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近红外256×1元InGaAs焦平面探测器无效像元研究被引量：6: 1; 作者李雪邵秀梅 +3 位作者唐恒敬汪洋陈郁龚海梅《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期409-411,438,共4页; 采用分子束外延方法生长的PIN型InP/InGaAs/InP双异质结材料制备了正照射256×1元近红外探测器,并与128×1奇偶两路读出电路互连,制备了近红外256×1元焦平面探测器.针对近红外InGaAs焦平面探测器中的无效像元问题,通过光... 展开更多; 关键词近红外焦平面无效像元; 在线阅读下载PDF 职称材料

正照射延伸波长In_(0.8)Ga_(0.2)As红外焦平面探测器: 2; 作者邓洪海杨波 +4 位作者邵海宝王志亮黄静李雪龚海梅《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第5期49-53,共5页; 为了研究延伸波长In_(0.8)Ga_(0.2)AsPIN短波红外探测器的温度响应光电特性,采用闭管扩散的平面型器件工艺,在金属有机化学气相外延(MOCVD)外延生长的NIN型InAs0.6P0.4/In_(0.8)Ga_(0.2)As/InAs_(0.6)P_(0.4)buf./In P材料上制备了正照... 展开更多; 关键词延伸波长 INGAAS 红外焦平面变温; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同扩散掩膜方式对InGaAs平面探测器性能影响研究(英文) 被引量：1: 3; 作者王云姬唐恒敬 +4 位作者李雪邵秀梅杨波邓双燕龚海梅《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期333-336,共4页; 测量了不同扩散掩膜生长方式的截止波长为1.70μm的InGaAs平面探测器的电学性能.其中,SiNx薄膜作为扩散掩膜,分别采用等离子体化学气相沉积（PECVD）和低温诱导耦合等离子体化学气相沉积（ICPCVD）生长.探测器焊接在杜瓦里测量,结果显... 展开更多; 关键词 INGAAS 诱导耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD) 扩散掩膜暗电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

铂金丝超声键合正交试验及焊点质量评价被引量：4: 4; 作者莫德锋杨力怡 +2 位作者张晶琳吴家荣刘大福《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期39-42,115,共4页; 采用正交试验法对直径为20μm的铂金丝进行超声波键合试验，并通过三轴测量显微镜观察键合区域形貌和测量键合点根部高度．结果表明，在研究的4个参数中，键合时间、搜索高度和超声功率的影响都较大，而键合力的影响较小．通过正交试验... 展开更多; 关键词铂金丝超声波键合质量评价; 在线阅读下载PDF 职称材料

InGaAs探测器的盲元分析及P电极优化: 5; 作者邓洪海杨波 +8 位作者夏辉邵海宝王强王志亮朱友华黄静李雪邵秀梅龚海梅《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期101-106,共6页; 采用扫描电容显微镜分析了平面型PIN In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As短波红外探测器盲元产生的原因,利用半导体器件仿真工具Sentaurus TCAD对探测器中的盲元特性进行了模拟,并利用制备的Au/P-In_(0.52... 展开更多; 关键词短波红外探测器 INGAAS 盲元比接触电阻 AU; 在线阅读下载PDF 职称材料

p-i-nInP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP探测器结构优化被引量：5: 6; 作者朱敏陈俊 +2 位作者吕加兵唐恒敬李雪《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期117-121,共5页; 利用半导体仿真工具Silvaco对p-i-n InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP近红外光探测器进行优化仿真.参考实际器件对红外探测器进行建模,并将其暗电流、光谱响应仿真结果与实验结果进行拟合,保证仿真结果的有效性.以减小探测器的暗电流为目的... 展开更多; 关键词 INGAAS/INP 近红外光探测器暗电流光响应瞬态响应; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于石墨烯/铟砷量子点/砷化镓异质结新型光电探测器（英文）被引量：2: 7; 作者胡之厅甘桃 +7 位作者杜磊张家振徐煌韩赛垒徐鹤靓刘锋陈永平陈刚《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期269-274,289,共7页; 研究了一种石墨烯/铟砷量子点/砷化镓界面形成的异质结探测器的暗电流特性以及光电响应性质.虽然石墨烯具有很高的电子迁移率,但受限于较低的光子吸收率,使其在光电探测领域的应用受到了限制.而半导体量子点具有量子效率高,光吸收能力... 展开更多; 关键词石墨烯砷化镓量子点异质结构肖特基结; 在线阅读下载PDF 职称材料

含有超晶格电子势垒的In_(0.83)Ga_(0.17)As探测器暗电流仿真和验证（英文）被引量：1: 8; 作者李庆法李雪 +4 位作者唐恒敬邓双燕曹高奇邵秀梅龚海梅《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期662-666,共5页; 为了获得In_(0.83)Ga_(0.17)As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不含有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进行仿真,并开展了器件验证.结果表明,超晶格势垒可以调整器件的能带结构,改变载流子传输特性,降低SR... 展开更多; 关键词 In0.83Ga0.17As探测器超晶格电子势垒暗电流 TCAD仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名近红外256×1元InGaAs焦平面探测器无效像元研究被引量：6: 1; 作者李雪邵秀梅唐恒敬汪洋陈郁龚海梅; 机构中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料和器件重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期409-411,438,共4页; 基金国家自然科学基金重点项目(50632060); 文摘采用分子束外延方法生长的PIN型InP/InGaAs/InP双异质结材料制备了正照射256×1元近红外探测器,并与128×1奇偶两路读出电路互连,制备了近红外256×1元焦平面探测器.针对近红外InGaAs焦平面探测器中的无效像元问题,通过光学显微镜、扫描电镜和电学测试将无效像元进行分类,并分析了无效像元产生的原因.研究结果表明光敏芯片较低的零偏电阻、键压过程引入的损伤和虚焊以及钝化膜侧面覆盖较薄导致了无效像元的产生,通过光敏芯片设计结构改进和钝化膜工艺优化,消除了近红外256×1元InGaAs焦平面探测器的无效像元.; 关键词近红外焦平面无效像元; Keywords near-infrared FPAs inoperable pixel; 分类号 TN21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名正照射延伸波长In_(0.8)Ga_(0.2)As红外焦平面探测器: 2; 作者邓洪海杨波邵海宝王志亮黄静李雪龚海梅; 机构南通大学电子信息学院中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料和器件重点实验室; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第5期49-53,共5页; 基金国家自然科学基金(61505090) 南通市科技项目(GY12015010 +5 种基金 GY12016024) 2013-XCL-013) 江苏省高等学校自然科学研究重大项目(17KJA470007); 文摘为了研究延伸波长In_(0.8)Ga_(0.2)AsPIN短波红外探测器的温度响应光电特性,采用闭管扩散的平面型器件工艺,在金属有机化学气相外延(MOCVD)外延生长的NIN型InAs0.6P0.4/In_(0.8)Ga_(0.2)As/InAs_(0.6)P_(0.4)buf./In P材料上制备了正照射延伸波长256×1线列InGaAs红外焦平面探测器,研究了探测器在不同温度下的I-V特性、光谱响应特性和探测率。结果表明,随着温度的降低,在小偏压下,器件的正向暗电流由产生复合电流为主逐渐变为以扩散电流为主。在260~300 K温度范围内,反向电流主要由扩散电流和产生复合电流组成,当温度低于180 K时,器件的反向电流主要为隧穿电流。室温下器件响应截止波长和峰值波长分别为2.57μm和2.09μm,峰值探测率为7.25×10~8 cm·Hz^(1/2)/W,峰值响应率为0.95 A/W,量子效率为56.9%。焦平面的峰值探测率在153 K达到峰值,约为1.11×10^(11) cm·Hz^(1/2)/W,响应非均匀性为5.28%。; 关键词延伸波长 INGAAS 红外焦平面变温; Keywords extended- wavelength InGaAs IRFPA temperature - dependent; 分类号 TN362 [电子电信—物理电子学] TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同扩散掩膜方式对InGaAs平面探测器性能影响研究(英文) 被引量：1: 3; 作者王云姬唐恒敬李雪邵秀梅杨波邓双燕龚海梅; 机构中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料和器件重点实验室中国科学院大学; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期333-336,共4页; 基金 Supported by National Key Basic Research and Development Program of China(2012CB619200) the Key Program of the National Natural Science Foundation of China(61205105,,61007067,61376052); 文摘测量了不同扩散掩膜生长方式的截止波长为1.70μm的InGaAs平面探测器的电学性能.其中,SiNx薄膜作为扩散掩膜,分别采用等离子体化学气相沉积（PECVD）和低温诱导耦合等离子体化学气相沉积（ICPCVD）生长.探测器焊接在杜瓦里测量,结果显示采用两种掩膜方式的器件的平均峰值响应率、探测率和量子效率分别为0.73和0.78 A/W,6.20E11和6.32E11cmHz1/2W-1,56.0%和62.0%;两种器件的响应波段分别为1.63~1.68μm和1.62~1.69μm;平均暗电流密度分别为312.9 nA/cm2和206 nA/cm2.通过理论分析两种器件的暗电流成分,结果显示,相对于采用PECVD作为扩散掩膜生长方式而言,采用ICP-CVD作为扩散掩膜生长方式大大降低了器件的欧姆暗电流成分.; 关键词 INGAAS 诱导耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD) 扩散掩膜暗电流; Keywords InGaAs, ICP-CVD, diffusion mask, dark current; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名铂金丝超声键合正交试验及焊点质量评价被引量：4: 4; 作者莫德锋杨力怡张晶琳吴家荣刘大福; 机构中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料和器件重点实验室; 出处《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期39-42,115,共4页; 基金国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2012CB619200) 上海技术物理研究所创新专项资助项目(Q-ZY-67); 文摘采用正交试验法对直径为20μm的铂金丝进行超声波键合试验，并通过三轴测量显微镜观察键合区域形貌和测量键合点根部高度．结果表明，在研究的4个参数中，键合时间、搜索高度和超声功率的影响都较大，而键合力的影响较小．通过正交试验法可以快速获得较优的键合参数，最佳工艺条件为：键合力0．013N，键合功率0．325形（彤为键合区宽度），键合时间30ms，搜索高度0．2mm．键合点质量可以通过测量键合点根部高度进行评价，当根部高度在4-10μm之间时，引线拉力均在0．03N以上．而且，当键合区接近椭圆形，且当W≈2D（D为引线丝直径）时，引线拉力较高，当键合区形貌为矩形或有裂纹出现时，拉力则较小．; 关键词铂金丝超声波键合质量评价; Keywords platinum wire ultrasonic bonding quality evaluation; 分类号 TG146.33 [金属学及工艺—金属材料]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InGaAs探测器的盲元分析及P电极优化: 5; 作者邓洪海杨波夏辉邵海宝王强王志亮朱友华黄静李雪邵秀梅龚海梅; 机构南通大学电子信息学院中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料和器件重点实验室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期101-106,共6页; 基金国家自然科学基金(No.61505090) 南通市科技项目(Nos.GY12015010 +9 种基金 GY12016024) 14ZY002 03080666 14Z003) 2013-XCL-013) 江苏省高等学校自然科学研究重大项目(No.17KJA470007)资助~~; 文摘采用扫描电容显微镜分析了平面型PIN In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As短波红外探测器盲元产生的原因,利用半导体器件仿真工具Sentaurus TCAD对探测器中的盲元特性进行了模拟,并利用制备的Au/P-In_(0.52)Al_(0.48)As传输线结构芯片对P电极的欧姆接触进行优化.研究结果表明,P电极与扩散区外的N^--In_(0.52)Al_(0.48)As帽层形成导电通道导致了盲元的产生,优化后Au与P-In_(0.52)Al_(0.48)As帽层之间具有更低的比接触电阻为3.52×10^(-4)Ω·cm^(-2),同时Au在高温快速热退火过程中的流动被抑制,从而降低了盲元产生的概率.; 关键词短波红外探测器 INGAAS 盲元比接触电阻 AU; Keywords Short wavelength infrared detector InGaAs Blind pixel Special contact resistivity Au; 分类号 TN362 [电子电信—物理电子学] TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名p-i-nInP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP探测器结构优化被引量：5: 6; 作者朱敏陈俊吕加兵唐恒敬李雪; 机构苏州大学电子信息学院中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料和器件重点实验室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期117-121,共5页; 基金国家自然科学基金(No.61307044) 江苏省自然科学基金(No.BK20130321) +4 种基金教育部留学人员回国启动基金 SJLX15-0601)资助~~; 文摘利用半导体仿真工具Silvaco对p-i-n InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP近红外光探测器进行优化仿真.参考实际器件对红外探测器进行建模,并将其暗电流、光谱响应仿真结果与实验结果进行拟合,保证仿真结果的有效性.以减小探测器的暗电流为目的,优化其结构.针对探测器吸收层厚度和吸收层掺杂浓度对暗电流、光响应的影响进行研究,发现当吸收层厚度大于0.3μm后,暗电流不再上升,但光响应随着吸收层厚度的增加而增大;当吸收层掺杂浓度不断上升时,器件暗电流不断降低,当掺杂浓度上升到2×1017/cm3时,暗电流达到最低值.本文还研究了p-i-n型探测器的瞬态响应,探究了响应速度与反偏电压之间的关系,发现提高反偏电压能减小探测器响应时间.; 关键词 INGAAS/INP 近红外光探测器暗电流光响应瞬态响应; Keywords InGaAs/InP Infrared photodetector Dark current Photoresponse Transient response; 分类号 TN362 [电子电信—物理电子学] TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于石墨烯/铟砷量子点/砷化镓异质结新型光电探测器（英文）被引量：2: 7; 作者胡之厅甘桃杜磊张家振徐煌韩赛垒徐鹤靓刘锋陈永平陈刚; 机构中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海师范大学中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料和器件重点实验室上海理工大学材料科学与工程学院; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期269-274,289,共7页; 基金 Supported by the National Natural Science Foundation of China(61474130,U1531109) the Natural Science Foundation of Shanghai(17142200100) Chinese Academy of Sciences via Hundred Talents Program; 文摘研究了一种石墨烯/铟砷量子点/砷化镓界面形成的异质结探测器的暗电流特性以及光电响应性质.虽然石墨烯具有很高的电子迁移率,但受限于较低的光子吸收率,使其在光电探测领域的应用受到了限制.而半导体量子点具有量子效率高,光吸收能力强等独特优点.于是利用石墨烯-砷化铟量子点-砷化镓异质结结构制备了一种新型光电探测器.并对该探测器的响应率、I-V 特性曲线、暗电流特性、探测率、开关比等关键性能进行了研究.其在637 nm 入射光情况下的响应率、探测率以及开关比可分别达到为17. 0 mA/W、2. 3 × 1010cmHz1 /2 W- 1 和1 × 103 .而当入射光为近红外波段的940 纳米时,响应率进一步增加到了207 mA/W.同时,还证实了该器件的暗电流、肖特基势垒高度和理想因子对温度的都具有较高的依赖性都较强.; 关键词石墨烯砷化镓量子点异质结构肖特基结; Keywords Graphene GaAs quantum dots ( QDs) heterostructure Schottky junction; 分类号 TN29 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名含有超晶格电子势垒的In_(0.83)Ga_(0.17)As探测器暗电流仿真和验证（英文）被引量：1: 8; 作者李庆法李雪唐恒敬邓双燕曹高奇邵秀梅龚海梅; 机构中国科学院上海技术物理研究所中国科学院上海技术物理研究所中国科学院大学上海科技大学物质科学与技术学院; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期662-666,共5页; 基金 Supported by the National Key Basic Research and Development Program of China(2012 CB619200) National Natural Science Foundation of China(61205105,61376052,61475179); 文摘为了获得In_(0.83)Ga_(0.17)As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不含有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进行仿真,并开展了器件验证.结果表明,超晶格势垒可以调整器件的能带结构,改变载流子传输特性,降低SRH复合,从而降低器件的暗电流,仿真结果与实验结果吻合.在此基础上,分析了势垒位置和周期变化对暗电流的影响,提出了进一步降低器件暗电流的超晶格电子势垒优化结构.; 关键词 In0.83Ga0.17As探测器超晶格电子势垒暗电流 TCAD仿真; Keywords In0.83Ga0.17As detector, super lattice（SL） electronic barrier, dark current, TCAD simulation; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	近红外256×1元InGaAs焦平面探测器无效像元研究	李雪邵秀梅唐恒敬汪洋陈郁龚海梅	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2011	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	正照射延伸波长In_(0.8)Ga_(0.2)As红外焦平面探测器	邓洪海杨波邵海宝王志亮黄静李雪龚海梅	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	不同扩散掩膜方式对InGaAs平面探测器性能影响研究(英文)	王云姬唐恒敬李雪邵秀梅杨波邓双燕龚海梅	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	铂金丝超声键合正交试验及焊点质量评价	莫德锋杨力怡张晶琳吴家荣刘大福	《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	InGaAs探测器的盲元分析及P电极优化	邓洪海杨波夏辉邵海宝王强王志亮朱友华黄静李雪邵秀梅龚海梅	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	p-i-nInP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP探测器结构优化	朱敏陈俊吕加兵唐恒敬李雪	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	5	在线阅读下载PDF 职称材料
7	基于石墨烯/铟砷量子点/砷化镓异质结新型光电探测器（英文）	胡之厅甘桃杜磊张家振徐煌韩赛垒徐鹤靓刘锋陈永平陈刚	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料
8	含有超晶格电子势垒的In_(0.83)Ga_(0.17)As探测器暗电流仿真和验证（英文）	李庆法李雪唐恒敬邓双燕曹高奇邵秀梅龚海梅	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料