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超快闪烁晶体Cs_(2)ZnCl_(4)研究进展
1
作者
左晓艺
武彤
+6 位作者
王绍涵
王丁
唐一文
王东
石云
韩三灿
陈俊锋
《发光学报》
北大核心
2025年第5期863-872,共10页
下一代高能物理实验与飞行时间正电子发射断层扫描成像对闪烁体提出了更快衰减时间的要求,以满足更高辐射探测精度的需求,要求闪烁体具有纳秒(ns)甚至皮秒(ps)量级的超快衰减时间。Cs_(2)ZnCl_(4)晶体具有衰减快、无慢成分发光、熔点低...
下一代高能物理实验与飞行时间正电子发射断层扫描成像对闪烁体提出了更快衰减时间的要求,以满足更高辐射探测精度的需求,要求闪烁体具有纳秒(ns)甚至皮秒(ps)量级的超快衰减时间。Cs_(2)ZnCl_(4)晶体具有衰减快、无慢成分发光、熔点低、不易潮解以及发光光谱与光电倍增管匹配较好等优势,近年来作为一种交叉发光的超快闪烁体受到越来越多的关注。本文围绕发光机制、物化特性、晶体生长、闪烁性能等方面,较为全面地回顾了Cs_(2)ZnCl_(4)晶体的研究历史与进展,重点介绍了Cs_(2)ZnCl_(4)的光学与闪烁性能,总结和展望了Cs_(2)ZnCl_(4)晶体作为一种独特超快闪烁体的应用潜力。
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关键词
Cs_(2)ZnCl_(4)
超快闪烁体
芯带-价带发光
晶体生长
闪烁性能
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职称材料
坩埚下降法生长氟化物晶体的热场对界面形状和生长速率的影响
2
作者
李家和
郑丽丽
+2 位作者
张辉
李翔
陈俊锋
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第5期772-783,共12页
氟化物晶体中包裹物缺陷显著影响光学质量,而包裹物缺陷在坩埚下降法中主要由晶体界面形状和生长速率决定。本文针对坩埚下降法技术,数值模拟研究热场结构对晶体生长速率和界面形状的影响趋势,以及获得使界面呈现微凸形状、稳定生长阶...
氟化物晶体中包裹物缺陷显著影响光学质量,而包裹物缺陷在坩埚下降法中主要由晶体界面形状和生长速率决定。本文针对坩埚下降法技术,数值模拟研究热场结构对晶体生长速率和界面形状的影响趋势,以及获得使界面呈现微凸形状、稳定生长阶段延长的生长条件,形成有效调控包裹物缺陷的策略。研究发现,氟化物晶体生长形成凸度较大的界面主要由内辐射传热特性导致的界面附近径向吸热产生,增加绝缘区长度可减小起始阶段的生长速率,有效降低稳定生长阶段的界面凸度。提高上、下加热器温度可缩短初始不稳定生长区域,有效降低稳定生长阶段的界面凸度。对于大尺寸或多棒晶体生长,呈现径向温度梯度较大即晶体生长界面凸度过大,通过提高上加热器底端温度和增加绝缘区上部散热开口的热场设计,可以建立不利于包裹物生成的微凸界面形状。
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关键词
氟化物晶体
坩埚下降法
热场
包裹物调控
界面凸度
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职称材料
题名
超快闪烁晶体Cs_(2)ZnCl_(4)研究进展
1
作者
左晓艺
武彤
王绍涵
王丁
唐一文
王东
石云
韩三灿
陈俊锋
机构
上海
理工大学
材料
与化学
学院
中国科学院上海硅酸盐研究所新材料中试研发中心
华中师范大学物理
科学
与技术
学院
中国科学院
大学
材料
科学
与光电工程
研究
中心
中国科学院
稀土重点实验室
出处
《发光学报》
北大核心
2025年第5期863-872,共10页
基金
国家自然科学基金(62175249)
中国科学院战略性先导科技专项(XDA25030600)
中国科学院稀土重点实验室开放基金。
文摘
下一代高能物理实验与飞行时间正电子发射断层扫描成像对闪烁体提出了更快衰减时间的要求,以满足更高辐射探测精度的需求,要求闪烁体具有纳秒(ns)甚至皮秒(ps)量级的超快衰减时间。Cs_(2)ZnCl_(4)晶体具有衰减快、无慢成分发光、熔点低、不易潮解以及发光光谱与光电倍增管匹配较好等优势,近年来作为一种交叉发光的超快闪烁体受到越来越多的关注。本文围绕发光机制、物化特性、晶体生长、闪烁性能等方面,较为全面地回顾了Cs_(2)ZnCl_(4)晶体的研究历史与进展,重点介绍了Cs_(2)ZnCl_(4)的光学与闪烁性能,总结和展望了Cs_(2)ZnCl_(4)晶体作为一种独特超快闪烁体的应用潜力。
关键词
Cs_(2)ZnCl_(4)
超快闪烁体
芯带-价带发光
晶体生长
闪烁性能
Keywords
Cs_(2)ZnCl_(4)
ultrafast scintillator
core-valence luminescence
crystal growth
scintillation performance
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
坩埚下降法生长氟化物晶体的热场对界面形状和生长速率的影响
2
作者
李家和
郑丽丽
张辉
李翔
陈俊锋
机构
清华大学航天航空
学院
清华大学公共安全
研究
院
中国科学院上海硅酸盐研究所新材料中试研发中心
出处
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第5期772-783,共12页
基金
国家重点研发计划(2022YFB3503902)。
文摘
氟化物晶体中包裹物缺陷显著影响光学质量,而包裹物缺陷在坩埚下降法中主要由晶体界面形状和生长速率决定。本文针对坩埚下降法技术,数值模拟研究热场结构对晶体生长速率和界面形状的影响趋势,以及获得使界面呈现微凸形状、稳定生长阶段延长的生长条件,形成有效调控包裹物缺陷的策略。研究发现,氟化物晶体生长形成凸度较大的界面主要由内辐射传热特性导致的界面附近径向吸热产生,增加绝缘区长度可减小起始阶段的生长速率,有效降低稳定生长阶段的界面凸度。提高上、下加热器温度可缩短初始不稳定生长区域,有效降低稳定生长阶段的界面凸度。对于大尺寸或多棒晶体生长,呈现径向温度梯度较大即晶体生长界面凸度过大,通过提高上加热器底端温度和增加绝缘区上部散热开口的热场设计,可以建立不利于包裹物生成的微凸界面形状。
关键词
氟化物晶体
坩埚下降法
热场
包裹物调控
界面凸度
Keywords
fluoride crystal
Bridgman method
thermal field
control of inclusion
interface convexity
分类号
O781 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超快闪烁晶体Cs_(2)ZnCl_(4)研究进展
左晓艺
武彤
王绍涵
王丁
唐一文
王东
石云
韩三灿
陈俊锋
《发光学报》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
坩埚下降法生长氟化物晶体的热场对界面形状和生长速率的影响
李家和
郑丽丽
张辉
李翔
陈俊锋
《人工晶体学报》
北大核心
2025
0
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职称材料
已选择
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