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红外光热吸收成像技术在碲锌镉材料检测中的应用 被引量:4
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作者 徐超 孙士文 +2 位作者 杨建荣 董敬涛 赵建华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期325-330,共6页
红外光热吸收效应作为一种无损伤非接触的检测技术已经被广泛用于硅等半导体材料中的微缺陷表征分析.采用光热吸收技术对碲锌镉晶体中的缺陷进行扫描成像分析时发现了一种连续性的光貌相条纹并对这些条纹的形成机理进行了研究.研究表明... 红外光热吸收效应作为一种无损伤非接触的检测技术已经被广泛用于硅等半导体材料中的微缺陷表征分析.采用光热吸收技术对碲锌镉晶体中的缺陷进行扫描成像分析时发现了一种连续性的光貌相条纹并对这些条纹的形成机理进行了研究.研究表明碲锌镉晶体中的这种连续性条纹源自于光热测试系统中入射光的干涉这种干涉和入射光参数、测试样品的厚度、禁带宽度以及热导率等材料特性密切相关.最后实验通过优化红外光热吸收测量系统获得了碲锌镉材料中的微缺陷结构及其在样品深度方向的三维分布图像. 展开更多
关键词 红外 光热吸收 碲锌镉
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超长线列双波段红外焦平面探测器杜瓦封装技术研究 被引量:11
2
作者 李俊 王小坤 +6 位作者 孙闻 林加木 曾智江 沈一璋 范广宇 丁瑞军 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第11期165-171,共7页
针对拼接型短/中波的超长线列焦平面探测器与直线脉管集成耦合的要求,分析了超长线列焦平面杜瓦封装的难点。通过对超长冷平台的温度均匀性、超长冷平台支撑结构、大体积组件杜瓦低热负载、超长线列杜瓦真空寿命等封装技术进行研究,提... 针对拼接型短/中波的超长线列焦平面探测器与直线脉管集成耦合的要求,分析了超长线列焦平面杜瓦封装的难点。通过对超长冷平台的温度均匀性、超长冷平台支撑结构、大体积组件杜瓦低热负载、超长线列杜瓦真空寿命等封装技术进行研究,提出了多点"S"型冷链结合导热层的三维热输出方法,设计了"桥式"两基板的超长冷平台支撑结构,解决了超长冷平台高温度均匀性、集成探测器后低应力及焦深控制、超长线列探测器杜瓦组件的环境适应性、低热负载和长真空寿命等关键技术,成功研制超长线列双波段焦平面探测器制冷组件,并通过一系列空间环境适应性试验验证,试验前后组件性能未发生明显变化,满足工程化应用的要求。 展开更多
关键词 超长线列红外探测器 双波段 杜瓦封装
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利用迁移率谱技术研究p型碲镉汞材料 被引量:2
3
作者 张可锋 林铁 +5 位作者 王妮丽 王仍 焦翠灵 林杏潮 张莉萍 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期301-304,共4页
窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于p材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μe/μh≈102),更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法准确有效地给出p型材料的电学... 窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于p材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μe/μh≈102),更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法准确有效地给出p型材料的电学参数.通过变温变磁场的霍尔测试对p型HgCdTe材料的磁输运特性进行了测试,结合迁移率谱技术确定了材料中各种载流子的迁移率,并给出了它们对电导的相对贡献,以及自然氧化对样品中各种载流子的影响. 展开更多
关键词 碲镉汞 磁输运 迁移率谱 自然氧化
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长波碲镉汞红外探测器低光通量下的性能研究
4
作者 魏佳欣 林春 +3 位作者 王溪 林加木 周松敏 李珣 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1579-1585,共7页
为了评价n-on-p长波碲镉汞红外焦平面探测器在低光通量下的性能参数,搭建了低光通量测试平台。首先,介绍了低光通量测试平台相关情况,并对器件的暗电流测试结果进行了分析。然后,在低光通量测试平台上对长波碲镉汞红外探测器在低光通量... 为了评价n-on-p长波碲镉汞红外焦平面探测器在低光通量下的性能参数,搭建了低光通量测试平台。首先,介绍了低光通量测试平台相关情况,并对器件的暗电流测试结果进行了分析。然后,在低光通量测试平台上对长波碲镉汞红外探测器在低光通量下的黑体响应性能。最后,对比分析不同光通量下性能参数如响应率、波段探测率性能参数的变化,并给出了器件工作温度改变对器件性能影响的结果。测试结果表明,对于10.8μm@50K的碲镉汞焦平面探测器,在器件工作温度50K,光通量密度为5.8×10^(14)ph·s^(-1)·cm^(-2)条件下,器件波段探测率达到峰值1.5×10^(12)cm·Hz^(1/2)·W^(-1),此时探测率不再随积分时间的增加而提高。实验计算结果及相关参数可为探测器应用提供参考。 展开更多
关键词 长波 碲镉汞 n-on-p 低光通量
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蒸发因素对高密度焦平面铟凸点制备影响研究
5
作者 宝鹏飞 朱宪亮 +4 位作者 于春蕾 杨波 邵秀梅 李雪 刘大福 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第1期137-145,共9页
高一致性、高深宽比凸点制备是高密度红外焦平面制造的关键技术之一。以10μm间距铟凸点阵列为研究对象,通过提取铟凸点高度、顶部直径、生长速率纵横比和铟膜粗糙度等参数,结合薄膜形核生长理论,深入分析热蒸发过程中关键因素对铟凸点... 高一致性、高深宽比凸点制备是高密度红外焦平面制造的关键技术之一。以10μm间距铟凸点阵列为研究对象,通过提取铟凸点高度、顶部直径、生长速率纵横比和铟膜粗糙度等参数,结合薄膜形核生长理论,深入分析热蒸发过程中关键因素对铟凸点生长的影响,为更小间距铟凸点制备提供理论与技术参考。实验结果表明,沉积速率和基底温度对铟凸点生长的影响具有两面性:一方面,高沉积速率和低基底温度会细化铟膜晶粒,有利于沉积高均匀性铟凸点阵列。基底温度下降了45 K,铟凸点高度非均匀性从15.4%降低到6.6%,铟凸点顶部直径范围差下降了0.9μm。沉积速率增加了21A/s后,铟凸点高度非均匀性从11.8%降低到6.6%,铟凸点顶部直径范围差下降了0.4μm。另一方面,高沉积速率下的动理学粗糙化影响比重增加,铟薄膜粗糙度随沉积速率变化趋缓。同时高沉积速率和低基底温度下的光刻孔缘铟向四周扩散的能力减弱,继续降温后铟层横向生长速率从3.4?/s升至4.1?/s,光刻孔加速闭合不利于高密度、高深宽比、高均匀性铟凸点的生长制备。 展开更多
关键词 红外焦平面 铟凸点 热蒸发 基底温度 沉积速率
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航天先进红外探测器组件技术及应用 被引量:29
6
作者 龚海梅 邵秀梅 +7 位作者 李向阳 李言谨 张永刚 张燕 刘大福 王小坤 李雪 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第12期3129-3140,共12页
随着航天遥感应用对探测目标的波段特性、空间分辨率、辐射分辨率、时间分辨率以及可靠性等要求的不断提高,作为航天遥感仪器核心部件的光电探测器,需要向扩展波长范围、提高光电性能、改善光谱形状、减小光敏元尺寸、增加器件规模、提... 随着航天遥感应用对探测目标的波段特性、空间分辨率、辐射分辨率、时间分辨率以及可靠性等要求的不断提高,作为航天遥感仪器核心部件的光电探测器,需要向扩展波长范围、提高光电性能、改善光谱形状、减小光敏元尺寸、增加器件规模、提高寿命和可靠性等方向发展。文中从空间多光谱红外探测器、光谱定量化、红外焦平面探测器可靠性封装、新型短波红外探测器等4个方面,介绍了中国近年来研制的一系列航天先进红外探测器组件所涉及的基础研究工作及其在气象卫星等航天应用的进展。 展开更多
关键词 红外探测器 HGCDTE INGAAS 航天应用
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InAs/GaAsSb带间级联中波红外焦平面研究 被引量:10
7
作者 周易 柴旭良 +9 位作者 田源 徐志成 黄敏 许佳佳 黄爱波 白治中 陈红雷 丁瑞军 陈建新 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期745-750,共6页
针对高工作温度红外探测器的迫切需求,设计并利用分子束外延技术制备了高晶格质量的2级带间级联中波红外探测材料,带间级联单元器件在最高323 K下可以测试到清晰的响应光谱,140 K下暗电流密度达到4×10^-5A/cm^-2.并在此基础上利用... 针对高工作温度红外探测器的迫切需求,设计并利用分子束外延技术制备了高晶格质量的2级带间级联中波红外探测材料,带间级联单元器件在最高323 K下可以测试到清晰的响应光谱,140 K下暗电流密度达到4×10^-5A/cm^-2.并在此基础上利用干法刻蚀技术实现了320×256规模的台面型带间级联红外焦平面原型器件.焦平面测试结果表明其在80-120K范围内量子效率达到30%,127 K下噪声等效温差为55.1 mK,盲元率为2.3%.采用该焦平面器件在127 K下获得了较为清晰的演示性室温目标红外热成像. 展开更多
关键词 光电探测器 红外焦平面 带间级联结构 高工作温度
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HgCdTe薄膜材料组分分布对器件响应光谱的影响 被引量:6
8
作者 崔宝双 魏彦锋 +1 位作者 孙权志 杨建荣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期225-230,共6页
研究了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布对探测器响应光谱的影响.提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的模型,模型中综合考虑了薄膜的实际组分分布以及光在器件各层结构中的相干、非相干传输.计算结果表明,在探测器的光吸收区,HgC... 研究了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布对探测器响应光谱的影响.提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的模型,模型中综合考虑了薄膜的实际组分分布以及光在器件各层结构中的相干、非相干传输.计算结果表明,在探测器的光吸收区,HgCdTe液相外延薄膜的组分梯度及其产生的内建电场可以显著地提高器件的响应率.通过与实验数据进行比较,验证了模型的适用性. 展开更多
关键词 HGCDTE红外探测器 纵向组分分布 响应光谱 光传输模型
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金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究 被引量:5
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作者 王仍 焦翠灵 +7 位作者 徐国庆 陆液 张可峰 杜云辰 李向阳 张莉萍 邵秀华 林杏潮 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第9期3046-3050,共5页
采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过高低温退火工艺有效控制p型Hg1-xCdxTe材料的电学参数,利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺,利用金掺杂材料初步研制了... 采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过高低温退火工艺有效控制p型Hg1-xCdxTe材料的电学参数,利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺,利用金掺杂材料初步研制了短波器件,器件性能较好黑体DλP*可达4.67E+11/(cmHz1/2W-1)。 展开更多
关键词 气相外延 Hg1-xCdxTe晶体 拉曼光谱
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冷屏对红外探测器组件降温影响研究 被引量:4
10
作者 孙闻 夏晨希 +1 位作者 李俊 王小坤 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1286-1289,共4页
冷屏是制冷型红外探测器组件的重要组成部分并伴随探测器一起降温,所以不同技术状态冷屏对红外探测器组件降温会有影响。本文针对320×256 30μm规模红外探测器用F2冷屏,通过对不同技术状态冷屏在相同冷平台下的降温实验,研究对应... 冷屏是制冷型红外探测器组件的重要组成部分并伴随探测器一起降温,所以不同技术状态冷屏对红外探测器组件降温会有影响。本文针对320×256 30μm规模红外探测器用F2冷屏,通过对不同技术状态冷屏在相同冷平台下的降温实验,研究对应技术状态冷屏对降温过程的影响情况,并获得了各冷屏技术状态对应的影响量。本文结果对优化冷屏热学设计有一定借鉴意义。 展开更多
关键词 红外探测器 冷屏 制冷
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延伸波长InGaAs红外探测器的实时γ辐照研究 被引量:2
11
作者 李淘 乔辉 +3 位作者 李永富 唐恒敬 李雪 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期511-514,共4页
通过实时测试方法,研究了延伸波长InGaAs红外探测器在55×104rad的γ辐照下的电流-电压特性变化,发现器件的暗电流没有明显变化,零偏电阻稍有变化,但变化的幅度很小。在辐照前后对器件的性能进行了测试,发现在辐照后器件的信号稍有... 通过实时测试方法,研究了延伸波长InGaAs红外探测器在55×104rad的γ辐照下的电流-电压特性变化,发现器件的暗电流没有明显变化,零偏电阻稍有变化,但变化的幅度很小。在辐照前后对器件的性能进行了测试,发现在辐照后器件的信号稍有下降,噪声基本不变,说明在受到辐照后器件的探测性能略有下降。对器件在辐照前后的低频噪声进行了测试,发现整个低频区的噪声都没有明显的改变。这些结论表明γ辐照对延伸波长InGaAs器件的影响较小。 展开更多
关键词 红外探测器 INGAAS Γ辐照
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“弱p型”和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究 被引量:3
12
作者 张可锋 林杏潮 +5 位作者 张莉萍 王仍 焦翠灵 陆液 王妮丽 李向阳 《红外》 CAS 2011年第6期1-5,共5页
详细分析了两类碲镉汞(HgCdTe)材料的磁输运特性,并以此寻找两类材料的有效筛选方法。窄禁带HgCdTe是一种电子和空穴混合导电的多载流子体系材料。特别是"弱p型"材料,由于电子的迁移率比空穴的大两个数量级(b=μ_e/μ_h≈10~2),... 详细分析了两类碲镉汞(HgCdTe)材料的磁输运特性,并以此寻找两类材料的有效筛选方法。窄禁带HgCdTe是一种电子和空穴混合导电的多载流子体系材料。特别是"弱p型"材料,由于电子的迁移率比空穴的大两个数量级(b=μ_e/μ_h≈10~2),更容易受到少数载流子(电子)的干扰,因此通过单一磁场的霍尔测试无法区分性能很差的低迁移率n型材料和"弱p型"材料。通过变温变磁场的霍尔测试对两种碲镉汞材料的磁输运特性进行了测试,并结合迁移率谱技术分析了两者的差别。结果表明,利用迁移率谱技术可以很好地区分这两种碲镉汞材料。 展开更多
关键词 霍尔测量 HGCDTE 磁输运 迁移率谱
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量子阱红外探测器峰值探测波长的精确设计与实验验证(英文)
13
作者 金巨鹏 刘丹 +1 位作者 陈建新 林春 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期481-485,496,共6页
采用单能带电子有效质量近似(EMA)和波包函数近似(EFA)模型,考虑了能带非抛物线性等高阶因素,并利用投试法求解薛定谔方程,计算了准确设计峰值探测波长的GaAs/AlGaAs量子阱探测器结构参数.基于计算结果,用分子束外延(MBE)方法生长了设... 采用单能带电子有效质量近似(EMA)和波包函数近似(EFA)模型,考虑了能带非抛物线性等高阶因素,并利用投试法求解薛定谔方程,计算了准确设计峰值探测波长的GaAs/AlGaAs量子阱探测器结构参数.基于计算结果,用分子束外延(MBE)方法生长了设计峰值波长为8μm的GaAs/AlGaAs多量子阱材料,进而制备了单元器件,并测试了I-V曲线、光谱响应和探测率.I-V曲线的良好对称性显示了材料生长与器件制备工艺的质量,光谱响应曲线表明器件实际的峰值探测波长为7.96~7.98μm,与设计预期值吻合. 展开更多
关键词 量子阱红外探测器 GAAS ALGAAS 峰值波长 光谱响应 能带非抛物线性
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微重力条件下红外材料的空间生长
14
作者 焦翠灵 王仍 +1 位作者 陆液 李向阳 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期530-538,共9页
根据近年红外材料在空间生长的研究概况,分析了涵盖熔体、气相、液相外延和分子束外延等生长方法及各个方法生长红外材料的基本原理,在地面生长遇到的问题,以及在空间微重力环境中进行红外材料生长的优势.同时基于中国利用熔体法在天宫... 根据近年红外材料在空间生长的研究概况,分析了涵盖熔体、气相、液相外延和分子束外延等生长方法及各个方法生长红外材料的基本原理,在地面生长遇到的问题,以及在空间微重力环境中进行红外材料生长的优势.同时基于中国利用熔体法在天宫二号上已经进行的ZnTe:Cu晶体的空间生长科学实验及地基实验结果,通过对空间和地面实验结果进行对比,提出了在超高真空环境下,利用分子束外延方式生长高性能、大尺寸红外材料的可能性,以及未来在空间微重力条件下进行红外材料生长的研究方向及具体应用. 展开更多
关键词 微重力 红外材料 空间生长
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通过成结模拟器研究n^(+)-n^(-)-p碲镉汞高温探测器
15
作者 林加木 周松敏 +3 位作者 王溪 甘志凯 林春 丁瑞军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期23-28,共6页
第三代红外探测器发展的一个重要方向是高工作温度探测器。对于碲镉汞n-on-p探测器而言,n^(+)-n^(-)-p结构以及良好的钝化工艺能够有效的抑制暗电流的产生,从而在高工作温度条件下获得较好的探测器性能。基于自行开发的成结模拟器,对n^(... 第三代红外探测器发展的一个重要方向是高工作温度探测器。对于碲镉汞n-on-p探测器而言,n^(+)-n^(-)-p结构以及良好的钝化工艺能够有效的抑制暗电流的产生,从而在高工作温度条件下获得较好的探测器性能。基于自行开发的成结模拟器,对n^(+)-n^(-)-p结构地高温器件进行了工艺仿真和器件仿真,获得成结过程的制备参数,并结合抑制表面漏电的组分梯度钝化工艺,将高工作温度下的暗电流抑制至理论极限,研制出可以在更高温度工作下的碲镉汞n-on-p红外焦平面探测器。经测试,中波n-on-p红外焦平面器件在不同工作温度下性能优异,在80 K工作温度下噪声等效温差(NETD)达到了6.1 mK,有效像元率为99.96%;而在150 K工作温度下噪声等效温差(NETD)为11.0 mK,有效像元率为99.50%,达到了同类器件的理论极限。 展开更多
关键词 碲镉汞 n^(+)-n^(-)-p 高工作温度 红外焦平面
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As掺杂碲镉汞富碲液相外延材料特性的研究 被引量:3
16
作者 仇光寅 张传杰 +3 位作者 魏彦锋 陈晓静 徐庆庆 杨建荣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期15-20,共6页
对富碲液相外延As掺杂碲镉汞(HgCdTe)材料的研究发现,其电学性能存在着不稳定性,材料霍尔参数的实验数据与均匀材料的理论计算结果也不能很好的吻合.通过采用剥层变温霍尔测量和二次离子质谱(SIMS)测试对材料纵向均匀性进行检测的结果显... 对富碲液相外延As掺杂碲镉汞(HgCdTe)材料的研究发现,其电学性能存在着不稳定性,材料霍尔参数的实验数据与均匀材料的理论计算结果也不能很好的吻合.通过采用剥层变温霍尔测量和二次离子质谱(SIMS)测试对材料纵向均匀性进行检测的结果显示,外延材料中的As在高温富汞激活退火过程中具有向材料表面扩散的效应,导致在表面形成了高于主体层浓度1~2个量级的高浓度表面层,并导致了AsTe受主的浓度在HgCdTe薄膜中呈非均匀分布.考虑这一效应并采用双层模型的霍尔参数计算方法后,As掺杂HgCdTe液相外延材料的电学行为得到了较好的解释,并较为准确地获得了退火后材料表面层与主体层的受主浓度及受主能级等电学参数. 展开更多
关键词 碲镉汞 霍尔效应 As掺杂 激活退火 双层模型
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InAs基InAs/Ga(As)Sb Ⅱ类超晶格长波红外探测器湿法腐蚀研究(英文) 被引量:3
17
作者 吴佳 徐志成 +1 位作者 陈建新 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期549-553,共5页
开展了InAs基InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格长波红外探测器的湿法腐蚀工艺研究.选择的腐蚀液由柠檬酸、磷酸和过氧化氢组成,先后在InAs、GaSb体材料和InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格上进行了湿法腐蚀实验,分别获得了其最佳的腐蚀液组分及配比.使用... 开展了InAs基InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格长波红外探测器的湿法腐蚀工艺研究.选择的腐蚀液由柠檬酸、磷酸和过氧化氢组成,先后在InAs、GaSb体材料和InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格上进行了湿法腐蚀实验,分别获得了其最佳的腐蚀液组分及配比.使用优化的磷酸系腐蚀液对InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格进行腐蚀,获得的腐蚀表面粗糙度仅为1nm.然后使用改进的工艺制备了50%截止波长为12μm的超晶格长波单元器件,实验结果表明磷酸系腐蚀液可以获得低暗电流密度的InAs基InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格长波红外探测器.另外,在81K下,该探测器的表面电阻率(ρSurface)为4.4×10^3Ωcm. 展开更多
关键词 In As/Ga(As) SB Ⅱ类超晶格 湿法腐蚀 表面形貌
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基于多层薄膜的长波红外InAs/GaSbⅡ类超晶格焦平面光响应调控研究 被引量:2
18
作者 史睿 周建 +6 位作者 白治中 徐志成 周易 梁钊铭 师瑛 徐庆庆 陈建新 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期248-252,共5页
本文基于长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列(Focal Plane Array,FPA)设计和生长了由ZnS和Ge组成的多层薄膜结构。与没有多层薄膜的FPA相比,多层薄膜使其响应峰位置从8.7μm和10.3μm分别移动到9.8μm和11.7μm,50%响应截止波长从1... 本文基于长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列(Focal Plane Array,FPA)设计和生长了由ZnS和Ge组成的多层薄膜结构。与没有多层薄膜的FPA相比,多层薄膜使其响应峰位置从8.7μm和10.3μm分别移动到9.8μm和11.7μm,50%响应截止波长从11.6μm移动至12.3μm,并且在波长为12μm处的响应强度增加了69%。总之,优化的多层薄膜可以调控FPA的响应波长,这为实现更高灵敏度和更高成像能力的长波红外探测提供了更好的平台。 展开更多
关键词 II类超晶格 焦平面阵列 多层薄膜 响应调控
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超大面阵红外探测器冷平台支撑结构研究 被引量:2
19
作者 张阳 莫德锋 +4 位作者 范崔 石新民 俞君 龚海梅 李雪 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第2期188-194,共7页
为满足拼接式超大面阵型红外探测器的空间应用需求,超大规模冷平台组件需要在低温下工作,冷平台支撑结构需要较高的刚度以满足组件的抗振动性能,又需要较高的结构热阻以降低其传导漏热。提出了对称式八杆结构作为冷平台支撑,该支撑结构... 为满足拼接式超大面阵型红外探测器的空间应用需求,超大规模冷平台组件需要在低温下工作,冷平台支撑结构需要较高的刚度以满足组件的抗振动性能,又需要较高的结构热阻以降低其传导漏热。提出了对称式八杆结构作为冷平台支撑,该支撑结构采用新型的高强度、低热导率的氧化锆陶瓷材料。基于有限元软件分析了支撑结构的高度、安装倾斜角度、宽厚比和材料对于组件的模态基频、支撑结构热阻以及组件在30 g静力学载荷下的最大应力的影响,通过对比选取了其中一组参数设计了实际的测试组件,支撑的结构热阻达到了220 K/W,对组件进行了5~2 000 Hz的正弦扫频试验、总均方根为9 g RMS的XYZ三个方向的随机振动等力学环境试验,最终组件通过了空间环境适应性试验验证,组件的基频达到了560 Hz,并且测试结果与仿真结果趋势符合较好。结果表明:对称式八杆氧化锆支撑结构解决了超大面阵型红外探测器冷平台组件既需要高力学性能又需要低漏热的难题,满足工程化应用需求。 展开更多
关键词 超大面阵红外探测器 支撑结构 杜瓦封装 冷平台组件
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面向高工作温度应用的带间级联红外光电器件 被引量:1
20
作者 柴旭良 周易 +11 位作者 王芳芳 徐志成 梁钊铭 朱艺红 周建 郑露露 黄敏 白治中 黄爱波 陈红雷 丁瑞军 陈建新 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期122-128,共7页
高温工作探测器是第三代红外焦平面发展的重要方向之一。带间级联探测器结合了势垒结构与多级吸收区结构的特点,通过多量子阱弛豫和隧穿实现光生载流子单方向输运,可以有效降低来自PN结耗尽区的产生-复合暗电流;利用多级短吸收区结构,... 高温工作探测器是第三代红外焦平面发展的重要方向之一。带间级联探测器结合了势垒结构与多级吸收区结构的特点,通过多量子阱弛豫和隧穿实现光生载流子单方向输运,可以有效降低来自PN结耗尽区的产生-复合暗电流;利用多级短吸收区结构,在扩散长度很短的情况下仍然可以有效地收集光生载流子,从而可以提高探测器在高工作温度下的探测性能。本文主要介绍了作者在带间级联红外光电器件方面的研究进展,包括高工作温度带间级联探测器、高带宽带间级联探测器以及带间级联发光器件等。 展开更多
关键词 带间级联探测器 高工作温度 红外焦平面 发光二极管
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