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碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究被引量：5: 1; 作者刘从峰方维政 +3 位作者涂步华孙士文杨建荣何力《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第6期759-763,共5页; 大面积、高质量碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,而腐蚀法是常用的揭示碲锌镉晶体缺陷和评价晶体质量的方法之一。对碲锌镉晶体常用的Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种腐蚀剂在碲锌镉材料(111)晶面上的腐蚀坑坑... 展开更多; 关键词腐蚀坑碲锌镉碲镉汞红外焦平面缺陷; 在线阅读下载PDF 职称材料

碲锌镉晶体第二相夹杂物特性研究被引量：1: 2; 作者刘从峰孙士文 +2 位作者方维政杨建荣何力《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期46-49,共4页; 高质量的碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,然而目前碲锌镉材料中的第二相夹杂物严重制约着晶体的质量.根据红外透射形貌的描述和表征,碲锌镉晶体的常见夹杂物被分成了五类,并在此基础上讨论了各自的形成机制,A、B和... 展开更多; 关键词第二相夹杂物碲锌镉腐蚀坑碲镉汞红外焦平面; 在线阅读下载PDF 职称材料

碲锌镉表面腐蚀坑所对应缺陷的特性研究: 3; 作者刘从峰方维政 +3 位作者涂步华孙士文杨建荣何力《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期849-852,共4页; 文中通过使用Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种常用腐蚀剂对碲锌镉材料的腐蚀坑空间分布特性进行研究,结果显示,20μm厚的(111)晶片A、B面上的腐蚀坑在空间位置上不存在对应关系,这表明腐蚀坑所对应的缺陷不是具有穿越特性的位错。腐... 展开更多; 关键词碲锌镉腐蚀坑密度位错微沉淀缺陷热处理; 在线阅读下载PDF 职称材料

HgCdTe分子束外延薄膜的应变弛豫被引量：3: 4; 作者方维政王元樟 +4 位作者巫艳刘从峰魏彦锋王庆学杨建荣何力《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期325-328,332,共5页; 对不同衬底上外延生长的HgCdTe薄膜进行了倒易点二维图测试 ,分析了外延层与衬底之间的结构取向关系以及晶格常数的失配现象 .通过测定Cd1-yZnyTe衬底上的HgCdTe外延层的应变弛豫状况 ,获得了晶格匹配条件时衬底Zn组分的准确值 .实验结... 展开更多; 关键词外延层衬底晶格失配分子束外延晶格匹配外延生长二维弛豫配位 CDTE薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变被引量：2: 5; 作者王元樟陈路 +4 位作者巫艳吴俊于梅芳方维政何力《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期861-863,共3页; 文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构... 展开更多; 关键词 CdTe/Si 倒易点二维扫描图剪切应变正应变分子束外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的剪切应变: 6; 作者王元樟陈路 +4 位作者巫艳吴俊于梅芳方维政何力《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第4期429-431,494,共4页; 利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe缓冲层的剪切应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚... 展开更多; 关键词 CdTe/Si 倒易点二维扫描图剪切应变分子束外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变: 7; 作者王元樟陈路 +4 位作者巫艳吴俊于梅芳方维政何力《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期729-733,共5页; 本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析。研究显示,对于一... 展开更多; 关键词 CdTe/GaAs CdTe/Si 热应变高分辨率多重晶多重反射X射线衍射分子束外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

固液界面附近CdZnTe晶体组份分布及X-Ray测试: 8; 作者涂步华方维政 +3 位作者刘从峰孙士文杨建荣何力《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期853-856,共4页; 利用对垂直布里奇曼Bridgman法生长中的Cd1-xZnxTe晶体停电自然降温的方法获得了具有不同凝固速率的同一块单晶样品。通过红外透射光谱测量方法对停电自然降温前后的单晶区域进行比较,结果显示:停电自然降温后,在固液界面附近存在一个... 展开更多; 关键词 Cd1-xZnxTe 快速降温 Zn组份 X-RAY; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究被引量：5: 1; 作者刘从峰方维政涂步华孙士文杨建荣何力; 机构中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第6期759-763,共5页; 基金国家自然科学基金委创新研究群体科学基金支持(60221502); 文摘大面积、高质量碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,而腐蚀法是常用的揭示碲锌镉晶体缺陷和评价晶体质量的方法之一。对碲锌镉晶体常用的Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种腐蚀剂在碲锌镉材料(111)晶面上的腐蚀坑坑形进行了研究,结果发现,EAg2腐蚀剂在(111)B面上的腐蚀坑为平底坑,Everson腐蚀剂在(111)B面上产生的腐蚀坑包括平底坑和带有不同倾斜方向坑底的三角锥形坑,进一步的研究还表明,三角锥形坑并未沿着坑底的倾斜方向向下延伸。实验中也首次观察到了EAg腐蚀剂的黑白平底坑。对常用腐蚀剂的坑形特性研究,将有助于更好地利用腐蚀剂开展碲锌镉材料缺陷研究和晶体质量评价工作。; 关键词腐蚀坑碲锌镉碲镉汞红外焦平面缺陷; Keywords Etch pit CdZnTe MCT IRFPA Defects; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碲锌镉晶体第二相夹杂物特性研究被引量：1: 2; 作者刘从峰孙士文方维政杨建荣何力; 机构中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期46-49,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60606026); 文摘高质量的碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,然而目前碲锌镉材料中的第二相夹杂物严重制约着晶体的质量.根据红外透射形貌的描述和表征,碲锌镉晶体的常见夹杂物被分成了五类,并在此基础上讨论了各自的形成机制,A、B和C类夹杂物与化学配比及其变化密切相关,而D和E类夹杂物与源材料中或者在生长工艺控制过程中氧含量相关.进一步的研究表明大尺寸、高密度的Te夹杂物将会严重降低红外透过率,同时腐蚀坑密集分布在与Cd夹杂对应的六重对称线上,该结果揭示了第二相夹杂物会产生其他缺陷的增殖,但夹杂物引起的应力影响区域是局限的.; 关键词第二相夹杂物碲锌镉腐蚀坑碲镉汞红外焦平面; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碲锌镉表面腐蚀坑所对应缺陷的特性研究: 3; 作者刘从峰方维政涂步华孙士文杨建荣何力; 机构中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期849-852,共4页; 基金中国自然科学基金委创新研究群体科学基金(No.60221502)的支持; 文摘文中通过使用Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种常用腐蚀剂对碲锌镉材料的腐蚀坑空间分布特性进行研究,结果显示,20μm厚的(111)晶片A、B面上的腐蚀坑在空间位置上不存在对应关系,这表明腐蚀坑所对应的缺陷不是具有穿越特性的位错。腐蚀坑的空间局限性特征和热处理后腐蚀坑密度(EPD)减少等实验结果表明,腐蚀坑更有可能对应某种微沉淀物缺陷,将目前常用腐蚀剂的EPD作为碲锌镉材料的位错密度是缺乏实验依据的。; 关键词碲锌镉腐蚀坑密度位错微沉淀缺陷热处理; Keywords CdZnTe etch pit density（EPD） dislocations precipitations annealing; 分类号 TN304.25 [电子电信—物理电子学] O472.1 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HgCdTe分子束外延薄膜的应变弛豫被引量：3: 4; 作者方维政王元樟巫艳刘从峰魏彦锋王庆学杨建荣何力; 机构中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期325-328,332,共5页; 基金中科院知识创新工程资助项目 (KGCX2 SWJG 0 6) 国家自然科学基金资助项目 ( 60 2 2 15 0 2 5 0 2 760 3 6) .; 文摘对不同衬底上外延生长的HgCdTe薄膜进行了倒易点二维图测试 ,分析了外延层与衬底之间的结构取向关系以及晶格常数的失配现象 .通过测定Cd1-yZnyTe衬底上的HgCdTe外延层的应变弛豫状况 ,获得了晶格匹配条件时衬底Zn组分的准确值 .实验结果还表明 :HgCdTe外延层与晶格失配的衬底之间存在着倾角 ,该倾角随失配度的增大而增大 ;当衬底失配度较小时 ,非对称倒易点二维图显示外延层并不处于全应变状态 ,而是处于应力部分释放状态 ;相反 ,当外延层晶格失配产生的应力全部释放时 ,外延层包含着较大的失配位错 ,摇摆曲线半峰宽展宽较大 .; 关键词外延层衬底晶格失配分子束外延晶格匹配外延生长二维弛豫配位 CDTE薄膜; Keywords HgCdTe Cd1-yZnyTe substrate reciprocal lattice mapping misfit dislocation FWHM; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学] O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变被引量：2: 5; 作者王元樟陈路巫艳吴俊于梅芳方维政何力; 机构中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期861-863,共3页; 文摘文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,[1-1-1]、[01-1]两个方向的剪切角γ[1-1-1]和[γ01-1]都有变小的趋势,且γ[1-1-1]的大小约为[γ01-1]的两倍;对于CdTe/ZnTe/Si,ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变。CdTe层的正应变表现为张应变,主要来源于CdTe和Si的热膨胀系数存在差异,而在从生长温度280℃降至室温20℃的过程产生的热应变。; 关键词 CdTe/Si 倒易点二维扫描图剪切应变正应变分子束外延; Keywords CdTe/Si two dimension reciprocal space mapping shear strain strain molecular-beam epitaxy; 分类号 O472.1 [理学—半导体物理] TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的剪切应变: 6; 作者王元樟陈路巫艳吴俊于梅芳方维政何力; 机构中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第4期429-431,494,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60221502); 文摘利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe缓冲层的剪切应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,[1-1-1]、[01-1]两个方向的剪切角[γ1-1-1]和[γ01-1]都有变小的趋势,且[γ1-1-1]的大小约为[γ01-1]的两倍;对于CdTe/ZnTe/Si结构,ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变。; 关键词 CdTe/Si 倒易点二维扫描图剪切应变分子束外延; Keywords CdTe/Si Two dimension reciprocal space mapping Shear strain Molecular beam epitaxy（MBE）; 分类号 O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变: 7; 作者王元樟陈路巫艳吴俊于梅芳方维政何力; 机构中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期729-733,共5页; 基金国家自然科学基金(No.60221502) 中国科学院上海技术物理所创新项目资助; 文摘本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析。研究显示,对于一定厚度的CdTe外延薄膜,在从生长温度280℃降至室温20℃的过程中,由于和衬底存在热膨胀系数的差异,将在外延薄膜中产生热应力,使外延薄膜发生应变,并且这种应变取代了失配应变,在晶格畸变中占据主导地位。对于Si衬底,热应变表现为张应力;对于GaAs衬底,热应变表现为压应力。该研究结果对于进一步优化在大失配的异质衬底上外延同Hg1-xCdxTe材料晶格匹配的Cd1-yZnyTe材料的Zn组分具有指导意义。; 关键词 CdTe/GaAs CdTe/Si 热应变高分辨率多重晶多重反射X射线衍射分子束外延; Keywords CdTe/GaAs CdTe/Si thermal strain high-resolution multi-crystal multi-reflection X-ray diffraction （HRMCMRXD） molecular-beam epitaxy （MBE）; 分类号 O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名固液界面附近CdZnTe晶体组份分布及X-Ray测试: 8; 作者涂步华方维政刘从峰孙士文杨建荣何力; 机构中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期853-856,共4页; 基金国家自然科学基金项目(No.50276036); 文摘利用对垂直布里奇曼Bridgman法生长中的Cd1-xZnxTe晶体停电自然降温的方法获得了具有不同凝固速率的同一块单晶样品。通过红外透射光谱测量方法对停电自然降温前后的单晶区域进行比较,结果显示:停电自然降温后,在固液界面附近存在一个明显的组份过度区,正常凝固的晶体组份分布比较均匀,而快速凝固的结晶区域轴向组份分布梯度较大,同时,通过X-Ray测试结果进一步准确判断固液界面的位置。; 关键词 Cd1-xZnxTe 快速降温 Zn组份 X-RAY; Keywords Cd1-xZn, Te suddenly cool Zn concentration X-ray; 分类号 O485 [理学—固体物理] TN304.25 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究	刘从峰方维政涂步华孙士文杨建荣何力	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2006	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	碲锌镉晶体第二相夹杂物特性研究	刘从峰孙士文方维政杨建荣何力	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	碲锌镉表面腐蚀坑所对应缺陷的特性研究	刘从峰方维政涂步华孙士文杨建荣何力	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	HgCdTe分子束外延薄膜的应变弛豫	方维政王元樟巫艳刘从峰魏彦锋王庆学杨建荣何力	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2004	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变	王元樟陈路巫艳吴俊于梅芳方维政何力	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2005	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的剪切应变	王元樟陈路巫艳吴俊于梅芳方维政何力	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变	王元樟陈路巫艳吴俊于梅芳方维政何力	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	固液界面附近CdZnTe晶体组份分布及X-Ray测试	涂步华方维政刘从峰孙士文杨建荣何力	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料