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负离子配位多面体生长基元的理论模型与晶粒形貌
被引量：
56
1
作者
李汶军
施尔畏
+1 位作者
仲维卓
殷之文
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期117-125,共9页
本文介绍了一种新的形貌判定准则———配位多面体生长习性法则。首先在负离子配位多面体生长基元模型的基础上建立了晶体的生长机理模型和界面模型，在此基础上提出了晶体形貌判定法则。即晶体的各晶面的生长速度与其结构中的配位多面...
本文介绍了一种新的形貌判定准则———配位多面体生长习性法则。首先在负离子配位多面体生长基元模型的基础上建立了晶体的生长机理模型和界面模型，在此基础上提出了晶体形貌判定法则。即晶体的各晶面的生长速度与其结构中的配位多面体在界面上显露的元素种类有关。显露配位多面体顶点的晶面生长速度快，显露面的晶面生长速度慢，显露棱的晶面生长速度介于两者之间。此外，晶体的各晶面的生长速度还与配位多面体在界面上显露的元素数目有关。显露配位多面体元素数目多的晶面生长速度快。根据此法则成功地解释了γＡｌＯ（ＯＨ）晶体和极性晶体ＺｎＯ，ＳｉＯ２的形貌特征。最后，本文还提出了两种晶体形貌的调制方法，即添加剂调制法和过饱和度调制法。
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关键词
形貌
负离子
配位多面体
晶粒
模型
晶体生长
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职称材料
题名
负离子配位多面体生长基元的理论模型与晶粒形貌
被引量：
56
1
作者
李汶军
施尔畏
仲维卓
殷之文
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷超细结构国家重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期117-125,共9页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文介绍了一种新的形貌判定准则———配位多面体生长习性法则。首先在负离子配位多面体生长基元模型的基础上建立了晶体的生长机理模型和界面模型，在此基础上提出了晶体形貌判定法则。即晶体的各晶面的生长速度与其结构中的配位多面体在界面上显露的元素种类有关。显露配位多面体顶点的晶面生长速度快，显露面的晶面生长速度慢，显露棱的晶面生长速度介于两者之间。此外，晶体的各晶面的生长速度还与配位多面体在界面上显露的元素数目有关。显露配位多面体元素数目多的晶面生长速度快。根据此法则成功地解释了γＡｌＯ（ＯＨ）晶体和极性晶体ＺｎＯ，ＳｉＯ２的形貌特征。最后，本文还提出了两种晶体形貌的调制方法，即添加剂调制法和过饱和度调制法。
关键词
形貌
负离子
配位多面体
晶粒
模型
晶体生长
Keywords
growth unit,morphology,hydrothermal method,crystal interface,growth mechanism
分类号
O781 [理学—晶体学]
O782.2 [理学—晶体学]
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作者
出处
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1
负离子配位多面体生长基元的理论模型与晶粒形貌
李汶军
施尔畏
仲维卓
殷之文
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
56
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