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埋栅型静电感应器件研制中的外延技术
1
作者
雷景丽
李思渊
+1 位作者
李海蓉
李海霞
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期384-387,共4页
对电力埋栅型静电感应晶体管关键工艺外延进行了深入研究,提出了在低阻p型衬底上制备高阻n型外延层的工艺方法,使外延层的方块电阻达到40000Ω/□。实验证明,该方法能有效抑制自掺杂效应和扩散效应,避免了外延过程中可能出现的反型。研...
对电力埋栅型静电感应晶体管关键工艺外延进行了深入研究,提出了在低阻p型衬底上制备高阻n型外延层的工艺方法,使外延层的方块电阻达到40000Ω/□。实验证明,该方法能有效抑制自掺杂效应和扩散效应,避免了外延过程中可能出现的反型。研制的电力埋栅型静电感应晶体管I-V特性良好、栅源击穿电压达到70V,阻断电压达到600V。
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关键词
工艺
外延层
反型
自掺杂
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职称材料
题名
埋栅型静电感应器件研制中的外延技术
1
作者
雷景丽
李思渊
李海蓉
李海霞
机构
兰州理工大学理
学院
兰州大学
物理
科学
与技术
学院
中国科学院中国近代物理研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期384-387,共4页
基金
甘肃省攻关项目(GS012-A52-064)
文摘
对电力埋栅型静电感应晶体管关键工艺外延进行了深入研究,提出了在低阻p型衬底上制备高阻n型外延层的工艺方法,使外延层的方块电阻达到40000Ω/□。实验证明,该方法能有效抑制自掺杂效应和扩散效应,避免了外延过程中可能出现的反型。研制的电力埋栅型静电感应晶体管I-V特性良好、栅源击穿电压达到70V,阻断电压达到600V。
关键词
工艺
外延层
反型
自掺杂
Keywords
process
epilayer
contrary epilayer
self-doping
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
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1
埋栅型静电感应器件研制中的外延技术
雷景丽
李思渊
李海蓉
李海霞
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
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