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InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测技术
被引量：
7
1
作者
陈建新
林春
何力
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2011年第5期786-790,共5页
由于Ⅱ类超晶格探测器在红外成像探测技术上极大的应用价值和前景,对这一低维半导体结构的研究持续不衰。近年来,Ⅱ类超晶格探测器在国际上发展极为迅速,已经实现了高性能的中波和长波超晶格焦平面探测器并进行了成像试验。改变超晶格...
由于Ⅱ类超晶格探测器在红外成像探测技术上极大的应用价值和前景,对这一低维半导体结构的研究持续不衰。近年来,Ⅱ类超晶格探测器在国际上发展极为迅速,已经实现了高性能的中波和长波超晶格焦平面探测器并进行了成像试验。改变超晶格的周期,它的吸收截止波长可覆盖3-30μm的宽广范围。由于现代分子束外延材料生长技术,可以在单原子层的精度控制材料生长,因此截止波长由周期决定这一特性使得Ⅱ类超晶格探测器在实现红外焦平面均匀性方面独具优势。Ⅲ-Ⅴ族化合物材料与器件工艺的成熟性使得InAs/GaSb正成为一种很有竞争力的红外探测新技术。简要介绍了新型InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测技术,包括该技术的基本原理、材料生长、器件制备及其发展方向。
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关键词
Ⅱ类超晶格
红外探测器
半导体
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职称材料
题名
InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测技术
被引量：
7
1
作者
陈建新
林春
何力
机构
中国科学院上海技术物理研究所成像材料与器件国防重点实验室
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2011年第5期786-790,共5页
文摘
由于Ⅱ类超晶格探测器在红外成像探测技术上极大的应用价值和前景,对这一低维半导体结构的研究持续不衰。近年来,Ⅱ类超晶格探测器在国际上发展极为迅速,已经实现了高性能的中波和长波超晶格焦平面探测器并进行了成像试验。改变超晶格的周期,它的吸收截止波长可覆盖3-30μm的宽广范围。由于现代分子束外延材料生长技术,可以在单原子层的精度控制材料生长,因此截止波长由周期决定这一特性使得Ⅱ类超晶格探测器在实现红外焦平面均匀性方面独具优势。Ⅲ-Ⅴ族化合物材料与器件工艺的成熟性使得InAs/GaSb正成为一种很有竞争力的红外探测新技术。简要介绍了新型InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测技术,包括该技术的基本原理、材料生长、器件制备及其发展方向。
关键词
Ⅱ类超晶格
红外探测器
半导体
Keywords
type Ⅱ superlattice
infrared detector
semiconductor
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测技术
陈建新
林春
何力
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2011
7
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