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分子束外延HgCdTe表面缺陷研究
被引量：
4
1
作者
陈路
巫艳
+3 位作者
于梅芳
王善力
乔怡敏
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期406-410,共5页
采用 Ga As作为衬底研究了 Hg Cd Te MBE薄膜的表面缺陷 .借助 SEM分析了不同缺陷的成核机制 ,确定了获得良好表面形貌所需的最佳生长条件 .发现 Hg Cd Te外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关 .获得的外延层表面...
采用 Ga As作为衬底研究了 Hg Cd Te MBE薄膜的表面缺陷 .借助 SEM分析了不同缺陷的成核机制 ,确定了获得良好表面形貌所需的最佳生长条件 .发现 Hg Cd Te外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关 .获得的外延层表面缺陷 (尺寸大于 2 μm)平均密度为 30 0 cm- 2 ,筛选合格率为 6 5 % .
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关键词
分子束外延
HGCDTE
表面缺陷
薄膜
汞
镉
碲
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职称材料
题名
分子束外延HgCdTe表面缺陷研究
被引量：
4
1
作者
陈路
巫艳
于梅芳
王善力
乔怡敏
何力
机构
中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心及国家红外物理重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期406-410,共5页
基金
国家自然科学基金 (编号 6 942 5 0 0 2 )~~
文摘
采用 Ga As作为衬底研究了 Hg Cd Te MBE薄膜的表面缺陷 .借助 SEM分析了不同缺陷的成核机制 ,确定了获得良好表面形貌所需的最佳生长条件 .发现 Hg Cd Te外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关 .获得的外延层表面缺陷 (尺寸大于 2 μm)平均密度为 30 0 cm- 2 ,筛选合格率为 6 5 % .
关键词
分子束外延
HGCDTE
表面缺陷
薄膜
汞
镉
碲
Keywords
MBE
HgCdTe
surface defects
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
分子束外延HgCdTe表面缺陷研究
陈路
巫艳
于梅芳
王善力
乔怡敏
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
4
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