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溅射法制备n型碲化镉薄膜的光电化学特性研究
1
作者
曹萌
虞斌
+7 位作者
张翔
许成刚
张珊
孙丽颖
谭小宏
姜昱丞
豆家伟
王林军
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期659-667,共9页
采用溅射法制备了n型碲化镉薄膜。研究了不同沉积时间制备的n型碲化镉薄膜的形貌、结构和光学性质,以及薄膜厚度和退火工艺对n型碲化镉薄膜光电化学特性的影响。实验结果表明,溅射时间为25 min的碲化镉薄膜具有较好的PEC性能。退火工艺...
采用溅射法制备了n型碲化镉薄膜。研究了不同沉积时间制备的n型碲化镉薄膜的形貌、结构和光学性质,以及薄膜厚度和退火工艺对n型碲化镉薄膜光电化学特性的影响。实验结果表明,溅射时间为25 min的碲化镉薄膜具有较好的PEC性能。退火工艺可以提高沉积的n型碲化镉薄膜的光电化学性能。当用饱和氯化镉溶液涂覆碲化镉薄膜并在真空中400℃退火时,n型碲化镉薄膜的光电化学性能最佳,光电流达到301μA/cm^(2)。
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关键词
碲化镉
溅射
光电化学
退火
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职称材料
题名
溅射法制备n型碲化镉薄膜的光电化学特性研究
1
作者
曹萌
虞斌
张翔
许成刚
张珊
孙丽颖
谭小宏
姜昱丞
豆家伟
王林军
机构
中广核工程有限公司核电安全监控
技术
与装备国家重点
实验室
上海
大学
材料
科学
与工程
学院
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料和探测器实验室
杨浦区市东医院重症监护科室
苏州科技大学
物理
科学
与
技术
学院
上海
大学(浙江)高端装备基础件
材料
研究
院
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期659-667,共9页
基金
Supported by Open Topic of the State Key Laboratory of Nuclear Power Safety Monitoring Technology and Equipment(K-A 2019.418)
Open Topic of Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Devices(IIMDKFJJ-20-01)。
文摘
采用溅射法制备了n型碲化镉薄膜。研究了不同沉积时间制备的n型碲化镉薄膜的形貌、结构和光学性质,以及薄膜厚度和退火工艺对n型碲化镉薄膜光电化学特性的影响。实验结果表明,溅射时间为25 min的碲化镉薄膜具有较好的PEC性能。退火工艺可以提高沉积的n型碲化镉薄膜的光电化学性能。当用饱和氯化镉溶液涂覆碲化镉薄膜并在真空中400℃退火时,n型碲化镉薄膜的光电化学性能最佳,光电流达到301μA/cm^(2)。
关键词
碲化镉
溅射
光电化学
退火
Keywords
CdTe
sputtering
photoelectrochemical
annealing
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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作者
出处
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被引量
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1
溅射法制备n型碲化镉薄膜的光电化学特性研究
曹萌
虞斌
张翔
许成刚
张珊
孙丽颖
谭小宏
姜昱丞
豆家伟
王林军
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
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