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自组织神经树用于金属间化合物三元填隙D88结构形成条件的判别
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作者 蔡煜东 许伟杰 《化学研究与应用》 CAS CSCD 1995年第1期51-56,共6页
本文将自组织神经树应用于金属间化合物三元填隙D88结构形成条件的判别上,对65种化合物的研究结果表明,神经树方法性能良好,可能成为化合物结构分析的有效辅助手段。
关键词 金属间化合物 D88结构 神经网络 神经树模型
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多层结构的X射线双晶衍射研究
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作者 武蕴忠 许学敏 +1 位作者 王渭源 滕琴 《应用科学学报》 CAS CSCD 1995年第3期347-351,共5页
用X射线双晶衍射术研究了玻璃薄层-铂膜-α-Al_2O_3多层结构。发现不同材料的玻璃层,使多层结构因热失配对铂膜产生不同的应力。对铂薄膜电阻器件的测量结果表明:应力引起器件的电阻值变化;不同的应力状态,产生不同方向... 用X射线双晶衍射术研究了玻璃薄层-铂膜-α-Al_2O_3多层结构。发现不同材料的玻璃层,使多层结构因热失配对铂膜产生不同的应力。对铂薄膜电阻器件的测量结果表明:应力引起器件的电阻值变化;不同的应力状态,产生不同方向的附加电阻。选择适当材料的玻璃层,使热失配在铂膜内产生相反的应力,从而造成相反的附加电阻。以这种应力补偿方法提高了薄膜铂电阻的可靠性。 展开更多
关键词 X射线双晶衍射 多层结构 薄膜 玻璃 铂膜 陶瓷
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掺铁InP肖特基势垒增强InGaAs MSM光电探测器 被引量:5
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作者 张永刚 单宏坤 +2 位作者 周平 富小妹 潘慧珍 《光子学报》 EI CAS CSCD 1995年第3期223-225,共3页
采用LP-MOVPE方法及常规器件工艺制成了InP:Fe肖特基势垒增强InGaAsMSM光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试,测试结果表明,器件的击穿电压大于10V,2V偏压下暗电流为170nA,对... 采用LP-MOVPE方法及常规器件工艺制成了InP:Fe肖特基势垒增强InGaAsMSM光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试,测试结果表明,器件的击穿电压大于10V,2V偏压下暗电流为170nA,对应的暗电流密度约为3mA/cm2;瞬态响应中上升时间tr为21ps,半高宽FWHM为75ps。 展开更多
关键词 光电探测器 光电集成 金属有机物 肖特基势垒
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计算熔盐相图的键参数-人工神经网络方法 被引量:2
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作者 王学业 姚树 +3 位作者 文钦佩 李重河 康德山 陈念贻 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1996年第3期326-328,共3页
计算熔盐相图的键参数-人工神经网络方法王学业姚树文钦佩李重河康德山陈念贻*(中国科学院上海治金研究所,上海200050)关键词:熔盐相图人工神经网络键参数计算原理及方法熔盐系相图中间化合物的形成,化学配比和晶型等其他... 计算熔盐相图的键参数-人工神经网络方法王学业姚树文钦佩李重河康德山陈念贻*(中国科学院上海治金研究所,上海200050)关键词:熔盐相图人工神经网络键参数计算原理及方法熔盐系相图中间化合物的形成,化学配比和晶型等其他性质取决于多个化学键参数的综合影响... 展开更多
关键词 熔盐 相图 神经网络 键参数 三元熔盐
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聚酰亚胺(PI)薄膜电容型湿度传感器的研制 被引量:5
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作者 骆如枋 陆玉萍 +4 位作者 边伟勇 朱庆杨 陈羽男 李晓红 张建安 《应用科学学报》 CAS CSCD 1993年第1期86-90,共5页
高分子薄膜湿度传感器是当今可实用的性能较优越的一类湿度传感器.一般所用的感湿材料,以醋酸纤维系为主(CA,CAB).聚酰亚胺(PI)于六十年代开始用作电器绝缘材料,七十年代用于微电子器件的表面钝化和PMP技术的多层布线,八十年代起替代Si... 高分子薄膜湿度传感器是当今可实用的性能较优越的一类湿度传感器.一般所用的感湿材料,以醋酸纤维系为主(CA,CAB).聚酰亚胺(PI)于六十年代开始用作电器绝缘材料,七十年代用于微电子器件的表面钝化和PMP技术的多层布线,八十年代起替代SiO_2作电子器件绝缘介质.1982年后应用于湿度传感器作为感湿材料.与醋酸纤维系材料相比,PI具有以下特点: 展开更多
关键词 湿度传感器 薄膜 聚酰亚胺
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考虑相关能效应的过渡态计算方法
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作者 贺黎明 倪敏 +1 位作者 金乾元 刘洪霖 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第9期1253-1256,共4页
提出了一种在X_a方法基础上,同时包含电子相关效应和考虑电子自相互作用的过渡态计算方法.由此计算的一系列原子电离势的结果表明,相关能对电离势的计算结果有很大影响,其数值为—0.41eV~0.94eV.引入相关能效应使计算结果明显趋于合理... 提出了一种在X_a方法基础上,同时包含电子相关效应和考虑电子自相互作用的过渡态计算方法.由此计算的一系列原子电离势的结果表明,相关能对电离势的计算结果有很大影响,其数值为—0.41eV~0.94eV.引入相关能效应使计算结果明显趋于合理.此计算模型兼有简便和合理的特点,且能适用于分子体系的计算. 展开更多
关键词 相关能 自相互作用 过渡态 电离势
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分布反馈激光器、调制器及其单片集成
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作者 陈建新 邬祥生 《光通信研究》 1993年第1期14-21,共8页
本文评述了国内外分布反馈激光器、半导体光波导调制器及其单片集成器件的研究现状、发展趋势和应用情况。
关键词 反馈激光器 调制器 单片集成
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