胜 周崇喜 陈芬 《光电工程》 CAS CSCD 1999年第5期4-8,12,共6页
论述了衰减相移掩模光刻技术的原理和曝光实验研究，给出了光刻曝光实验部分结果。
关键词 光刻相移掩模 衰减相移掩模
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用反应离子刻蚀技术制作二元光学元件 被引量：1
7
作者 张锦 杜春雷 +6 位作者 冯伯儒 王永茹 周礼书 侯德胜 郭勇邱 传凯 林大键 《光电工程》 CAS CSCD 1997年第S1期42-46,共5页
介绍了利用反应离子刻蚀技术制作二元光学元件的原理和方法，给出了制作结果。
关键词 离子束光刻 离子腐蚀 二元光学 衍射光学元件
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激光直写系统中的对准技术应用研究
8
作者 邱传凯 杜春雷 +1 位作者 白临波 周崇喜 《光电工程》 CAS CSCD 1997年第S1期98-103,共6页
基于ＩＳＩ－２８０２型激光直写系统原有基片的多图形对准方法，针对衍射光学元件（ＤＯＥ）图形的特点，通过设计合理的对准标记、修改对准识别文件和实验，产生了一套适于ＤＯＥ图形套刻的对准方案。其对准误差小，达到了系统规定指... 基于ＩＳＩ－２８０２型激光直写系统原有基片的多图形对准方法，针对衍射光学元件（ＤＯＥ）图形的特点，通过设计合理的对准标记、修改对准识别文件和实验，产生了一套适于ＤＯＥ图形套刻的对准方案。其对准误差小，达到了系统规定指标。并实验研制出了１６位相台阶的ＤＯＥ，取得了良好的效果。 展开更多
关键词 衍射光学元件 激光光刻机 激光直写 精密定位 对准精度
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高功率半导体激光器微光学光束整形技术
9
作者 杜春雷 邓启凌 +1 位作者 董小春 周崇喜 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第S3期430-,共1页
基于微光学光束变换系统方法,采用双微棱镜列阵、同轴"之"字形整形方法、反射棱镜阵列法等技术对准直光束进行折叠及光参数积匹配变换,实现光束的完全消像散;利用自行研制的大数值孔径连续非球面微透镜列阵、整形器件等核心... 基于微光学光束变换系统方法,采用双微棱镜列阵、同轴"之"字形整形方法、反射棱镜阵列法等技术对准直光束进行折叠及光参数积匹配变换,实现光束的完全消像散;利用自行研制的大数值孔径连续非球面微透镜列阵、整形器件等核心微光学器件,实现了准直、聚焦和光纤输出等各种功能。形成了系统的半导体激光器光束整形变换技术,准直后光束发散角达到理论极限;成功获得高效率单芯径光纤耦合半导体激光器泵浦源。 展开更多
关键词 高功率半导体激光器 微光学 光束整形
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小型波导传感器单元技术研究
10
作者 杜春雷 R.E.Kunz +1 位作者 苗景歧 候德胜 《光电工程》 CAS CSCD 1996年第S1期19-23,共5页
本文提出用梯度有效折射率平面波导形成小型波导传感器的方案 ,对关键单元技术进行了分析和实验 。
关键词 波导传感器 渐变折射率光波导 参数测量 半导体激光器
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基于投影光刻技术的微透镜阵列加工方法 被引量：2
11
作者 龚健文 王建 +2 位作者 刘俊伯 孙海峰 胡松 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第12期81-90,共10页
本文提出了一种基于投影光刻技术的微透镜阵列制备方法,成功制备多种口径、面形及表面粗糙度均良好的微透镜阵列。该方法采用0.2倍投影物镜,降低掩模板制造成本,实现不同口径微透镜阵列制备。采用掩模移动滤波技术,在降低掩模制备复杂... 本文提出了一种基于投影光刻技术的微透镜阵列制备方法,成功制备多种口径、面形及表面粗糙度均良好的微透镜阵列。该方法采用0.2倍投影物镜,降低掩模板制造成本,实现不同口径微透镜阵列制备。采用掩模移动滤波技术,在降低掩模制备复杂性的同时,提高了微透镜阵列面形精度。本文对四种不同口径的微透镜阵列进行制备实验,分别为50μm、100μm、300μm、500μm,其表面形貌加工精度达到微米级,表面粗糙度达到纳米级。实验结果表明,该方法在微透镜阵列制造中具有很大的潜力,与传统方法相比,能够实现更低的线宽和更高的表面面形精度。 展开更多
关键词 微透镜阵列 投影光刻技术 掩模移动滤波技术
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配体及溶剂调控的CsPbBr_(3)/Cs_(4)PbBr_(6)/CsPb_(2)Br_(5)相变及其光学特性
12
作者 郭衡 石林林 +2 位作者 沈涛 张松 朱益志 《发光学报》 北大核心 2025年第2期296-304,共9页
作为一种具有广阔前景的新型材料,金属卤化物钙钛矿在光电子领域正冉冉升起,成为一颗耀眼的新星。本文采用传统的热注射法制备了三维CsPbBr_(3)钙钛矿纳米晶。通过向三维CsPbBr_(3)钙钛矿纳米晶添加配体或极性溶剂,实现了三维CsPbBr_(3... 作为一种具有广阔前景的新型材料,金属卤化物钙钛矿在光电子领域正冉冉升起,成为一颗耀眼的新星。本文采用传统的热注射法制备了三维CsPbBr_(3)钙钛矿纳米晶。通过向三维CsPbBr_(3)钙钛矿纳米晶添加配体或极性溶剂,实现了三维CsPbBr_(3)、零维Cs_(4)PbBr_(6)和二维CsPb_(2)Br_(5)之间的相变,并研究和比较了它们独特的光学性质。在紫外光的激发下,CsPbBr_(3)、CsPbBr_(3)@Cs_(4)PbBr_(6)、CsPbBr_(3)@CsPb_(2)Br_(5)均发出明亮的绿光,具有纳秒量级的荧光寿命。复合结构CsPbBr_(3)@Cs_(4)PbBr_(6)、CsPbBr_(3)@CsPb_(2)Br_(5)的荧光寿命与CsPbBr_(3)寿命几乎一致,表明CsPbBr_(3)@Cs_(4)PbBr_(6)和CsPbBr_(3)@CsPb_(2)Br_(5)复合物的发光均来自CsPbBr_(3)纳米晶。此外,添加配体使得CsPbBr_(3)转变到Cs_(4)PbBr_(6),极性溶剂水诱导CsPbBr_(3)到CsPb_(2)Br_(5)的相变也被证实。这项工作不仅为复合结构钙钛矿的制备提供了一种简便的方法,而且在一定程度上提供了铅卤钙钛矿在湿度环境中降解的知识。 展开更多
关键词 钙钛矿 维度 光学特性 相变
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掩模移动技术中的边框效应及其应用 被引量：6
13
作者 曾红军 陈波 +2 位作者 郭履容 邱传凯 杜春雷 《光电工程》 EI CAS CSCD 2000年第5期19-22,共4页
掩模移动技术是一种通过移动掩模调制曝光量的连续面形微光学制作技术 ,其工作的局限性在于该技术对所制元件的对称性要求高 ,因此限制了制作复杂面形的功能。本文从分析掩模移动过程中的边框效应入手 ,阐明了消除这一效应负面影响的办... 掩模移动技术是一种通过移动掩模调制曝光量的连续面形微光学制作技术 ,其工作的局限性在于该技术对所制元件的对称性要求高 ,因此限制了制作复杂面形的功能。本文从分析掩模移动过程中的边框效应入手 ,阐明了消除这一效应负面影响的办法 ,并利用它来降低掩模移动技术的对称性要求 ,在实验中制作出了面形复杂的连续浮雕微光学元件。 展开更多
关键词 掩膜移动技术 微光学元件 边框效应 复杂面形
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纳米加工中的光驻波场研究 被引量：3
14
作者 陈献忠 姚汉民 +3 位作者 李展 陈元培 罗先刚 康西巧 《光电工程》 EI CAS CSCD 2000年第6期25-29,共5页
介绍了纳米加工中的光驻波场 ,分别对单反射面和双反射面形成的驻波进行了分析 ,并对不同区域的光强分布进行了理论推导。最后对如何形成高质量的光驻波场进行了探讨。
关键词 纳米加工 光驻波 光强分布 光场
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基于相位差法的波前检测技术 被引量：6
15
作者 李强 沈忙作 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期114-119,共6页
基于相位差法的波前检测技术,主要是利用在焦面和离焦位置上同时采集的一对图像,对光瞳上的波前相位分布进行恢复,同时也可以对目标进行恢复。与哈特曼波前传感器和剪切干涉仪等波前检测技术相比,相位差法具有光路简单、易于实现的特点... 基于相位差法的波前检测技术,主要是利用在焦面和离焦位置上同时采集的一对图像,对光瞳上的波前相位分布进行恢复,同时也可以对目标进行恢复。与哈特曼波前传感器和剪切干涉仪等波前检测技术相比,相位差法具有光路简单、易于实现的特点,同时可以采用扩展目标作为参考源,主要适用于对实时性要求不高的领域。在计算机模拟大气湍流和成像系统的基础上,我们使用有限内存拟牛顿法对波前相位和目标进行了恢复。模拟研究结果表明,相位差法可以较准确的恢复出波前相位,并且最优化的离焦波面差为一个波长。 展开更多
关键词 波前检测 相位恢复 图像恢复 相位差
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迈向21世纪的光刻技术 被引量：4
16
作者 姚汉民 周明宝 田宏 《光电工程》 CAS CSCD 1999年第1期1-8,共8页
介绍了深紫外光刻技术、电子束光刻技术、Ｘ射线光刻技术以及与这些技术相关的一些单元技术的最新进展，概要介绍了这些技术最热门的研究课题，阐述了这些技术的发展前景。
关键词 深紫外光刻 电子束光刻 X射线光刻
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成像干涉光刻技术及其频域分析 被引量：3
17
作者 刘娟 冯伯儒 张锦 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期24-27,共4页
传统光学光刻技术(OL)由于其固有的限制,虽然可对任意图形成像,但分辨力较低。无掩模激光干涉光刻技术(IL)的分辨力可达l /4,却局限于周期图形。成像干涉光刻技术(IIL)结合了二者的优点,用同一个系统分次传递物体不同的空间频率,能更有... 传统光学光刻技术(OL)由于其固有的限制,虽然可对任意图形成像,但分辨力较低。无掩模激光干涉光刻技术(IL)的分辨力可达l /4,却局限于周期图形。成像干涉光刻技术(IIL)结合了二者的优点,用同一个系统分次传递物体不同的空间频率,能更有效地传递物体的信息,以高分辨力对任意图形成像。初步模拟研究表明,在同样的曝光波长和数值孔径下,对同样特征尺寸的掩模图形,IIL得到的结果好于OL。在CD=150nm时,IIL相对于OL把分辨力提高了1.5倍多。 展开更多
关键词 成像干涉光刻 空间频率 频域分析
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用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术 被引量：1
18
作者 冯伯儒 张锦 +3 位作者 宗德蓉 刘娟 陈宝钦 刘明 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期1-4,39,共5页
用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术。对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究。研究表明,无铬相位光刻(CPL)PS... 用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术。对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究。研究表明,无铬相位光刻(CPL)PSM和高透AttPSM 相结合构成的混合掩模最适合用于193nmArF光刻,以产生100nm节点抗蚀剂图形。 展开更多
关键词 激光光刻技术 相移掩模 准分子光刻 无铬相移掩模 交替相移掩模 衰减相移掩模 混合相移掩模
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制作石英二元衍射光学元件工艺研究 被引量：1
19
作者 周礼书 杜春雷 +1 位作者 张锦 王永茹 《光电工程》 CAS CSCD 1997年第S1期53-57,63,共6页
介绍在微电子加工工艺设备的基础上研究制作８位相台阶衍射光学元件（ＤＯＥ）的工艺方法。对光刻曝光、反应离子刻蚀（ＲＩＥ）等关键工艺进行了实验，得到有实用价值的工艺参数和数据。
关键词 衍射光学元件 二元光学 离子腐蚀 光刻工艺 曝光
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采用双向偏置曝光的成像干涉光刻技术 被引量：1
20
作者 冯伯儒 张锦 刘娟 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期1-5,共5页
成像干涉光刻技术(IIL)具有干涉光刻技术(IL)的高分辨力和光学光刻技术(OL)产生任意形状集成电路特征图形的能力。在IIL中,按掩模图形的不同空间频率成份分区曝光,并使其在抗蚀剂基片上非相干叠加,得到高分辨抗蚀剂图形。本文在研究一... 成像干涉光刻技术(IIL)具有干涉光刻技术(IL)的高分辨力和光学光刻技术(OL)产生任意形状集成电路特征图形的能力。在IIL中,按掩模图形的不同空间频率成份分区曝光,并使其在抗蚀剂基片上非相干叠加,得到高分辨抗蚀剂图形。本文在研究一般三次曝光IIL原理基础上,提出采用沿X轴正、负方向以及沿Y轴正、负方向偏置的双向偏置照明,分别曝光+X方向、-X方向、+Y方向、-Y方向的高空间频率分量并与垂直于掩模方向的低空间频率分量曝光相结合的五次曝光IIL。理论和计算模拟表明,该方法可以提高图形对比度和分辨力,并减小因调焦误差引起的图形横向位移误差,有利于改善抗蚀剂图形质量。 展开更多
关键词 光学光刻 干涉光刻 成像干涉光刻 分辨力增强技术 双向偏置照明
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