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HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究被引量：1: 1; 作者周文洪叶振华 +2 位作者胡晓宁丁瑞军何力《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期928-930,共3页; 文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果。首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模。扫描电镜结果发现,由于刻蚀的选择比低,所以掩模图形退缩严重,刻蚀端面的平整度差,台面侧壁垂直度低。因此采用磁... 展开更多; 关键词 HGCDTE 刻蚀掩模干法刻蚀磁控溅射 SIO2; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流研究被引量：22: 2; 作者叶振华胡晓宁 +3 位作者张海燕廖清君李言谨何力《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期86-90,共5页; 对B+注入的n on p平面结和分子束外延 (MBE)技术原位铟掺杂的n+ n p台面异质结的碲镉汞 (HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分析 .与n on p平面结器件相比 ,原位掺杂的n+ n p台面异质结器件得到较高的零偏动态阻抗面积值 (R0 A) ... 展开更多; 关键词光伏探测器暗电流碲镉汞材料异质结分子束外延技术铟掺杂红外探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理被引量：2: 3; 作者赵真典陈路 +7 位作者傅祥良王伟强沈川张彬卜顺栋王高杨凤何力《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期186-190,共5页; 基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件(截止波长为9~10μm)的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对于B+离子注入的平面结汞空位n^+-on-p结构,替代衬底上的碲镉... 展开更多; 关键词碲镉汞红外焦平面长波替代衬底暗电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

碲镉汞线列红外探测器模块温度循环的可靠性被引量：14: 4; 作者陈星何凯 +3 位作者王建新叶振华林春张勤耀《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期369-374,共6页; 针对直接倒焊(Ⅰ型)、间接倒焊(Ⅱ型)两种红外探测器模块,两者中的探测器芯片、硅读出电路和引线基板的尺寸完全相同,只在倒焊封装结构上有所差异,用有限元方法分析比较了这两种封装形式的基本模块于液氮温度时的热应力和形变大小情况,... 展开更多; 关键词碲镉汞红外探测器可靠性热应力形变有限元分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活被引量：1: 5; 作者赵真典陈路 +7 位作者傅祥良王伟强沈川张彬卜顺栋王高杨凤何力《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期575-580,共6页; 采用As掺杂和激活技术制备的p+-on-n异质结材料是获得高性能长波碲镉汞红外焦平面器件的关键技术之一,得到了广泛关注.采用变温IV拟合的方法,对不同As掺入浓度与器件结性能相关性进行了分析,发现降低结区内As掺杂浓度可以有效抑制器件... 展开更多; 关键词红外焦平面碲镉汞砷掺杂分子束外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究被引量：1: 1; 作者周文洪叶振华胡晓宁丁瑞军何力; 机构中国科学院上海技术物理研究所材料与器件研究中心; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期928-930,共3页; 文摘文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果。首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模。扫描电镜结果发现,由于刻蚀的选择比低,所以掩模图形退缩严重,刻蚀端面的平整度差,台面侧壁垂直度低。因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀。结果发现,SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面。但是深入的测试表明,介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤。最后通过优化生长条件,获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术。; 关键词 HGCDTE 刻蚀掩模干法刻蚀磁控溅射 SIO2; Keywords HgCdTe etching mask dry etching magnetron sputtering SiO2; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流研究被引量：22: 2; 作者叶振华胡晓宁张海燕廖清君李言谨何力; 机构中国科学院上海技术物理研究所材料与器件中心; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期86-90,共5页; 基金中国科学院知识创新工程资助项目; 文摘对B+注入的n on p平面结和分子束外延 (MBE)技术原位铟掺杂的n+ n p台面异质结的碲镉汞 (HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分析 .与n on p平面结器件相比 ,原位掺杂的n+ n p台面异质结器件得到较高的零偏动态阻抗面积值 (R0 A) .通过与实验数据拟合 ,从理论上计算了这两种结构的器件在不同温度下的R0 A和在不同偏压下的暗电流。; 关键词光伏探测器暗电流碲镉汞材料异质结分子束外延技术铟掺杂红外探测器; Keywords photodiode HgCdTe dard current R(0)A heterojunction; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理被引量：2: 3; 作者赵真典陈路傅祥良王伟强沈川张彬卜顺栋王高杨凤何力; 机构中国科学院上海技术物理研究所材料与器件中心中国科学院大学; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期186-190,共5页; 基金国家自然科学基金(61306062)~~; 文摘基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件(截止波长为9~10μm)的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对于B+离子注入的平面结汞空位n^+-on-p结构,替代衬底上的碲镉汞(HgCdTe)器件零偏阻抗(R0)在80 K以上与碲锌镉(CdZnTe)基碲镉汞器件结阻抗性能相当.但替代衬底上的HgCdTe因结区内较高的位错,使得从80 K开始缺陷辅助隧穿电流(I_(tat))超过产生复合电流(I_(g-r)),成为暗电流的主要成分.与平面n^+-on-p器件相比,采用原位掺杂组分异质结结构(DLHJ)的p^+-on-n台面器件,因吸收层为n型,少子迁移率较低,能够有效抑制器件的扩散电流.80 K下截止波长9.6μm,中心距30μm,替代衬底上的p^+-on-n台面器件品质参数(R0A)为38Ω·cm2,零偏阻抗较n-on-p结构的CdZnTe基碲镉汞器件高约15倍.但替代衬底上的p+-on-n台面器件仍受体内缺陷影响,在60 K以下较高的Itat成为暗电流主导成分,其R0A相比CdZnTe基n^+-on-p的HgCdTe差了一个数量级.; 关键词碲镉汞红外焦平面长波替代衬底暗电流; Keywords HgCdTe, infrared focal plane arrays, long wavelength, alternative substrate, dark current; 分类号 O472.4 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碲镉汞线列红外探测器模块温度循环的可靠性被引量：14: 4; 作者陈星何凯王建新叶振华林春张勤耀; 机构中国科学院上海技术物理研究所材料与器件研究中心中国科学院大学; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期369-374,共6页; 文摘针对直接倒焊(Ⅰ型)、间接倒焊(Ⅱ型)两种红外探测器模块,两者中的探测器芯片、硅读出电路和引线基板的尺寸完全相同,只在倒焊封装结构上有所差异,用有限元方法分析比较了这两种封装形式的基本模块于液氮温度时的热应力和形变大小情况,分析结果与实验现象符合较好,模块低温形变值的测量验证了有限元分析结果的合理性.; 关键词碲镉汞红外探测器可靠性热应力形变有限元分析; Keywords HgCdTe infrared detector, reliability, thermal stress, warpage, finite element analysis; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活被引量：1: 5; 作者赵真典陈路傅祥良王伟强沈川张彬卜顺栋王高杨凤何力; 机构中国科学院上海技术物理研究所材料与器件中心中国科学院大学; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期575-580,共6页; 基金国家自然科学基金(61306062)~~; 文摘采用As掺杂和激活技术制备的p+-on-n异质结材料是获得高性能长波碲镉汞红外焦平面器件的关键技术之一,得到了广泛关注.采用变温IV拟合的方法,对不同As掺入浓度与器件结性能相关性进行了分析,发现降低结区内As掺杂浓度可以有效抑制器件的陷阱辅助隧穿电流.拟合结果表明,较高浓度的Nt很可能与高浓度As掺入相关.因此As的稳定均匀掺入和激活被认为是主要技术挑战.实验研究了分子束外延过程中Hg/Te束流比与As掺入效率的关系,发现相对富Hg的外延条件有助于提高As掺杂效率.研究还发现As的晶圆内掺杂均匀性与Hg/Te束流比的均匀性密切相关.对As的激活退火进行了研究,发现在饱和Hg蒸汽压中采用300℃/16h+420℃/1 h+240℃/48 h的退火条件能明显提升碲镉汞中As原子的激活率.; 关键词红外焦平面碲镉汞砷掺杂分子束外延; Keywords IRFPAs, HgCdTe, As-doping, MBE; 分类号 O472.4 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究	周文洪叶振华胡晓宁丁瑞军何力	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流研究	叶振华胡晓宁张海燕廖清君李言谨何力	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2004	22	在线阅读下载PDF 职称材料
3	替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理	赵真典陈路傅祥良王伟强沈川张彬卜顺栋王高杨凤何力	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2017	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	碲镉汞线列红外探测器模块温度循环的可靠性	陈星何凯王建新叶振华林春张勤耀	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2014	14	在线阅读下载PDF 职称材料
5	MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活	赵真典陈路傅祥良王伟强沈川张彬卜顺栋王高杨凤何力	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料