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采用SF_6+O_2反应离子刻蚀聚酰亚胺膜被引量：1: 1; 作者孙承龙杜根娣 +3 位作者郭方敏陈思琴林绥娟胡素英《应用科学学报》 CAS CSCD 1993年第1期31-36,共6页; 报道了在O_2或SF_6+O_2混合气体中反应离子刻蚀聚酰亚胺的基本原理.使用牛津等离子科技公司的Plasmalab μp型刻蚀仪,对厚度0—4μm的聚酰正胺膜,进行各向异性的刻蚀,获得了侧墙陡直的微细图形.; 关键词聚酰亚胺半导体工艺侵蚀薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

SOZ膜结晶质量的研究: 2; 作者陈庆贵高培德 +4 位作者褚卫兵史日华孙克怡董奇伟董荣康《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第5期35-37,56,共4页; 研究了预处理工艺对SOZ膜结晶质量的影响。用SEM、AES,SIMS及TEM技术分析其原因。结果表明,预处理工艺以1200～1250℃、60～120分为好。; 关键词 SOZ膜结晶质量; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	采用SF_6+O_2反应离子刻蚀聚酰亚胺膜	孙承龙杜根娣郭方敏陈思琴林绥娟胡素英	《应用科学学报》 CAS CSCD	1993	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	SOZ膜结晶质量的研究	陈庆贵高培德褚卫兵史日华孙克怡董奇伟董荣康	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1992	0	在线阅读下载PDF 职称材料