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InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展
被引量：
17
1
作者
龚海梅
张可锋
+5 位作者
唐恒敬
李雪
张永刚
缪国庆
宋航
方家熊
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2009年第1期14-18,共5页
研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-...
研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合。焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装。介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础。
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关键词
短波近红外
INGAAS
焦平面组件
读出电路
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职称材料
采用不同材料坩埚对碲锌镉晶体质量的影响
被引量：
6
2
作者
孙士文
刘从峰
+1 位作者
方维政
杨建荣
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第B09期924-927,共4页
文中采用热解氮化硼（pBN）坩埚生长Cd0．96Zn0．04Te单晶体，并与采用内壁涂碳的石英坩埚生长的晶体进行了对比分析。本文获得的晶体尺寸为φ45mm×110mm，（111）衬底晶片面积最大可达40mm×30mm，测试分析结果显示：Everson...
文中采用热解氮化硼（pBN）坩埚生长Cd0．96Zn0．04Te单晶体，并与采用内壁涂碳的石英坩埚生长的晶体进行了对比分析。本文获得的晶体尺寸为φ45mm×110mm，（111）衬底晶片面积最大可达40mm×30mm，测试分析结果显示：Everson腐蚀坑密度小于2×10^4cm^-2，且分布均匀，无网络状分布结构，与石英熏碳坩埚相比，结构质量有了明显提高；第二相夹杂物尺寸小于2μm，密度为0～1×10^3cm^-3；（111）B晶片的X—ray反射貌相图显示，晶体的结构均匀，完整性较好。上述晶体质量评价指标均优于采用石英熏碳坩埚生长获得的晶体，而且更为重要的是，上述各项指标在同一晶锭的各晶片上基本重复，这说明了单晶具有良好的均匀性，有利于生长均匀的碲镉汞外延层。
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关键词
碲锌镉
晶体生长
氮化硼坩埚
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职称材料
短波红外焦平面弱信号读出的高帧频模拟链路设计
被引量：
2
3
作者
王攀
丁瑞军
叶振华
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2014年第5期1370-1374,共5页
针对短波红外焦平面阵列探测器弱信号耦合、高帧频输出和噪声抑制的要求,文中设计了512×256面阵探测器读出电路(ROIC)的高帧频模拟信号链路结构。完整的模拟信号链包含运放积分型(CTIA)单元输入级、相关双采样、电荷放大器和互补...
针对短波红外焦平面阵列探测器弱信号耦合、高帧频输出和噪声抑制的要求,文中设计了512×256面阵探测器读出电路(ROIC)的高帧频模拟信号链路结构。完整的模拟信号链包含运放积分型(CTIA)单元输入级、相关双采样、电荷放大器和互补型输出级。在低温模型基础上,进行了前仿真和提取版图寄生参数的后仿真。仿真得到输出动态范围为2.8V,8路输出的工作帧频高于250Hz。基于CSMC-6S05DPTM0.5μm工艺完成流片,读出电路ROIC芯片的测试结果与仿真结果基本一致,为短波红外焦平面探测器弱信号读出提供了有效的设计选择。
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关键词
短波红外焦平面
CTIA输入级
相关双采样
电荷放大器
补型输出级
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职称材料
题名
InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展
被引量：
17
1
作者
龚海梅
张可锋
唐恒敬
李雪
张永刚
缪国庆
宋航
方家熊
机构
中国科学院
上海技术物理研究所
传感
技术
联合国家重点
实验室
中国科学院
上海技术物理研究所
红外
成像
材料与
器件
国防科技
创新
实验室
中国科学院
上海
微系统与信息
技术
研究所
信息功能
材料
国家重点
实验室
中国科学院
长春光学精密机械与
物理
研究所
激发态
物理
重点
实验室
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2009年第1期14-18,共5页
基金
国家自然科学基金重点项目(50632060)
文摘
研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合。焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装。介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础。
关键词
短波近红外
INGAAS
焦平面组件
读出电路
Keywords
Short-wavelength near IR
InGaAs
FPA modules
ROICs
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
采用不同材料坩埚对碲锌镉晶体质量的影响
被引量：
6
2
作者
孙士文
刘从峰
方维政
杨建荣
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外材料与器件国防科技创新实验室
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第B09期924-927,共4页
基金
国家自然科学基金(No.60606026)
文摘
文中采用热解氮化硼（pBN）坩埚生长Cd0．96Zn0．04Te单晶体，并与采用内壁涂碳的石英坩埚生长的晶体进行了对比分析。本文获得的晶体尺寸为φ45mm×110mm，（111）衬底晶片面积最大可达40mm×30mm，测试分析结果显示：Everson腐蚀坑密度小于2×10^4cm^-2，且分布均匀，无网络状分布结构，与石英熏碳坩埚相比，结构质量有了明显提高；第二相夹杂物尺寸小于2μm，密度为0～1×10^3cm^-3；（111）B晶片的X—ray反射貌相图显示，晶体的结构均匀，完整性较好。上述晶体质量评价指标均优于采用石英熏碳坩埚生长获得的晶体，而且更为重要的是，上述各项指标在同一晶锭的各晶片上基本重复，这说明了单晶具有良好的均匀性，有利于生长均匀的碲镉汞外延层。
关键词
碲锌镉
晶体生长
氮化硼坩埚
Keywords
CdZnTe
crystal growth
pyrolytic boron nitride crucible
分类号
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
短波红外焦平面弱信号读出的高帧频模拟链路设计
被引量：
2
3
作者
王攀
丁瑞军
叶振华
机构
中国科学院
上海技术物理研究所
红外
成像
材料与
器件
国防科技
创新
实验室
中国科学院
大学
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2014年第5期1370-1374,共5页
基金
国家自然科学基金(10990104)
文摘
针对短波红外焦平面阵列探测器弱信号耦合、高帧频输出和噪声抑制的要求,文中设计了512×256面阵探测器读出电路(ROIC)的高帧频模拟信号链路结构。完整的模拟信号链包含运放积分型(CTIA)单元输入级、相关双采样、电荷放大器和互补型输出级。在低温模型基础上,进行了前仿真和提取版图寄生参数的后仿真。仿真得到输出动态范围为2.8V,8路输出的工作帧频高于250Hz。基于CSMC-6S05DPTM0.5μm工艺完成流片,读出电路ROIC芯片的测试结果与仿真结果基本一致,为短波红外焦平面探测器弱信号读出提供了有效的设计选择。
关键词
短波红外焦平面
CTIA输入级
相关双采样
电荷放大器
补型输出级
Keywords
SW IRFPAs
CTIA input stage
CDS
amplifier of charge
complementary output stage
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展
龚海梅
张可锋
唐恒敬
李雪
张永刚
缪国庆
宋航
方家熊
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2009
17
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
采用不同材料坩埚对碲锌镉晶体质量的影响
孙士文
刘从峰
方维政
杨建荣
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2007
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
短波红外焦平面弱信号读出的高帧频模拟链路设计
王攀
丁瑞军
叶振华
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2014
2
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职称材料
已选择
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