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碲镉汞PIN结构雪崩器件的I区材料晶体质量研究
1
作者 沈川 张竞 +5 位作者 杨辽 郭慧君 谢浩 周梅华 陈路 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期174-178,共5页
本文对中波红外PIN结构的碲镉汞(HgCdTe)雪崩器件关键雪崩区域的材料晶体质量进行研究。通过在实验材料上对PIN结构雪崩器件的全过程工艺模拟,采用微分霍尔、微分少子寿命等测试手段进行材料表征,评估获得了关键雪崩区域的真实材料晶体... 本文对中波红外PIN结构的碲镉汞(HgCdTe)雪崩器件关键雪崩区域的材料晶体质量进行研究。通过在实验材料上对PIN结构雪崩器件的全过程工艺模拟,采用微分霍尔、微分少子寿命等测试手段进行材料表征,评估获得了关键雪崩区域的真实材料晶体质量。研究发现,现有优化工艺下雪崩区域的晶体质量良好,拟合材料的SRH寿命最好能达到20.7μs,可达到原生材料SRH寿命的相当水平,满足高质量中波碲镉汞雪崩器件的研制要求。同时,我们以获得的雪崩区域SRH寿命为基础,对HgCdTe APD结构器件进行相应2维数值模拟,获得理论最优的暗电流密度8.7×10^(-10) A/cm^(2)。 展开更多
关键词 碲镉汞 雪崩器件 少子寿命 暗电流
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超长线列双波段红外焦平面探测器杜瓦封装技术研究 被引量：11
2
作者 李俊 王小坤 +6 位作者 孙闻 林加木 曾智江 沈一璋 范广宇 丁瑞军 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第11期165-171,共7页
针对拼接型短/中波的超长线列焦平面探测器与直线脉管集成耦合的要求,分析了超长线列焦平面杜瓦封装的难点。通过对超长冷平台的温度均匀性、超长冷平台支撑结构、大体积组件杜瓦低热负载、超长线列杜瓦真空寿命等封装技术进行研究,提... 针对拼接型短/中波的超长线列焦平面探测器与直线脉管集成耦合的要求,分析了超长线列焦平面杜瓦封装的难点。通过对超长冷平台的温度均匀性、超长冷平台支撑结构、大体积组件杜瓦低热负载、超长线列杜瓦真空寿命等封装技术进行研究,提出了多点"S"型冷链结合导热层的三维热输出方法,设计了"桥式"两基板的超长冷平台支撑结构,解决了超长冷平台高温度均匀性、集成探测器后低应力及焦深控制、超长线列探测器杜瓦组件的环境适应性、低热负载和长真空寿命等关键技术,成功研制超长线列双波段焦平面探测器制冷组件,并通过一系列空间环境适应性试验验证,试验前后组件性能未发生明显变化,满足工程化应用的要求。 展开更多
关键词 超长线列红外探测器 双波段 杜瓦封装
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利用迁移率谱技术研究p型碲镉汞材料 被引量：2
3
作者 张可锋 林铁 +5 位作者 王妮丽 王仍 焦翠灵 林杏潮 张莉萍 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期301-304,共4页
窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于p材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μe/μh≈102),更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法准确有效地给出p型材料的电学... 窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于p材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μe/μh≈102),更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法准确有效地给出p型材料的电学参数.通过变温变磁场的霍尔测试对p型HgCdTe材料的磁输运特性进行了测试,结合迁移率谱技术确定了材料中各种载流子的迁移率,并给出了它们对电导的相对贡献,以及自然氧化对样品中各种载流子的影响. 展开更多
关键词 碲镉汞 磁输运 迁移率谱 自然氧化
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红外光热吸收成像技术在碲锌镉材料检测中的应用 被引量：4
4
作者 徐超 孙士文 +2 位作者 杨建荣 董敬涛 赵建华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期325-330,共6页
红外光热吸收效应作为一种无损伤非接触的检测技术已经被广泛用于硅等半导体材料中的微缺陷表征分析.采用光热吸收技术对碲锌镉晶体中的缺陷进行扫描成像分析时发现了一种连续性的光貌相条纹并对这些条纹的形成机理进行了研究.研究表明... 红外光热吸收效应作为一种无损伤非接触的检测技术已经被广泛用于硅等半导体材料中的微缺陷表征分析.采用光热吸收技术对碲锌镉晶体中的缺陷进行扫描成像分析时发现了一种连续性的光貌相条纹并对这些条纹的形成机理进行了研究.研究表明碲锌镉晶体中的这种连续性条纹源自于光热测试系统中入射光的干涉这种干涉和入射光参数、测试样品的厚度、禁带宽度以及热导率等材料特性密切相关.最后实验通过优化红外光热吸收测量系统获得了碲锌镉材料中的微缺陷结构及其在样品深度方向的三维分布图像. 展开更多
关键词 红外 光热吸收 碲锌镉
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Hg_(1-x)Cd_xTe梯度带隙薄膜材料生长及红外透射光谱研究 被引量：1
5
作者 焦翠灵 王仍 +4 位作者 张莉萍 林杏潮 邵秀华 杜云辰 陆液 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期6-9,共4页
利用气相外延法生长了Hg1-xCdxTe梯度带隙薄膜材料,通过小光点红外透射光谱测试,研究了材料的横向组分波动.利用多层模型和膜系传递矩阵对该薄膜材料的红外透射光谱和气相外延薄膜材料的纵向组分分布进行计算,计算结果与实验吻合,材料... 利用气相外延法生长了Hg1-xCdxTe梯度带隙薄膜材料,通过小光点红外透射光谱测试,研究了材料的横向组分波动.利用多层模型和膜系传递矩阵对该薄膜材料的红外透射光谱和气相外延薄膜材料的纵向组分分布进行计算,计算结果与实验吻合,材料纵向组分分布与通过能谱测量的样品截面组分变化趋势一致.用光伏器件的制作工艺,选取气相外延生长的Au掺杂中波材料,制备了10元线列器件,测试结果表明器件性能较好,95K黑体D*λP可达4.20×1011(cm·Hz1/2·W-1). 展开更多
关键词 碲镉汞 梯度带隙 雪崩光电二极管 红外透射光谱 气相外延薄膜
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长波碲镉汞红外探测器低光通量下的性能研究
6
作者 魏佳欣 林春 +3 位作者 王溪 林加木 周松敏 李珣 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1579-1585,共7页
为了评价n-on-p长波碲镉汞红外焦平面探测器在低光通量下的性能参数,搭建了低光通量测试平台。首先,介绍了低光通量测试平台相关情况,并对器件的暗电流测试结果进行了分析。然后,在低光通量测试平台上对长波碲镉汞红外探测器在低光通量... 为了评价n-on-p长波碲镉汞红外焦平面探测器在低光通量下的性能参数,搭建了低光通量测试平台。首先,介绍了低光通量测试平台相关情况,并对器件的暗电流测试结果进行了分析。然后,在低光通量测试平台上对长波碲镉汞红外探测器在低光通量下的黑体响应性能。最后,对比分析不同光通量下性能参数如响应率、波段探测率性能参数的变化,并给出了器件工作温度改变对器件性能影响的结果。测试结果表明,对于10.8μm@50K的碲镉汞焦平面探测器,在器件工作温度50K,光通量密度为5.8×10^(14)ph·s^(-1)·cm^(-2)条件下,器件波段探测率达到峰值1.5×10^(12)cm·Hz^(1/2)·W^(-1),此时探测率不再随积分时间的增加而提高。实验计算结果及相关参数可为探测器应用提供参考。 展开更多
关键词 长波 碲镉汞 n-on-p 低光通量
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蒸发因素对高密度焦平面铟凸点制备影响研究
7
作者 宝鹏飞 朱宪亮 +4 位作者 于春蕾 杨波 邵秀梅 李雪 刘大福 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第1期137-145,共9页
高一致性、高深宽比凸点制备是高密度红外焦平面制造的关键技术之一。以10μm间距铟凸点阵列为研究对象,通过提取铟凸点高度、顶部直径、生长速率纵横比和铟膜粗糙度等参数,结合薄膜形核生长理论,深入分析热蒸发过程中关键因素对铟凸点... 高一致性、高深宽比凸点制备是高密度红外焦平面制造的关键技术之一。以10μm间距铟凸点阵列为研究对象,通过提取铟凸点高度、顶部直径、生长速率纵横比和铟膜粗糙度等参数,结合薄膜形核生长理论,深入分析热蒸发过程中关键因素对铟凸点生长的影响,为更小间距铟凸点制备提供理论与技术参考。实验结果表明,沉积速率和基底温度对铟凸点生长的影响具有两面性:一方面,高沉积速率和低基底温度会细化铟膜晶粒,有利于沉积高均匀性铟凸点阵列。基底温度下降了45 K,铟凸点高度非均匀性从15.4%降低到6.6%,铟凸点顶部直径范围差下降了0.9μm。沉积速率增加了21A/s后,铟凸点高度非均匀性从11.8%降低到6.6%,铟凸点顶部直径范围差下降了0.4μm。另一方面,高沉积速率下的动理学粗糙化影响比重增加,铟薄膜粗糙度随沉积速率变化趋缓。同时高沉积速率和低基底温度下的光刻孔缘铟向四周扩散的能力减弱,继续降温后铟层横向生长速率从3.4?/s升至4.1?/s,光刻孔加速闭合不利于高密度、高深宽比、高均匀性铟凸点的生长制备。 展开更多
关键词 红外焦平面 铟凸点 热蒸发 基底温度 沉积速率
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Kovar与Mo钎焊接头的微观组织与力学性能研究
8
作者 赵彤 孙权 +3 位作者 莫德锋 刘大福 李雪 龚海梅 《热加工工艺》 北大核心 2025年第7期24-29,共6页
采用AgCuInTi钎料分别在750℃和800℃下对Mo与Kovar合金进行了真空钎焊,借助扫描电镜和剪切试验对接头微观组织和力学性能进行了表征与分析,并进一步探究了AgCuInTi钎料的活性连接反应机理。结果表明,在钎焊过程中Ni原子向钎料中溶解扩... 采用AgCuInTi钎料分别在750℃和800℃下对Mo与Kovar合金进行了真空钎焊,借助扫描电镜和剪切试验对接头微观组织和力学性能进行了表征与分析,并进一步探究了AgCuInTi钎料的活性连接反应机理。结果表明,在钎焊过程中Ni原子向钎料中溶解扩散的数量远高于Fe、Co原子,与Ti原子生成Ni_(3)Ti金属间化合物分布在钎焊接头中,且随着钎焊温度的升高,Kovar合金中Ni原子溶解得越多,导致接头中的Ni_(3)Ti脆性相增多,接头的剪切强度下降。在750℃钎焊温度下保温10min,钎焊接头剪切强度可达189MPa。 展开更多
关键词 Kovar合金 钼 真空钎焊 微观组织 力学性能
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航天先进红外探测器组件技术及应用 被引量：29
9
作者 龚海梅 邵秀梅 +7 位作者 李向阳 李言谨 张永刚 张燕 刘大福 王小坤 李雪 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第12期3129-3140,共12页
随着航天遥感应用对探测目标的波段特性、空间分辨率、辐射分辨率、时间分辨率以及可靠性等要求的不断提高,作为航天遥感仪器核心部件的光电探测器,需要向扩展波长范围、提高光电性能、改善光谱形状、减小光敏元尺寸、增加器件规模、提... 随着航天遥感应用对探测目标的波段特性、空间分辨率、辐射分辨率、时间分辨率以及可靠性等要求的不断提高,作为航天遥感仪器核心部件的光电探测器,需要向扩展波长范围、提高光电性能、改善光谱形状、减小光敏元尺寸、增加器件规模、提高寿命和可靠性等方向发展。文中从空间多光谱红外探测器、光谱定量化、红外焦平面探测器可靠性封装、新型短波红外探测器等4个方面,介绍了中国近年来研制的一系列航天先进红外探测器组件所涉及的基础研究工作及其在气象卫星等航天应用的进展。 展开更多
关键词 红外探测器 HGCDTE INGAAS 航天应用
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InAs/GaAsSb带间级联中波红外焦平面研究 被引量：10
10
作者 周易 柴旭良 +9 位作者 田源 徐志成 黄敏 许佳佳 黄爱波 白治中 陈红雷 丁瑞军 陈建新 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期745-750,共6页
针对高工作温度红外探测器的迫切需求,设计并利用分子束外延技术制备了高晶格质量的2级带间级联中波红外探测材料,带间级联单元器件在最高323 K下可以测试到清晰的响应光谱,140 K下暗电流密度达到4×10^-5A/cm^-2.并在此基础上利用... 针对高工作温度红外探测器的迫切需求,设计并利用分子束外延技术制备了高晶格质量的2级带间级联中波红外探测材料,带间级联单元器件在最高323 K下可以测试到清晰的响应光谱,140 K下暗电流密度达到4×10^-5A/cm^-2.并在此基础上利用干法刻蚀技术实现了320×256规模的台面型带间级联红外焦平面原型器件.焦平面测试结果表明其在80-120K范围内量子效率达到30%,127 K下噪声等效温差为55.1 mK,盲元率为2.3%.采用该焦平面器件在127 K下获得了较为清晰的演示性室温目标红外热成像. 展开更多
关键词 光电探测器 红外焦平面 带间级联结构 高工作温度
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HgCdTe薄膜材料组分分布对器件响应光谱的影响 被引量：6
11
作者 崔宝双 魏彦锋 +1 位作者 孙权志 杨建荣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期225-230,共6页
研究了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布对探测器响应光谱的影响.提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的模型,模型中综合考虑了薄膜的实际组分分布以及光在器件各层结构中的相干、非相干传输.计算结果表明,在探测器的光吸收区,HgC... 研究了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布对探测器响应光谱的影响.提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的模型,模型中综合考虑了薄膜的实际组分分布以及光在器件各层结构中的相干、非相干传输.计算结果表明,在探测器的光吸收区,HgCdTe液相外延薄膜的组分梯度及其产生的内建电场可以显著地提高器件的响应率.通过与实验数据进行比较,验证了模型的适用性. 展开更多
关键词 HGCDTE红外探测器 纵向组分分布 响应光谱 光传输模型
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金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究 被引量：5
12
作者 王仍 焦翠灵 +7 位作者 徐国庆 陆液 张可峰 杜云辰 李向阳 张莉萍 邵秀华 林杏潮 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第9期3046-3050,共5页
采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过高低温退火工艺有效控制p型Hg1-xCdxTe材料的电学参数,利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺,利用金掺杂材料初步研制了... 采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过高低温退火工艺有效控制p型Hg1-xCdxTe材料的电学参数,利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺,利用金掺杂材料初步研制了短波器件,器件性能较好黑体DλP*可达4.67E+11/(cmHz1/2W-1)。 展开更多
关键词 气相外延 Hg1-xCdxTe晶体 拉曼光谱
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冷屏对红外探测器组件降温影响研究 被引量：4
13
作者 孙闻 夏晨希 +1 位作者 李俊 王小坤 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1286-1289,共4页
冷屏是制冷型红外探测器组件的重要组成部分并伴随探测器一起降温,所以不同技术状态冷屏对红外探测器组件降温会有影响。本文针对320×256 30μm规模红外探测器用F2冷屏,通过对不同技术状态冷屏在相同冷平台下的降温实验,研究对应... 冷屏是制冷型红外探测器组件的重要组成部分并伴随探测器一起降温,所以不同技术状态冷屏对红外探测器组件降温会有影响。本文针对320×256 30μm规模红外探测器用F2冷屏,通过对不同技术状态冷屏在相同冷平台下的降温实验,研究对应技术状态冷屏对降温过程的影响情况,并获得了各冷屏技术状态对应的影响量。本文结果对优化冷屏热学设计有一定借鉴意义。 展开更多
关键词 红外探测器 冷屏 制冷
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中波PIN结构碲镉汞雪崩器件变温特性的数值模拟研究 被引量：3
14
作者 沈川 杨辽 +3 位作者 郭慧君 杨丹 陈路 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期576-581,共6页
本文对中波HgCdTeAPD进行二维数值模拟,通过与实验结果的对比获得80K下PIN结构的APD器件参数。对不同工作温度下的APD器件暗电流机制进行了研究,发现在高工作温度下,影响暗电流的主要是SRH(小偏压)和雪崩机制(大偏压)。对在高工作温度... 本文对中波HgCdTeAPD进行二维数值模拟,通过与实验结果的对比获得80K下PIN结构的APD器件参数。对不同工作温度下的APD器件暗电流机制进行了研究,发现在高工作温度下,影响暗电流的主要是SRH(小偏压)和雪崩机制(大偏压)。对在高工作温度情况下各层参数的变化引起器件性能的变化进行了研究,对不同层厚度、掺杂浓度对器件性能的影响进行了相应理论计算,并对计算结果进行相应的对比研究,获得了理论上最优化的HgCdTeAPD高温器件结构,为后续高工作温度的APD器件的研发提供重要参考。 展开更多
关键词 HGCDTE APD结构 数值模拟 高工作温度
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延伸波长InGaAs红外探测器的实时γ辐照研究 被引量：2
15
作者 李淘 乔辉 +3 位作者 李永富 唐恒敬 李雪 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期511-514,共4页
通过实时测试方法,研究了延伸波长InGaAs红外探测器在55×104rad的γ辐照下的电流-电压特性变化,发现器件的暗电流没有明显变化,零偏电阻稍有变化,但变化的幅度很小。在辐照前后对器件的性能进行了测试,发现在辐照后器件的信号稍有... 通过实时测试方法,研究了延伸波长InGaAs红外探测器在55×104rad的γ辐照下的电流-电压特性变化,发现器件的暗电流没有明显变化,零偏电阻稍有变化,但变化的幅度很小。在辐照前后对器件的性能进行了测试,发现在辐照后器件的信号稍有下降,噪声基本不变,说明在受到辐照后器件的探测性能略有下降。对器件在辐照前后的低频噪声进行了测试,发现整个低频区的噪声都没有明显的改变。这些结论表明γ辐照对延伸波长InGaAs器件的影响较小。 展开更多
关键词 红外探测器 INGAAS Γ辐照
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可见/近红外超光谱碲镉汞焦平面研究 被引量：1
16
作者 张姗 沈益铭 +7 位作者 刘丹 钟艳红 魏彦锋 廖清君 陈洪雷 林春 丁瑞军 何力 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期429-434,共6页
为了满足可见-近红外波段的高光谱分辨率和高灵敏观测需求,采用大面阵、低噪声碲镉汞焦平面制备技术和低损伤衬底去除技术,成功制备了高信噪比大面阵可见/近红外碲镉汞焦平面探测器。无损衬底去除技术采用机械抛光和化学腐蚀相结合的方... 为了满足可见-近红外波段的高光谱分辨率和高灵敏观测需求,采用大面阵、低噪声碲镉汞焦平面制备技术和低损伤衬底去除技术,成功制备了高信噪比大面阵可见/近红外碲镉汞焦平面探测器。无损衬底去除技术采用机械抛光和化学腐蚀相结合的方法,使焦平面的响应波段拓展至400 nm～2 600 nm。采用信号定量化焦平面测试评价手段对可见/近红外碲镉汞焦平面的性能进行评估,640×512 25μm中心距碲镉汞焦平面的波段量子效率可达到88.4%,信噪比达到287,有效像元率大于98%,能够获得清晰的可见和近红外波段图像。 展开更多
关键词 超光谱探测 可见/近红外成像 碲镉汞 衬底去除 量子效率
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紫外焦平面阵列器件调制传递函数测试技术 被引量：1
17
作者 王洪超 王继强 +4 位作者 吴斌 李京松 刘红元 赵发财 应承平 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期204-212,共9页
针对紫外焦平面阵列器件调制传递函数的测试需求,基于刀口扫描法,搭建了一套调制传递函数测试系统。采用SW-Cassegrain同心反射系统方案实现刀口在探测器表面清晰成像,经测试,在0~100 lp/mm范围内可以达到衍射极限。利用该系统对紫外焦... 针对紫外焦平面阵列器件调制传递函数的测试需求,基于刀口扫描法,搭建了一套调制传递函数测试系统。采用SW-Cassegrain同心反射系统方案实现刀口在探测器表面清晰成像,经测试,在0~100 lp/mm范围内可以达到衍射极限。利用该系统对紫外焦平面阵列器件进行了实际测试,测试过程中采用调制传递函数曲线下面积值最大的原则实现刀口像的自动调焦,采用三项费米函数的拟合模型对边缘扩散函数数据进行拟合,提高了拟合精度。实验结果表明在器件奈奎斯特频率处的调制传递函数值为0.601,接近器件的理论极限值,同时在奈奎斯特频率范围内,调制传递函数测量值的相对标准偏差最大为1.8%,获得了很好的测量重复性。不确定度分析结果表明,该装置对紫外焦平面阵列器件调制传递函数测试的测量不确定度为6.2%,能够很好地满足实际应用需求。 展开更多
关键词 探测器 调制传递函数 刀口扫描法 紫外焦平面 刀口成像光学系统
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量子阱红外探测器峰值探测波长的精确设计与实验验证(英文)
18
作者 金巨鹏 刘丹 +1 位作者 陈建新 林春 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期481-485,496,共6页
采用单能带电子有效质量近似(EMA)和波包函数近似(EFA)模型,考虑了能带非抛物线性等高阶因素,并利用投试法求解薛定谔方程,计算了准确设计峰值探测波长的GaAs/AlGaAs量子阱探测器结构参数.基于计算结果,用分子束外延(MBE)方法生长了设... 采用单能带电子有效质量近似(EMA)和波包函数近似(EFA)模型,考虑了能带非抛物线性等高阶因素,并利用投试法求解薛定谔方程,计算了准确设计峰值探测波长的GaAs/AlGaAs量子阱探测器结构参数.基于计算结果,用分子束外延(MBE)方法生长了设计峰值波长为8μm的GaAs/AlGaAs多量子阱材料,进而制备了单元器件,并测试了I-V曲线、光谱响应和探测率.I-V曲线的良好对称性显示了材料生长与器件制备工艺的质量,光谱响应曲线表明器件实际的峰值探测波长为7.96～7.98μm,与设计预期值吻合. 展开更多
关键词 量子阱红外探测器 GAAS ALGAAS 峰值波长 光谱响应 能带非抛物线性
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微重力条件下红外材料的空间生长
19
作者 焦翠灵 王仍 +1 位作者 陆液 李向阳 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期530-538,共9页
根据近年红外材料在空间生长的研究概况,分析了涵盖熔体、气相、液相外延和分子束外延等生长方法及各个方法生长红外材料的基本原理,在地面生长遇到的问题,以及在空间微重力环境中进行红外材料生长的优势.同时基于中国利用熔体法在天宫... 根据近年红外材料在空间生长的研究概况,分析了涵盖熔体、气相、液相外延和分子束外延等生长方法及各个方法生长红外材料的基本原理,在地面生长遇到的问题,以及在空间微重力环境中进行红外材料生长的优势.同时基于中国利用熔体法在天宫二号上已经进行的ZnTe:Cu晶体的空间生长科学实验及地基实验结果,通过对空间和地面实验结果进行对比,提出了在超高真空环境下,利用分子束外延方式生长高性能、大尺寸红外材料的可能性,以及未来在空间微重力条件下进行红外材料生长的研究方向及具体应用. 展开更多
关键词 微重力 红外材料 空间生长
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通过成结模拟器研究n^(+)-n^(-)-p碲镉汞高温探测器
20
作者 林加木 周松敏 +3 位作者 王溪 甘志凯 林春 丁瑞军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期23-28,共6页
第三代红外探测器发展的一个重要方向是高工作温度探测器。对于碲镉汞n-on-p探测器而言,n^(+)-n^(-)-p结构以及良好的钝化工艺能够有效的抑制暗电流的产生,从而在高工作温度条件下获得较好的探测器性能。基于自行开发的成结模拟器,对n^(... 第三代红外探测器发展的一个重要方向是高工作温度探测器。对于碲镉汞n-on-p探测器而言,n^(+)-n^(-)-p结构以及良好的钝化工艺能够有效的抑制暗电流的产生,从而在高工作温度条件下获得较好的探测器性能。基于自行开发的成结模拟器,对n^(+)-n^(-)-p结构地高温器件进行了工艺仿真和器件仿真,获得成结过程的制备参数,并结合抑制表面漏电的组分梯度钝化工艺,将高工作温度下的暗电流抑制至理论极限,研制出可以在更高温度工作下的碲镉汞n-on-p红外焦平面探测器。经测试,中波n-on-p红外焦平面器件在不同工作温度下性能优异,在80 K工作温度下噪声等效温差(NETD)达到了6.1 mK,有效像元率为99.96%;而在150 K工作温度下噪声等效温差(NETD)为11.0 mK,有效像元率为99.50%,达到了同类器件的理论极限。 展开更多
关键词 碲镉汞 n^(+)-n^(-)-p 高工作温度 红外焦平面
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