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磁控溅射法制备的纳米金薄膜的工艺条件和结构分析被引量：6: 1; 作者许小亮王烨 +2 位作者赵亚丽牟威圩施朝淑《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1216-1219,共4页; 通过直流溅射沉积法在玻璃衬底上制备了不同生长条件下的纳米金薄膜,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其进行表面形貌分析。XRD图显示Au膜具有(111)面择优取向;AFM图显示,在不同的生长阶段Au膜具有不同的表面微结构。总结了不... 展开更多; 关键词晶粒生长纳米金表面形貌磁控溅射; 在线阅读下载PDF 职称材料

Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究: 2; 作者徐传明许小亮 +5 位作者谢家纯徐军杨晓杰冯叶黄文浩刘洪图《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期53-56,70,共5页; 讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(204)等主衍射峰的位置和强度呈现显著的改变.而样品厚度的改变... 展开更多; 关键词 Cu(In Ga)3Se5 有序缺陷化合物 XRD 四方结构扭曲; 在线阅读下载PDF 职称材料

非共价键合聚酯/SiO_2杂化材料的制备与性能被引量：4: 3; 作者聂康明庞文民 +1 位作者王雨松朱清仁《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1269-1272,共4页; 利用高分子量聚己内酯 (PCL)制备了高分子无机组分间非共价键化学结合的PCL/SiO2 有机无机杂化透明材料。FTIR、13 CNMR谱研究表明 ,杂化体系中PCL与SiO2 组分间的键合作用主要是依赖于较强的特殊氢键相互作用。共溶剂的V(THF)∶V(EtO... 展开更多; 关键词聚己内酯有机无机杂化溶胶-凝胶透明材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

退火对离子注入GaN产生的深能级的影响: 4; 作者许小亮何海燕 +5 位作者刘洪图施朝淑葛惟昆 Luo E Z Sundaravel B Wilson I H 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第4期243-252,共10页; 我们最近报道了大剂量Al+注入原生GaN后对其光学性质的影响。表明Al+的注入可能产生了某种深能级电子陷阱 ,由于电子陷阱俘获导带电子 ,导致发光猝灭。而经一定条件的退火处理 ,可使深的电子陷阱发生变化 ,因而与缺陷间的跃迁相关的黄... 展开更多; 关键词退火离子注入 GAN 深能级氮化镓光学性质电子陷阱光增强电流谱 PSCS; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名磁控溅射法制备的纳米金薄膜的工艺条件和结构分析被引量：6: 1; 作者许小亮王烨赵亚丽牟威圩施朝淑; 机构中国科学院中国科学技术大学结构分析重点实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1216-1219,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(50472008) 安徽省人才开发基金资助项目(2003Z021) 安徽省高新技术基金资助项目(04022001); 文摘通过直流溅射沉积法在玻璃衬底上制备了不同生长条件下的纳米金薄膜,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其进行表面形貌分析。XRD图显示Au膜具有(111)面择优取向;AFM图显示,在不同的生长阶段Au膜具有不同的表面微结构。总结了不同的工艺条件对薄膜晶粒生长的影响,这项研究对实现金属薄膜的可控性生长有重要意义。; 关键词晶粒生长纳米金表面形貌磁控溅射; Keywords crystal growth An film surface morphology magnetron sputtering; 分类号 O782.9 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究: 2; 作者徐传明许小亮谢家纯徐军杨晓杰冯叶黄文浩刘洪图; 机构中国科学技术大学精密机械与精密仪器系中国科学院中国科学技术大学结构分析重点实验室中国科学技术大学物理系; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期53-56,70,共5页; 基金安徽省自然科学基金(No.0046506); 文摘讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(204)等主衍射峰的位置和强度呈现显著的改变.而样品厚度的改变会导致薄膜中存在不同的内应力,最终对薄膜的结构产生了显著影响.; 关键词 Cu(In Ga)3Se5 有序缺陷化合物 XRD 四方结构扭曲; 分类号 TN304.2+6 [电子电信—物理电子学] O484.1 [理学—固体物理] O472+.4 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非共价键合聚酯/SiO_2杂化材料的制备与性能被引量：4: 3; 作者聂康明庞文民王雨松朱清仁; 机构中国科学院中国科学技术大学结构分析重点实验室; 出处《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1269-1272,共4页; 基金安徽省自然科学基金资助项目 ( 0 3 0 44 80 1); 文摘利用高分子量聚己内酯 (PCL)制备了高分子无机组分间非共价键化学结合的PCL/SiO2 有机无机杂化透明材料。FTIR、13 CNMR谱研究表明 ,杂化体系中PCL与SiO2 组分间的键合作用主要是依赖于较强的特殊氢键相互作用。共溶剂的V(THF)∶V(EtOH) =10 0∶16时 ,杂化材料的透明度高、凝胶时间短。DSC、TGA结果表明 ,杂化体系中PCL的熔融热焓△Hm和熔点Tm随无机组分含量的增加而降低。热分解的起始和结束温度分别提高到 35 8和 5 6 2℃。; 关键词聚己内酯有机无机杂化溶胶-凝胶透明材料; Keywords poly(ε-caprolactone)/silica,organic-inorganic hybrid,sol-gel process,transparent material; 分类号 O632.5 [理学—高分子化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名退火对离子注入GaN产生的深能级的影响: 4; 作者许小亮何海燕刘洪图施朝淑葛惟昆 Luo E Z Sundaravel B Wilson I H; 机构中国科学院中国科学技术大学结构分析重点实验室香港科学技术大学物理系香港中文大学电子工程系; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第4期243-252,共10页; 基金中国博士后基金会暨王宽诚基金会资助项目 (1 999No.5 2 0 0 0No.1 7) 安徽省自然科学基金资助项目(0 0 465 0 6); 文摘我们最近报道了大剂量Al+注入原生GaN后对其光学性质的影响。表明Al+的注入可能产生了某种深能级电子陷阱 ,由于电子陷阱俘获导带电子 ,导致发光猝灭。而经一定条件的退火处理 ,可使深的电子陷阱发生变化 ,因而与缺陷间的跃迁相关的黄色荧光可得到一定程度的恢复。由于注入样品的电阻率高达 1 0 1 2 Ω·cm ,因此不能用已有的常规方法测量。我们为此发展了一种称为“光增强电流谱”(PSCS)新方法 ,用于测量高阻样品中的深能级。研究发现 ,在经过快速退火处理的样品中 ,不能消除由于注入产生的准连续深能级带 ;而在某种常规条件退火的样品中 ,发现了 5个位于导带下 1 .77eV ,1 .2 4eV ,1 .1 6eV ,0 .90eV和 0 .86eV的深电子陷阱 ,它们都是Al+注入经退火后形成的稳定结构。实验发现退火使注入产生的准连续深能级带转变为独立的深能级结构 ,虽不能使GaN的本征发光得到恢复 ,但对黄色荧光的恢复是有利的。此研究有助于了解退火处理对离子注入的GaN的电学结构与发光产生的影响。PSCS的意义在于它适用于测量一切高阻半导体样品中与非辐射跃迁相联系的深陷阱能级。; 关键词退火离子注入 GAN 深能级氮化镓光学性质电子陷阱光增强电流谱 PSCS; Keywords annealing effect deep trap aluminum implantation GaN; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	磁控溅射法制备的纳米金薄膜的工艺条件和结构分析	许小亮王烨赵亚丽牟威圩施朝淑	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究	徐传明许小亮谢家纯徐军杨晓杰冯叶黄文浩刘洪图	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	非共价键合聚酯/SiO_2杂化材料的制备与性能	聂康明庞文民王雨松朱清仁	《应用化学》 CAS CSCD 北大核心	2004	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	退火对离子注入GaN产生的深能级的影响	许小亮何海燕刘洪图施朝淑葛惟昆 Luo E Z Sundaravel B Wilson I H	《液晶与显示》 CAS CSCD	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料