检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

等离子喷涂Al_2O_3涂层的电击穿机理被引量：10: 1; 作者郭瑞梁波 +3 位作者赵晓兵杨英春季珩郑学斌《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期43-48,共6页; 采用大气等离子喷涂技术在铜基体上沉积了Al2O3涂层。采用XRD和SEM对涂层微观结构进行了表征。通过探讨孔隙率和吸潮行为对绝缘性能的影响,分析了等离子喷涂Al2O3涂层结构与电绝缘失效机理的关系。结果表明：等离子喷涂Al2O3涂层较致密... 展开更多; 关键词等离子喷涂 A12O3 涂层电击穿; 在线阅读下载PDF 职称材料

层状Al_2O_3-TiB_2复相陶瓷的制备被引量：5: 2; 作者曾宇平江东亮 +1 位作者谭寿洪郭景坤《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期27-30,共4页; 利用流延成型工艺,制备了一定厚度的Al_20_3-TiB_2陶瓷膜,通过剪裁,层压,热压烧结制备了层状Al_2O_3-TiB_2复相材料,并讨论了影响浆料性质及材料性能的各种因素。; 关键词复相陶流延成型三氧化二铝硼化钛; 在线阅读下载PDF 职称材料

掺钕BGO单晶的光谱研究被引量：2: 3; 作者张秀荣祁长鸿刘建成《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期158-163,共6页; 本文详细分析研究了掺钕ＢＧＯ单晶的光谱特性．测量了Ｎｄ（３＋）离子在ＢＧＯ单晶中的吸收谱、荧光谱（４Ｆ３／２→４Ｉ（９／２、１１／２、１３／２）及荧光寿命，并研究了荧光谱的温度效应．计算了跃迁几率、发射截面、分支比和... 展开更多; 关键词单晶光谱锗酸铋掺钕; 在线阅读下载PDF 职称材料

砷化镓半导体外延层的电子声成像: 4; 作者张冰阳江福明 +6 位作者殷庆瑞惠森兴姚烈杨阳高鸿楷何益民侯洵《分析测试学报》 CAS CSCD 1996年第6期27-31,共5页; 本实验利用扫描电子声显微镜对CaAs半导体外延片生长缺陷进行了电子声成像。通过分析不同条件下获得的电声图像,讨论了CaAs半导体外延片在电声成像中其电声信号的产生机制。; 关键词 SEAM 砷化镓缺陷电子声成像; 在线阅读下载PDF 职称材料

化学浴沉积法合成硒化铋纳米结构薄膜被引量：4: 5; 作者孙正亮陈立东《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期248-250,231,共4页; 近年来,低维热电材料以其优越的性能而受到研究人员的关注,但合成方法多局限于成本较高的物理法。本文采用简便的化学浴沉积法成功地制备出硒化铋纳米结构薄膜。以硝酸铋、硒代硫酸钠分别作为铋源和硒源,以氨三乙酸作为配位剂,在硅片上... 展开更多; 关键词 Bi2Se3薄膜化学浴沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

(Lu,Y)_2SiO_5∶Ce^(3+)与SrSO_4∶Dy^(3+)材料低温热释光及其测试仪器的研究: 6; 作者唐桦明唐强 +1 位作者毛日华谢建才《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1807-1813,共7页; 为了分析材料在低温下的陷阱能级,获得更多有关缺陷结构的信息,研制了一套由STM32微控制器为核心的低温热释光发光谱测量系统。设计了低温样品室,采用液氮冷却样品; STM32通过控制加热电流,实现样品以恒定速率升温,从而获得低温热释光... 展开更多; 关键词低温热释光 LYSO 辐射发光自陷激子缺陷结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名等离子喷涂Al_2O_3涂层的电击穿机理被引量：10: 1; 作者郭瑞梁波赵晓兵杨英春季珩郑学斌; 机构燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室常州大学材料科学与工程学院中国科学院上海硅酸盐所; 出处《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期43-48,共6页; 基金国家973项目(2010CB731600); 文摘采用大气等离子喷涂技术在铜基体上沉积了Al2O3涂层。采用XRD和SEM对涂层微观结构进行了表征。通过探讨孔隙率和吸潮行为对绝缘性能的影响,分析了等离子喷涂Al2O3涂层结构与电绝缘失效机理的关系。结果表明：等离子喷涂Al2O3涂层较致密,界面结合较好。随涂层厚度不同其孔隙率在5%～7%范围变化。等离子喷涂Al2O3涂层结构中的孔洞是电绝缘失效的主要部位且呈典型电晕击穿形貌。电晕击穿诱发的裂纹沿击穿方向扩展形成击穿隧道。击穿方向与电极极性无关而由击穿孔洞位置决定。涂层厚度与涂层击穿强度呈现倒数关系。吸潮会诱发导电通路形成降低A12O3，涂层抗击穿能力。; 关键词等离子喷涂 A12O3 涂层电击穿; Keywords atmospheric plasma spraying Al2O3 coating electrical breakdown; 分类号 TG174.4 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名层状Al_2O_3-TiB_2复相陶瓷的制备被引量：5: 2; 作者曾宇平江东亮谭寿洪郭景坤; 机构中国科学院上海硅酸盐所; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期27-30,共4页; 文摘利用流延成型工艺,制备了一定厚度的Al_20_3-TiB_2陶瓷膜,通过剪裁,层压,热压烧结制备了层状Al_2O_3-TiB_2复相材料,并讨论了影响浆料性质及材料性能的各种因素。; 关键词复相陶流延成型三氧化二铝硼化钛; Keywords tape casting,slurries,Al2O3-TiB2 composites; 分类号 TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名掺钕BGO单晶的光谱研究被引量：2: 3; 作者张秀荣祁长鸿刘建成; 机构中国科学院上海光机所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期158-163,共6页; 文摘本文详细分析研究了掺钕ＢＧＯ单晶的光谱特性．测量了Ｎｄ（３＋）离子在ＢＧＯ单晶中的吸收谱、荧光谱（４Ｆ３／２→４Ｉ（９／２、１１／２、１３／２）及荧光寿命，并研究了荧光谱的温度效应．计算了跃迁几率、发射截面、分支比和Ω（２、４、６）等光谱参数，和ＹＡＧ：Ｎｄ（３＋）作了比较．; 关键词单晶光谱锗酸铋掺钕; Keywords BGO:Nd￣(3+),spectral properties; 分类号 O734.1 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名砷化镓半导体外延层的电子声成像: 4; 作者张冰阳江福明殷庆瑞惠森兴姚烈杨阳高鸿楷何益民侯洵; 机构中国科学院上海硅酸盐所中国科学院西安光机所; 出处《分析测试学报》 CAS CSCD 1996年第6期27-31,共5页; 基金 "8 6 3"高技术和国家自然科学基金资助项目; 文摘本实验利用扫描电子声显微镜对CaAs半导体外延片生长缺陷进行了电子声成像。通过分析不同条件下获得的电声图像,讨论了CaAs半导体外延片在电声成像中其电声信号的产生机制。; 关键词 SEAM 砷化镓缺陷电子声成像; Keywords SEAM,GaAs,Defect.; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名化学浴沉积法合成硒化铋纳米结构薄膜被引量：4: 5; 作者孙正亮陈立东; 机构中国科学院上海硅酸盐所中国科学院研究生院; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期248-250,231,共4页; 文摘近年来,低维热电材料以其优越的性能而受到研究人员的关注,但合成方法多局限于成本较高的物理法。本文采用简便的化学浴沉积法成功地制备出硒化铋纳米结构薄膜。以硝酸铋、硒代硫酸钠分别作为铋源和硒源,以氨三乙酸作为配位剂,在硅片上沉积出由【001】取向的纳米片组成的硒化铋纳米结构薄膜。薄片厚度在50～100nm。性能表征显示合成出的薄膜室温下电导和赛贝克系数分别为9.2×103Sm-1和-98μVK-1。该法具有低成本、易操作、易于大规模生长等优点,为薄膜的器件化打下基础。; 关键词 Bi2Se3薄膜化学浴沉积; Keywords thermoelectric Bi_2Se_3 films CBD; 分类号 TB43 [一般工业技术] TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名(Lu,Y)_2SiO_5∶Ce^(3+)与SrSO_4∶Dy^(3+)材料低温热释光及其测试仪器的研究: 6; 作者唐桦明唐强毛日华谢建才; 机构中山大学物理学院中国科学院上海硅酸盐所广州瑞迪爱生科技有限公司; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1807-1813,共7页; 基金国家自然科学基金(11375278)资助项目~~; 文摘为了分析材料在低温下的陷阱能级,获得更多有关缺陷结构的信息,研制了一套由STM32微控制器为核心的低温热释光发光谱测量系统。设计了低温样品室,采用液氮冷却样品; STM32通过控制加热电流,实现样品以恒定速率升温,从而获得低温热释光发光曲线或三维热释光谱。温度测量范围为85～400 K,升温速率范围为0. 1～10 K/s。设计了由STM32控制X射线及紫外光源的驱动电路,用于样品的激发。采用高灵敏度CCD实现对三维热释光谱的测量,采用单光子计数器获取二维热释光发光曲线。利用该系统测试了(Lu,Y)_2SiO_5∶Ce^(3+)(LYSO∶Ce^(3+))单晶闪烁体与SrSO_4∶Dy^(3+)粉末样品的热释光谱及辐射发光光谱。观察到LYSO∶Ce^(3+)在108,200,380 K左右的热释光峰,发光波长位于390～450 nm之间,是明显的宽带峰。在低温下由于基质的自陷激子(STE)发射所形成的发射峰在166 K时发生猝灭。在309 K时,Ce^(3+)发射峰展宽为单一发射峰; SrSO_4∶Dy^(3+)发光峰温度为178,385 K,发光波长由Dy^(3+)离子的能级跃迁决定,在480,575,660,750 nm处呈现窄带发光峰。结果表明,系统人机交互界面友好,实验数据可靠,智能化程度高,操作简单。; 关键词低温热释光 LYSO 辐射发光自陷激子缺陷结构; Keywords low-temperature thennoluminescence （ TL ） LYSO radioluminescence （ RL ） self-trapped excitons（STE） detect structure; 分类号 O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	等离子喷涂Al_2O_3涂层的电击穿机理	郭瑞梁波赵晓兵杨英春季珩郑学斌	《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	10	在线阅读下载PDF 职称材料
2	层状Al_2O_3-TiB_2复相陶瓷的制备	曾宇平江东亮谭寿洪郭景坤	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	1998	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	掺钕BGO单晶的光谱研究	张秀荣祁长鸿刘建成	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1994	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	砷化镓半导体外延层的电子声成像	张冰阳江福明殷庆瑞惠森兴姚烈杨阳高鸿楷何益民侯洵	《分析测试学报》 CAS CSCD	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	化学浴沉积法合成硒化铋纳米结构薄膜	孙正亮陈立东	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2010	4	在线阅读下载PDF 职称材料
6	(Lu,Y)_2SiO_5∶Ce^(3+)与SrSO_4∶Dy^(3+)材料低温热释光及其测试仪器的研究	唐桦明唐强毛日华谢建才	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料