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面向弱光探测的短波红外异质结光电晶体管器件仿真设计
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作者 廖科才 黄敏 +3 位作者 王楠 梁钊铭 周易 陈建新 《红外与毫米波学报》 北大核心 2025年第2期144-152,共9页
探测器灵敏度是红外探测器的核心技术指标。短波红外探测器暗电流低,其探测灵敏度受到探测系统固有的读出电路噪声限制,而在探测器中引入内增益是进一步提升探测灵敏度的有效途径。异质结光电晶体管具有高增益、低工作偏压和低过剩噪声... 探测器灵敏度是红外探测器的核心技术指标。短波红外探测器暗电流低,其探测灵敏度受到探测系统固有的读出电路噪声限制,而在探测器中引入内增益是进一步提升探测灵敏度的有效途径。异质结光电晶体管具有高增益、低工作偏压和低过剩噪声等优点,为高灵敏探测的实现提供了新的途径。本文主要针对InGaAs/GaAsSb Ⅱ类超晶格短波红外光电晶体管展开了仿真设计,研究了不同器件尺寸结构与器件光电特性之间的影响关系。结果显示,更小的基区尺寸能实现更高的电流增益、更低的暗电流和更短的响应时间。基于器件尺寸结构的优化设计,可以获得噪声等效光子数优于10的探测灵敏度,为实现高灵敏度异质结光电晶体管探测器提供了新的技术途径。 展开更多
关键词 短波红外 光电晶体管 高增益 噪声等效光子数
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碲镉汞红外焦平面器件技术进展 被引量:21
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作者 丁瑞军 杨建荣 +7 位作者 何力 胡晓宁 陈路 林春 廖清君 叶振华 陈洪雷 魏彦锋 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第1期85-91,共7页
近十年碲镉汞第二代红外焦平面探测器应用呈现爆发式增长,也是第三代焦平面技术快速发展的十年。文中对近十年来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了简单的回顾,并结合碲镉汞红外焦平面探测器的应用,对在碲镉汞红外焦平面探测器技... 近十年碲镉汞第二代红外焦平面探测器应用呈现爆发式增长,也是第三代焦平面技术快速发展的十年。文中对近十年来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了简单的回顾,并结合碲镉汞红外焦平面探测器的应用,对在碲镉汞红外焦平面探测器技术方面的研究工作和工程应用进行了总结,最后,对未来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了展望。 展开更多
关键词 红外焦平面 碲镉汞 分子束外延 液相外延 读出电路
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微型长波近红外物联网节点及实验研究 被引量:10
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作者 王绪泉 黄松垒 +3 位作者 于月华 叶捷敏 邵秀梅 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期42-46,共5页
研制基于线性渐变滤光片和InGaAs焦平面的微型化物联网节点,实现长波近红外光谱数据的采集和无线传输,针对节点的波长范围、分辨率、波长准确性和波长稳定性等参数指标开展性能研究实验.实验结果表明,节点的波长范围为950~1 700 nm,光... 研制基于线性渐变滤光片和InGaAs焦平面的微型化物联网节点,实现长波近红外光谱数据的采集和无线传输,针对节点的波长范围、分辨率、波长准确性和波长稳定性等参数指标开展性能研究实验.实验结果表明,节点的波长范围为950~1 700 nm,光谱分辨率随波长增加而增大,约为峰值波长的1%,与滤光片特性相符,波长准确性优于1.3 nm,波长重复性优于0.1 nm,可以满足物联网中的近红外光谱分析应用需求. 展开更多
关键词 光谱学 物联网节点 InGaAs焦平面阵列 线性渐变滤光片 无线通信
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红外焦平面列级ADC数字读出电路测试技术研究 被引量:5
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作者 岑懿群 张君玲 +1 位作者 陈洪雷 丁瑞军 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第4期94-101,共8页
数字化红外焦平面器件是焦平面发展的重要方向,其核心是读出电路集成高性能模数转换器(ADC)。分析了读出电路数字化输出后焦平面性能参数的评价方法,阐述了红外焦平面列级ADC的静态测试和动态测试方法,提出了基于斜坡电压输入的过采样... 数字化红外焦平面器件是焦平面发展的重要方向,其核心是读出电路集成高性能模数转换器(ADC)。分析了读出电路数字化输出后焦平面性能参数的评价方法,阐述了红外焦平面列级ADC的静态测试和动态测试方法,提出了基于斜坡电压输入的过采样原理测试ADC静态性能,提升无误码分辨率测试正确性。针对ADC静态测试和动态测试要求,结合Labview软件和数字采集卡搭建了软硬件测试平台,并通过一款数字焦平面芯片的测试,验证了测试方法和平台适用于行列级ADC数字化读出电路的测试评价。 展开更多
关键词 红外焦平面 高性能ADC 静态参数 动态参数 测试平台
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大规模电阻阵红外景象产生器件的像素设计研究 被引量:1
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作者 翟叼豪 陈永平 +1 位作者 翟厚明 马斌 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第10期11-20,共10页
电阻阵作为一种动态红外景象产生器件,在红外半实物仿真领域有着重要的应用。电阻阵可实现的规模与性能与红外微辐射像素列阵的设计有着密切的关系。文中从应用系统对大规模电阻阵器件的要求出发,结合电阻阵的工作原理,提出了像素驱动... 电阻阵作为一种动态红外景象产生器件,在红外半实物仿真领域有着重要的应用。电阻阵可实现的规模与性能与红外微辐射像素列阵的设计有着密切的关系。文中从应用系统对大规模电阻阵器件的要求出发,结合电阻阵的工作原理,提出了像素驱动电路与MEMS结构一体化的设计方案,设计了规模可拓展的高占空比像素结构。通过采用高消光系数材料以及光学谐振腔结构,微辐射元的中波红外和长波红外的表面发射率达0.7。热力学仿真表明,通过合理的薄膜厚度和结构设计,微辐射元阵列的占空比达到51%,升、降温的热响应时间均小于5 ms,0.6 mW功率驱动下应力翘曲小于300 nm,长波红外表观温度可达582 K,中波红外表观温度可达658 K。结合设计方案提出了工艺制备方案,并通过小阵列流片初步验证了设计方案的可行性。该设计研究为国产大规模、高占空比电阻阵的研制指明了方向。 展开更多
关键词 电阻阵 红外仿真 微辐射元 红外表观温度 占空比
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短波红外InGaAs焦平面研究进展 被引量:17
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作者 李雪 龚海梅 +7 位作者 邵秀梅 李淘 黄松垒 马英杰 杨波 朱宪亮 顾溢 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期129-138,共10页
围绕新一代遥感探测仪器应用需求,中国科学院上海技术物理研究所在短波红外InGaAs焦平面探测器领域取得了一系列进展。通过低缺陷外延材料、焦平面芯片制备工艺和低噪声读出电路技术研究,研制实现了最大规模达2560×2048元的10μm... 围绕新一代遥感探测仪器应用需求,中国科学院上海技术物理研究所在短波红外InGaAs焦平面探测器领域取得了一系列进展。通过低缺陷外延材料、焦平面芯片制备工艺和低噪声读出电路技术研究,研制实现了最大规模达2560×2048元的10μm中心距1~1.7μm InGaAs焦平面探测器,峰值探测率优于1.0×10^(13)cmHz^(1/2)/W,有效像素率达到99.7%;研制实现了1280×1024元15μm中心距的1~2.5μm延伸波长探测器,峰值探测率优于5.0×10^(11)cmHz^(1/2)/W;发展了新体制新结构器件,研制了单片集成4向偏振功能的160×128元偏振焦平面探测器,消光比优于37:1;研制了64×64元盖革雪崩焦平面探测器,时间分辨率达到0.8 ns。 展开更多
关键词 铟镓砷 焦平面 短波红外 暗电流 偏振探测 雪崩倍增
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50mm×50mm高性能HgCdTe液相外延材料的批生产技术 被引量:11
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作者 孙权志 孙瑞赟 +5 位作者 魏彦锋 孙士文 周昌鹤 徐超 虞慧娴 杨建荣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期49-53,59,共6页
采用富碲垂直液相外延技术实现了50 mm×50 mm×3高性能碲镉汞外延材料的制备.外延工艺的样品架采用了三角柱体结构,并设计了防衬底背面粘液的样品夹具.为保证大面积材料的均匀性,工艺中加强了对母液温度均匀性和组分均匀性的控... 采用富碲垂直液相外延技术实现了50 mm×50 mm×3高性能碲镉汞外延材料的制备.外延工艺的样品架采用了三角柱体结构,并设计了防衬底背面粘液的样品夹具.为保证大面积材料的均匀性,工艺中加强了对母液温度均匀性和组分均匀性的控制,50 mm×50 mm外延材料的组分均方差达到了0.000 4,厚度均方差达到了0.4μm.在批量生产技术中,加强了对单轮次生长环境的均匀性和生长轮次之间生长条件一致性的控制,同一轮次生长的3片材料之间的组分偏差小于0.000 4,厚度偏差小于0.1μm,不同生长轮次之间材料的组分之间的波动在±0.002左右,厚度之间的波动在±2μm左右.工艺中对碲锌镉衬底的Zn组分、缺陷尺寸和缺陷密度也加强了控制,以控制大面积外延材料的缺陷,晶体双晶衍射半峰宽(FWHM)小于30弧秒,外延材料的位错密度小于1×105cm^(-2),表面缺陷密度小于5 cm^(-2).外延材料经过热处理后,汞空位型的P型Hg0.78Cd0.22Te外延材料77 K温度下的载流子浓度被控制在8~20×1015cm-3,空穴迁移率大于600 cm2/Vs.材料整体性能和批生产能力已能满足大规模碲镉汞红外焦平面探测器的研制需求. 展开更多
关键词 碲镉汞 液相外延 大尺寸 高性能
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HgCdTe甚长波红外光伏器件的光电性能 被引量:8
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作者 解晓辉 廖清君 +5 位作者 杨勇斌 马伟平 邢雯 陈昱 周诚 胡晓宁 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第5期1141-1145,共5页
甚长波指的是波长大于14μm的波段,该波段富含大量的信息,包括大气中的湿度和CO2的含量,以及云层的结构和温度的轮廓,这些对大气遥感探测是必须的。采用在CdZnTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子注入形成平面结,制成了在... 甚长波指的是波长大于14μm的波段,该波段富含大量的信息,包括大气中的湿度和CO2的含量,以及云层的结构和温度的轮廓,这些对大气遥感探测是必须的。采用在CdZnTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子注入形成平面结,制成了在液氮温度下,截止波长达到14μm的单元变面积结构和小的焦平面器件。测试结果显示,甚长波器件有反向的开启现象,可能是甚长波器件表面发生反型造成的。单元变面积器件的测试结果显示,甚长波表面电流与体电流是可以比拟的,即表面漏电较大。而变温测试发现,甚长波器件在温度低于50K时,隧穿电流占主导。在60μm×60μm中心距的小面阵器件中,50μm×50μm的光敏元I-V特性最差。 展开更多
关键词 碲镉汞 甚长波 I-V曲线 变面积
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InAs/GaSb超晶格中波焦平面材料的分子束外延技术 被引量:7
9
作者 徐庆庆 陈建新 +3 位作者 周易 李天兴 吕翔 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期406-408,438,共4页
报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长技术研究.通过改变GaSb衬底上分子束外延InAs/GaSb超晶格材料的衬底温度,以及界面的优化等,改善超晶格材料的表面形貌和晶格失配,获得了晶格失配Δa/a=1.5×10-4,原子级平整表面的InA... 报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长技术研究.通过改变GaSb衬底上分子束外延InAs/GaSb超晶格材料的衬底温度,以及界面的优化等,改善超晶格材料的表面形貌和晶格失配,获得了晶格失配Δa/a=1.5×10-4,原子级平整表面的InAs/GaSb超晶格材料,材料77 K截止波长为4.87μm. 展开更多
关键词 INAS/GASB 超晶格 分子束外延
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化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究 被引量:1
10
作者 乔辉 陈心恬 +4 位作者 赵水平 兰添翼 王妮丽 朱龙源 李向阳 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第12期1-5,共5页
针对化学机械抛光工艺对碲镉汞材料所产生的亚表面损伤层进行了研究。利用椭圆偏振光谱方法对经过腐蚀剥层的碲镉汞材料表面进行了光学表征,认为化学机械抛光工艺造成的亚表面损伤层的深度大概为抛光工艺中所使用研磨颗粒直径的15~20倍... 针对化学机械抛光工艺对碲镉汞材料所产生的亚表面损伤层进行了研究。利用椭圆偏振光谱方法对经过腐蚀剥层的碲镉汞材料表面进行了光学表征,认为化学机械抛光工艺造成的亚表面损伤层的深度大概为抛光工艺中所使用研磨颗粒直径的15~20倍。通过少子寿命表征和光导器件性能的对比测试,认为将该亚表面损伤层完全去除后,材料的少子寿命和器件的光电性能会得到明显的提高。 展开更多
关键词 化学机械抛光 亚表面损伤 椭圆偏振 少子寿命 碲镉汞
全文增补中
微型近红外物联网节点的传感器输出数字化应用研究 被引量:8
11
作者 魏杨 王绪泉 +4 位作者 魏永畅 刘煦 黄张成 黄松垒(指导) 方家熊(指导) 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第9期31-36,共6页
物联网光谱分析技术的兴起,推动近红外光谱传感器向着微型化、数字化和智能化方向发展。针对InGaAs焦平面数字化、智能化的发展需求,研究InGaAs光谱组件输出数字化方案。设计一种集成自研ADC的数字化光谱传感电路,并研制了新型微型近红... 物联网光谱分析技术的兴起,推动近红外光谱传感器向着微型化、数字化和智能化方向发展。针对InGaAs焦平面数字化、智能化的发展需求,研究InGaAs光谱组件输出数字化方案。设计一种集成自研ADC的数字化光谱传感电路,并研制了新型微型近红外光谱节点。该节点内部集成202个有效光谱通道,波长范围为900~1 700 nm,光谱分辨率优于16 nm,波长准确性小于1 nm,波长重复性优于0.3 nm,节点系统信噪比约为500:1,帧扫描时间约3 ms。研究结果表明:该微型物联网光谱节点满足近红外光谱分析实际应用需求,为传感器片上数字化输出发展和近红外光谱分析物联网应用提供技术支持。 展开更多
关键词 物联网节点 数字化 近红外 InGaAs焦平面
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碲锌镉材料腐蚀坑及其缺陷特性研究 被引量:3
12
作者 崔晓攀 方维政 +2 位作者 张传杰 刘从峰 杨建荣 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2010年第3期405-410,共6页
跟踪观察了Everson腐蚀剂在碲锌镉晶体(111)B面形成的腐蚀坑的形貌特征和空间延伸特性,并分析了各种腐蚀坑所对应的缺陷的特征。研究表明:碲锌镉材料的腐蚀坑具有三角锥型坑、平底三角坑、彗星状腐蚀坑和不规则腐蚀坑4种类型,其中三角... 跟踪观察了Everson腐蚀剂在碲锌镉晶体(111)B面形成的腐蚀坑的形貌特征和空间延伸特性,并分析了各种腐蚀坑所对应的缺陷的特征。研究表明:碲锌镉材料的腐蚀坑具有三角锥型坑、平底三角坑、彗星状腐蚀坑和不规则腐蚀坑4种类型,其中三角锥型坑的坑尖又有5种不同的空间取向。彗星状腐蚀坑、三角锥型坑和不规则腐蚀坑具有定向移动特性。这表明这类腐蚀坑所对应的缺陷与材料的位错相关,但其穿越深度都不超过18μm,即缺陷同时具有局域化的特性。没有观测到平底三角坑的空间延伸特性,其所对应的缺陷可能是材料中的微沉淀缺陷。研究还发现:对于不同样品,各类腐蚀坑的数量和比例可有很大差异。而且,有些腐蚀坑所揭示的缺陷在被观察位置已经消失。因此,简单地用腐蚀坑密度(EPD)来描述碲锌镉材料表面缺陷密度和性能是不准确的。 展开更多
关键词 碲锌镉 缺陷 位错 腐蚀坑
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短波红外InGaAs线性焦平面数字化输出研究(英文) 被引量:6
13
作者 魏杨 王绪泉 +2 位作者 黄张成 黄松垒 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期257-260,268,共5页
提出了一种适用于短波红外铟镓砷线性焦平面的数字化输出研究.针对实验室自主研制出的短波红外256×1铟镓砷焦平面,结合SAR ADC的基本原理,以高分辨率、低功耗、小面积为设计原则,设计一款逐次逼近(SAR)模数转换器.ADC采用0.18μm C... 提出了一种适用于短波红外铟镓砷线性焦平面的数字化输出研究.针对实验室自主研制出的短波红外256×1铟镓砷焦平面,结合SAR ADC的基本原理,以高分辨率、低功耗、小面积为设计原则,设计一款逐次逼近(SAR)模数转换器.ADC采用0.18μm CMOS工艺流片,采用3.3 V电压供电,采样率235 KS/s,功耗460μW,信噪比66.6 dB.将ADC芯片与256×1铟镓砷焦平面在变积分时间条件下进行耦合测试.结果表明ADC芯片可以满足短波红外线列256×1铟镓砷焦平面的应用需求. 展开更多
关键词 短波红外 线列256×1铟镓砷焦平面 模数转化器 逐次逼近
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一种单一增益下实现红外探测器大动态范围读出方法研究 被引量:1
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作者 汪鸿祎 张思韬 +3 位作者 王绪泉 张永刚 黄松垒 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期923-929,共7页
目前红外探测器采用传统读出方法很难通过一次积分实现其本身的动态范围。为实现红外探测器的大动态范围不换档读出,引入脉冲频率调制(Pulse Frequency Modulation,PFM)结构,同时为保证弱信号时的注入效率,结合CTIA输入级,对红外探测器... 目前红外探测器采用传统读出方法很难通过一次积分实现其本身的动态范围。为实现红外探测器的大动态范围不换档读出,引入脉冲频率调制(Pulse Frequency Modulation,PFM)结构,同时为保证弱信号时的注入效率,结合CTIA输入级,对红外探测器不换档大动态范围读出方法进行研究。提出一种CTIA输入级脉冲频率调制(PFM)读出方法,在系统级层面搭建实验系统并结合短波红外InGaAs单元探测器进行数字量化实验。详细分析了强信号时由系统结构延迟时间引起的转换线性度问题,并建立非理想条件下的数字量化转换模型。实验结果显示,提出的CTIA输入级PFM红外探测器读出方法动态范围达到97 dB,为红外探测器不换档大动态范围读出提供了一种可行方案,并为数字化读出电路设计奠定理论基础。 展开更多
关键词 脉冲频率调制 CTIA输入级 大动态范围 铟镓砷 数字化读出
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集成滤光片型近红外光谱组件的时空域性能改善研究 被引量:1
15
作者 王绪泉 黄松垒 +3 位作者 柯鹏瑜 刘梦璇 赵振力 方家熊 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期191-197,共7页
提出针对线性渐变滤光片型近红外光谱组件的时空域性能改善方法,并通过研制微型化512×2元InGaAs光谱组件,结合多帧数据融合算法完成了实验验证。光谱通道采用基于多次测量的两列相邻光敏元动态组合实现,相比单个大光敏元作为光谱通... 提出针对线性渐变滤光片型近红外光谱组件的时空域性能改善方法,并通过研制微型化512×2元InGaAs光谱组件,结合多帧数据融合算法完成了实验验证。光谱通道采用基于多次测量的两列相邻光敏元动态组合实现,相比单个大光敏元作为光谱通道,可以改善探测器盲元引起的不良影响。波长标定和测试结果表明,该光谱组件在线性渐变滤光片的分辨率限制下,可以有效减小相邻光谱通道间的波长间隔。 展开更多
关键词 铟镓砷 光谱组件 线性渐变滤光片 波长标定 近红外
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超小间距微台面InGaAs探测器光电性能研究
16
作者 田宇 于春蕾 +6 位作者 李雪 邵秀梅 李淘 杨波 于小媛 曹嘉晟 龚海梅 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2024年第6期755-761,共7页
超小中心距InGaAs探测器的制备需要降低探测器像元间的串音和探测器的暗电流。通过探索微台面InGaAs探测器制备工艺,成功制备了10µm和5µm中心距微台面InGaAs光敏芯片测试结构,并对其像元间的串音和探测器的暗电流进行了详细... 超小中心距InGaAs探测器的制备需要降低探测器像元间的串音和探测器的暗电流。通过探索微台面InGaAs探测器制备工艺,成功制备了10µm和5µm中心距微台面InGaAs光敏芯片测试结构,并对其像元间的串音和探测器的暗电流进行了详细研究。结果表明,当隔离沟槽刻蚀进入吸收层时,微台面结构能有效抑制像元间的串音;但是由于在制备微台面器件过程中造成的材料损伤,由此引起的复合电流和欧姆漏电流的增加,会导致探测器暗电流增幅超过一个数量级。研究结果为制备超小中心距InGaAs焦平面探测器提供了新思路和启示。 展开更多
关键词 铟镓砷 微台面 串音 暗电流
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消除CDS折叠效应的增益自适应红外焦平面读出电路
17
作者 吴双 张健怡 +1 位作者 陈洪雷 丁瑞军 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第5期83-94,共12页
高动态范围是红外焦平面探测技术的先进发展方向之一。高集成度像元读出电路的动态范围受到小电荷存储容量和噪声的限制。所设计的增益自适应像元读出电路,小信号下为电容反馈跨阻放大器(CTIA),大信号下自动转换为变阻抗电阻反馈跨阻放... 高动态范围是红外焦平面探测技术的先进发展方向之一。高集成度像元读出电路的动态范围受到小电荷存储容量和噪声的限制。所设计的增益自适应像元读出电路,小信号下为电容反馈跨阻放大器(CTIA),大信号下自动转换为变阻抗电阻反馈跨阻放大器(RTIA),实现小信号大增益、大信号小增益的自动切换,将集成3.86 fF积分电容的CTIA电荷容量拓展到1.63 Me^(–)。在15μm像元中心距的像元内集成相关双采样(CDS)结构,大幅减小噪声。对CDS大信号注入产生的折叠效应进行理论分析,并设计抗折叠结构。采用180 nm 3.3V CMOS工艺,完成640×512规模的读出电路的设计、仿真、流片、测试。测试结果显示,该电路可消除CDS折叠效应,噪声电子数17 e^(–),动态范围拓展到99.66 dB。 展开更多
关键词 红外焦平面读出电路 增益自适应 抗折叠CDS CTIA 高动态范围 低噪声
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国产电阻阵列技术的发展趋势 被引量:22
18
作者 马斌 程正喜 +5 位作者 翟厚明 郭中原 刘强 张学敏 丁毅 陈瑶 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第12期2314-2322,2327,共10页
回顾和总结了国产电阻阵列3个发展阶段的主要技术方案、优缺点和最终结果。第一代64×64电阻阵列采用了体材料微机械加工的单晶硅薄膜微型电阻,成品率较高但与CMOS工艺不兼容、均匀性差、功耗大、占空比极低、规模小;第二代128×... 回顾和总结了国产电阻阵列3个发展阶段的主要技术方案、优缺点和最终结果。第一代64×64电阻阵列采用了体材料微机械加工的单晶硅薄膜微型电阻,成品率较高但与CMOS工艺不兼容、均匀性差、功耗大、占空比极低、规模小;第二代128×128和256×256电阻阵列采用了体材料微机械加工的复合薄膜微型电阻,基本解决了工艺兼容性、均匀性、功耗等方面的问题,但占空比和规模提高有限;第三代128×128复合悬浮薄膜电阻阵列采用了薄膜转移技术,占空比显著提高,功耗明显下降,该技术有望成为今后国产电阻阵列的主流制造技术,但技术成熟度有待进一步提高。最后,对国产电阻阵列未来技术发展进行了展望、分析和探讨。 展开更多
关键词 半实物仿真 电阻阵列 硅各向异性腐蚀 薄膜转移
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320×256元InAs/GaSb II类超晶格中波红外双色焦平面探测器 被引量:9
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作者 白治中 徐志成 +5 位作者 周易 姚华城 陈洪雷 陈建新 丁瑞军 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期716-720,共5页
报道了320×256元InAs/GaSb II类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超晶格周期结构分别为7 ... 报道了320×256元InAs/GaSb II类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超晶格周期结构分别为7 ML InAs/7 ML GaSb和10 ML InAs/10 ML GaSb.焦平面阵列像元中心距为30μm.在77 K时测试,器件双色波段的50%响应截止波长分别为4.2μm和5.5μm,其中N-on-P器件平均峰值探测率达到6.0×10^(10) cmHz^(1/2)W^(-1),盲元率为8.6%;P-on-N器件平均峰值探测率达到2.3×10~9 cmHz^(1/2)W^(-1),盲元率为9.8%.红外焦平面偏压调节成像测试得到较为清晰的双波段成像. 展开更多
关键词 INAS/GASB 超晶格 双色 焦平面
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红外焦平面读出电路集成数字输出 被引量:8
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作者 高磊 翟永成 +2 位作者 梁清华 蒋大钊 丁瑞军 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第6期1686-1691,共6页
为了实现红外焦平面数字化输出,设计了一种集成片上模数转换的焦平面读出电路,包括一个512×512的读出电路单元阵列和列共享的逐次逼近寄存器型模数转换器(SAR ADC)。单元读出电路采用了直接注入(DI)结构作为输入级,输出的信号通过... 为了实现红外焦平面数字化输出,设计了一种集成片上模数转换的焦平面读出电路,包括一个512×512的读出电路单元阵列和列共享的逐次逼近寄存器型模数转换器(SAR ADC)。单元读出电路采用了直接注入(DI)结构作为输入级,输出的信号通过多路传输送到模数转换器。设计的逐次逼近型的模数转换器中的比较器采用的是由前置放大器、锁存器、自偏置差分放大器和输出驱动器组成的高速比较器,数模转换器(DAC)采用的是三段式的电荷按比例缩放和电压按比例缩放相结合的结构。在Cadence和Synopsys设计平台下对模拟和数字部分电路分别进行设计、仿真与版图设计。电路工艺采用GLOBALFOUNDRIES公司0.35μm CMOS 3.3 V工艺加工流片。测试结果显示SAR ADC有效位数为8.2位,转换频率超过150 k Samples/s,功耗低于300μW,满足焦平面100帧频以及低功耗的需求。 展开更多
关键词 红外焦平面 读出电路 片上ADC SAR DAC
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