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分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究被引量：2: 1; 作者王善力于梅芳 +4 位作者乔怡敏杨建荣巫艳袁诗鑫何力《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期287-291,共5页; 报道了用椭圆偏振技术和红外辐射测温技术对ＨｇＣｄＴｅ生长关键参数实时监测的结果，建立了ＨｇＣｄＴｅ材料在生长温度下的标准光学常数数据库，在研究中对生长过程中材料的发射率以及红外辐射强度进行了理论分析，为生长温度的实时... 展开更多; 关键词分子束外延实时监测红外辐射测温汞镉碲; 在线阅读下载PDF 职称材料

HgCdTe分子束外延柔性制造技术研究: 2; 作者何力杨建荣 +3 位作者王善力巫艳方维政张勤跃《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1999年第3期1-6,共6页; 报道了近年来在ＨｇＣｄＴｅ分子束外延柔性制造技术研究中取得的初步结果，并对面临的任务进行了讨论。研究表明：ＨｇＣｄＴｅ分子束外延薄膜具有很好的组分均匀性、表面形貌、电学参数以及组分可重复性。用分子束外延ＨｇＣｄＴｅ薄... 展开更多; 关键词分子束外延焦平面探测器红外探测器 HGCDTE; 在线阅读下载PDF 职称材料

Be基蓝绿激光器载流子约束的LCAO理论研究被引量：1: 3; 作者王善忠何力沈学础《量子电子学报》 CAS CSCD 1998年第1期1-9,共9页; 本征的强离子性，使ZnSe基半导体蓝绿激光器易于形成堆垛层错等退化缺陷，严重地影响了器件的寿命。人们便开始将注意力投向离子性较低的Be基化合物，希望用Be基Ⅱ-Ⅵ族材料取代ZnSe基材料，抑制蓝绿激光器的退化。要研制半导体激光器... 展开更多; 关键词蓝绿激光器 LCAO理论半导体激光器; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型蓝绿发光材料Znse/BeTe超晶格的能带剪裁: 4; 作者王善忠何力沈学础《量子电子学报》 CAS CSCD 1998年第3期245-252,共8页; 由于器件的快速退化，101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制，发现在强电流注入的半导体激光器中，热退化具有重要影响。研究表明，用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金（如ZnMgSSe）只能对Z... 展开更多; 关键词包络函数理论能带剪裁蓝绿色半导体激光器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究被引量：2: 1; 作者王善力于梅芳乔怡敏杨建荣巫艳袁诗鑫何力; 机构中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料研究中心及红外物理国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期287-291,共5页; 基金国家杰出青年科学基金上海市科学研究基金; 文摘报道了用椭圆偏振技术和红外辐射测温技术对ＨｇＣｄＴｅ生长关键参数实时监测的结果，建立了ＨｇＣｄＴｅ材料在生长温度下的标准光学常数数据库，在研究中对生长过程中材料的发射率以及红外辐射强度进行了理论分析，为生长温度的实时精确控制提供了理论依据，并在实验上获得了小于±１℃的生长温度控制精度．; 关键词分子束外延实时监测红外辐射测温汞镉碲; Keywords MBE, HgCdTe, real time monitoring, ellipsometry, infrared pyrometry; 分类号 TN213 [电子电信—物理电子学] TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HgCdTe分子束外延柔性制造技术研究: 2; 作者何力杨建荣王善力巫艳方维政张勤跃; 机构中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料研究中心及红外物理国家重点实验室; 出处《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1999年第3期1-6,共6页; 基金 863计划国家自然科学基金; 文摘报道了近年来在ＨｇＣｄＴｅ分子束外延柔性制造技术研究中取得的初步结果，并对面临的任务进行了讨论。研究表明：ＨｇＣｄＴｅ分子束外延薄膜具有很好的组分均匀性、表面形貌、电学参数以及组分可重复性。用分子束外延ＨｇＣｄＴｅ薄膜成功地研制出了３２×３２红外焦平面器件。; 关键词分子束外延焦平面探测器红外探测器 HGCDTE; Keywords MBE, Focal plane arrays, HgCdTe; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Be基蓝绿激光器载流子约束的LCAO理论研究被引量：1: 3; 作者王善忠何力沈学础; 机构中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料研究中心及红外物理国家重点实验室; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 1998年第1期1-9,共9页; 基金国家杰出青年基金上海市应用物理中心资助; 文摘本征的强离子性，使ZnSe基半导体蓝绿激光器易于形成堆垛层错等退化缺陷，严重地影响了器件的寿命。人们便开始将注意力投向离子性较低的Be基化合物，希望用Be基Ⅱ-Ⅵ族材料取代ZnSe基材料，抑制蓝绿激光器的退化。要研制半导体激光器，电学限制层对发光活性层中载流子的约束能力（即能带的offset值）是最重要的基本参数之一。由于对Be基化合物的了解十分有限，本文从基本的原子参数出发，用原子轨道线性组合（LCAO）理论计算了所有Ⅱ-Ⅵ族化合物价带顶的相对位置，结合带隙的实验值，给出了Ⅱ-Ⅵ族化合物导带底的相对位置。简要分析了二元化合物用于BeTe中载流于约束的可能性。根据虚晶近似，用插值方法计算了与GaAs匹配的Be基四元合金相对与BeTe价带、导带的offset。对各四元合金的特征进行了分析对比，讨论了Be基四元合金用作我流子约束层的可能性。为制作Be基半导体蓝绿激光器提供了能带剪裁的理论依据。; 关键词蓝绿激光器 LCAO理论半导体激光器; Keywords Be-based Ⅱ-Ⅳ compounds, blue/green laser diodes, carrier comfinement,LCAO theory; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型蓝绿发光材料Znse/BeTe超晶格的能带剪裁: 4; 作者王善忠何力沈学础; 机构中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料研究中心及红外物理国家重点实验室; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 1998年第3期245-252,共8页; 基金国家杰出青年基金上海市应用物理中心资助; 文摘由于器件的快速退化，101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制，发现在强电流注入的半导体激光器中，热退化具有重要影响。研究表明，用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金（如ZnMgSSe）只能对ZnSe中的电子有效地限制，无法对空穴很好地限制;而对BeTe，却只能对空穴进行有效的限制，无法对电子很好地限制。这导致ZnSe（或BeTe）活性层空穴（或电子）漏电发热，引起退化。本文提出以ZnSe／BeTe超晶格为蓝绿发光层，并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响，考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。; 关键词包络函数理论能带剪裁蓝绿色半导体激光器; Keywords ZnSe/BeTe superlattice, envelope function theory, energyband tailoring, blue/green semiconductor laser diode; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究	王善力于梅芳乔怡敏杨建荣巫艳袁诗鑫何力	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1998	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	HgCdTe分子束外延柔性制造技术研究	何力杨建荣王善力巫艳方维政张勤跃	《高技术通讯》 EI CAS CSCD	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Be基蓝绿激光器载流子约束的LCAO理论研究	王善忠何力沈学础	《量子电子学报》 CAS CSCD	1998	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	新型蓝绿发光材料Znse/BeTe超晶格的能带剪裁	王善忠何力沈学础	《量子电子学报》 CAS CSCD	1998	0	在线阅读下载PDF 职称材料