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Ⅱ-Ⅵ族半导体远红外反射光谱与电学参量
1
作者
李标
褚君浩
+5 位作者
叶红娟
蒋伟
汤定元
王善忠
姬荣斌
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期137-141,共5页
测量了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ、ＺｎＳｅ等的远红外反射光谱，拟合得到样品的载流子浓度、迁移率。
关键词
Ⅱ-Ⅵ族
半导体
远红外反射光谱
电学参数
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职称材料
题名
Ⅱ-Ⅵ族半导体远红外反射光谱与电学参量
1
作者
李标
褚君浩
叶红娟
蒋伟
汤定元
王善忠
姬荣斌
何力
机构
中国科学院
上海技术物理研究所
中国科学院
红外
物理
国家重点实验室
中国科学院上海技术物理研究所外延薄膜材料中心
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期137-141,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
测量了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ、ＺｎＳｅ等的远红外反射光谱，拟合得到样品的载流子浓度、迁移率。
关键词
Ⅱ-Ⅵ族
半导体
远红外反射光谱
电学参数
Keywords
Ⅱ Ⅵ semiconductors, far infrared reflection spectrum, electrical parameters.
分类号
TN304.22 [电子电信—物理电子学]
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
Ⅱ-Ⅵ族半导体远红外反射光谱与电学参量
李标
褚君浩
叶红娟
蒋伟
汤定元
王善忠
姬荣斌
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
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