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Si_3N_4陶瓷和ZrSiO_4复相陶瓷维氏压痕残余应力分布的扫描电子声学显微术观察被引量：3: 1; 作者张冰阳杨阳 +2 位作者江福明施鹰殷庆瑞《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第1期55-58,共4页; 本文利用扫描电声显微术（ＳＥＡＭ）对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷和３０ｖｏｌ％ＳｉＣ（ｗ）／ＺｒＳｉＯ４复相陶瓷中由维氏压痕引起的残余应力分布进行了电声显微像观察。比较了原位获得的二次电子像和电声像，表明电声像能够揭示样品的表面和... 展开更多; 关键词陶瓷复相陶瓷维氏压痕残余应力电镜; 在线阅读下载PDF 职称材料

压电陶瓷微致动器在计算机硬盘磁道定位机构中的应用被引量：2: 2; 作者李国荣陈大任 +5 位作者张申沈卫殷庆瑞毕超郭伟郑广德《应用科学学报》 CAS CSCD 2000年第2期104-108,共5页; 计算机硬盘磁道定位机构是计算机硬盘中的一个十分重要部件 .快速、准确地读取计算机硬盘上宽度为μm级的磁道信号是计算机硬盘磁道定位器设计和制作中的关键课题 ,对提高硬盘存储信号密度和读取时间有着重要意义 .文中利用多层片式压... 展开更多; 关键词计算机磁盘压电陶瓷微致动器磁道定位机构; 在线阅读下载PDF 职称材料

PMNT和PZNT单晶的压电模量表示中的问题探讨被引量：4: 3; 作者罗豪苏王评初《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第4期281-285,298,共6页; 对于具有３ｍ点群结构的ＰＭＮＴ和ＰＺＮＴ单晶，按照三方晶系标准定向的要求，ｚ轴应取（１１１）方向，但一些文献中的ｄ３３来表示在（１００）晶面上受到正应力作用时的压电模量，这种表示中ｚ轴的取向不符合三方晶系的标准定向，... 展开更多; 关键词 PMNT单晶 PZNT单晶压电模量机电耦合因数; 在线阅读下载PDF 职称材料

水热合成BaTiO_3薄膜及其微观结构分析被引量：1: 4; 作者许华平辛火平 +3 位作者林成鲁江富民殷庆瑞孟繁德《应用科学学报》 CAS CSCD 1997年第1期112-116,共5页; 利用水热反应，成功地在１６０℃的低温下，直接在蒸钛硅衬底表面合成了多晶ＢａＴｉＯ３薄膜。扫描电镜（ＳＥＭ）观察发现薄膜的组织结构均匀、致密、平均晶粒尺寸约１００ｎｍ．对比快速热退火（ＲＴＡ）前后薄膜的扩展电阻深度分布... 展开更多; 关键词水热法薄膜微观结构钛酸钡合成; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si_3N_4陶瓷和ZrSiO_4复相陶瓷维氏压痕残余应力分布的扫描电子声学显微术观察被引量：3: 1; 作者张冰阳杨阳江福明施鹰殷庆瑞; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第1期55-58,共4页; 基金 "863"高技术国家自然科学基金; 文摘本文利用扫描电声显微术（ＳＥＡＭ）对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷和３０ｖｏｌ％ＳｉＣ（ｗ）／ＺｒＳｉＯ４复相陶瓷中由维氏压痕引起的残余应力分布进行了电声显微像观察。比较了原位获得的二次电子像和电声像，表明电声像能够揭示样品的表面和亚表面的残余应力场分布。实验结果证实在陶瓷材料中由维氏压痕所引起的残余应力场是呈弹－塑性交替分布的区域，在维氏压痕的中心以及由压痕引起的裂纹对角线的端点是应力分布的集中区，同时显示ＳＥＡＭ技术在对陶瓷材料中残余应力场分布的研究中是一种有力的工具。; 关键词陶瓷复相陶瓷维氏压痕残余应力电镜; Keywords Si3N4 ceramics\ \ ZrSiO4 multiphase ceramics\ \ Vicker's indentation\ \ residual stress\ \ scanning electron acoustic microscopy(SEAM); 分类号 TQ174.1 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名压电陶瓷微致动器在计算机硬盘磁道定位机构中的应用被引量：2: 2; 作者李国荣陈大任张申沈卫殷庆瑞毕超郭伟郑广德; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室新加坡数据存储研究所; 出处《应用科学学报》 CAS CSCD 2000年第2期104-108,共5页; 基金上海市科委自然科学基金重大项目!( 95 JC14 0 16) 上海市科委<启明星计划>资助项目!( 96QE14 0 3 0 ); 文摘计算机硬盘磁道定位机构是计算机硬盘中的一个十分重要部件 .快速、准确地读取计算机硬盘上宽度为μm级的磁道信号是计算机硬盘磁道定位器设计和制作中的关键课题 ,对提高硬盘存储信号密度和读取时间有着重要意义 .文中利用多层片式压电陶瓷微致动器制作了适合计算机硬盘磁头二级定位用的磁道定位机构 ,并对该定位器的驱动性能进行了分析和研究 .; 关键词计算机磁盘压电陶瓷微致动器磁道定位机构; Keywords computer hard disk dual track system multilayer piezoelectric actuator displacement finite element method(FEM); 分类号 TP333.2 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PMNT和PZNT单晶的压电模量表示中的问题探讨被引量：4: 3; 作者罗豪苏王评初; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第4期281-285,298,共6页; 文摘对于具有３ｍ点群结构的ＰＭＮＴ和ＰＺＮＴ单晶，按照三方晶系标准定向的要求，ｚ轴应取（１１１）方向，但一些文献中的ｄ３３来表示在（１００）晶面上受到正应力作用时的压电模量，这种表示中ｚ轴的取向不符合三方晶系的标准定向，影响ＰＭＮＴ和ＰＺＮＴ单晶压电性能的研究，文章详细讨论了具有３ｍ点群结构的晶体，在其（１００）晶面上受正应力作用时的压电模量和机电耦合因数的表示关系。; 关键词 PMNT单晶 PZNT单晶压电模量机电耦合因数; 分类号 O738 [理学—晶体学] O785; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名水热合成BaTiO_3薄膜及其微观结构分析被引量：1: 4; 作者许华平辛火平林成鲁江富民殷庆瑞孟繁德; 机构中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室上海钢铁研究所; 出处《应用科学学报》 CAS CSCD 1997年第1期112-116,共5页; 文摘利用水热反应，成功地在１６０℃的低温下，直接在蒸钛硅衬底表面合成了多晶ＢａＴｉＯ３薄膜。扫描电镜（ＳＥＭ）观察发现薄膜的组织结构均匀、致密、平均晶粒尺寸约１００ｎｍ．对比快速热退火（ＲＴＡ）前后薄膜的扩展电阻深度分布、ＳＥＭ形貌象和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）谱发现：薄膜吕多层结构，退火前为立方ＢａＴｉＯ３／非晶ＢａＴｉＯ３－ｘ／Ｔ／Ｓｉ．退火后变为四方ＢａＴｉＯ３／Ｔｉ／Ｓｉ。; 关键词水热法薄膜微观结构钛酸钡合成; Keywords hydrothermal method, hydrothermal thin film, BaTiO3 thin film, microstructure; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Si_3N_4陶瓷和ZrSiO_4复相陶瓷维氏压痕残余应力分布的扫描电子声学显微术观察	张冰阳杨阳江福明施鹰殷庆瑞	《电子显微学报》 CAS CSCD	1998	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	压电陶瓷微致动器在计算机硬盘磁道定位机构中的应用	李国荣陈大任张申沈卫殷庆瑞毕超郭伟郑广德	《应用科学学报》 CAS CSCD	2000	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	PMNT和PZNT单晶的压电模量表示中的问题探讨	罗豪苏王评初	《压电与声光》 CSCD 北大核心	1999	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	水热合成BaTiO_3薄膜及其微观结构分析	许华平辛火平林成鲁江富民殷庆瑞孟繁德	《应用科学学报》 CAS CSCD	1997	1	在线阅读下载PDF 职称材料