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GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的特性研究
被引量：
3
1
作者
黄醒良
方晓明
+4 位作者
陆卫
沈学础
李言谨
袁诗鑫
周小川
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第4期301-308,共8页
测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)...
测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)拟合给出器件的光电流谱的峰值波长λ_P和半峰宽λ_w。
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关键词
多量子阱
红外探测器
拟合
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职称材料
题名
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的特性研究
被引量：
3
1
作者
黄醒良
方晓明
陆卫
沈学础
李言谨
袁诗鑫
周小川
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家室验室
中国科学院
上海技术物理研究所
中国科学院
表面
物理
国家
实
验
室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第4期301-308,共8页
文摘
测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)拟合给出器件的光电流谱的峰值波长λ_P和半峰宽λ_w。
关键词
多量子阱
红外探测器
拟合
Keywords
multiple quantum wells, infrared detector, detector characteristics, lineshape fitting.
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的特性研究
黄醒良
方晓明
陆卫
沈学础
李言谨
袁诗鑫
周小川
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
3
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