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利用傅里叶变换测量红外焦平面器件响应光谱
被引量：
1
1
作者
王溪
林春
+3 位作者
林加木
赖嘉毅
丁瑞军
何力
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期200-203,共4页
利用傅里叶变换测量光谱的方法具有大通量、高信噪比的优势,在红外测试领域具有重要的应用价值。利用步进扫描和时间分辨的方法,可以同步傅里叶变换红外光谱仪动镜移动和焦平面器件的输出,获得高质量的干涉图,从而计算得到器件的响应光...
利用傅里叶变换测量光谱的方法具有大通量、高信噪比的优势,在红外测试领域具有重要的应用价值。利用步进扫描和时间分辨的方法,可以同步傅里叶变换红外光谱仪动镜移动和焦平面器件的输出,获得高质量的干涉图,从而计算得到器件的响应光谱。在本系统测量范围400~10000 cm-1内,所得光谱的分辨率可以达到4 cm-1。
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关键词
傅里叶变换红外光谱
红外焦平面探测器
步进扫描
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职称材料
砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能
2
作者
李海滨
林春
+3 位作者
陈兴国
魏彦峰
徐竟杰
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期403-406,共4页
采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5μm,规格为256×1的长波红外光电二极管阵列.实验设计了一种新的pn结测量方法,测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6～5.3μm之间,而其最大横向尺寸大约是设计尺...
采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5μm,规格为256×1的长波红外光电二极管阵列.实验设计了一种新的pn结测量方法,测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6～5.3μm之间,而其最大横向尺寸大约是设计尺寸的1.3倍.实验采用一种改进的表面处理工艺制备了砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列,获得了良好的电学性能,该工艺与常规表面处理工艺相比可以使器件峰值阻抗提高2个量级,而-0.5 v偏压下的动态电阻可提高约30倍.研究认为,器件性能提高的原因是由于改进工艺可以有效抑制器件表面漏电流.
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关键词
As掺HgCdT
长波HgCdTe红外光电二极管阵列
伏安特性
表面处理工艺
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职称材料
〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射-探测性能理论研究
被引量：
1
3
作者
王仍
林杏潮
+8 位作者
张丽萍
张可锋
焦翠玲
陆液
邵秀华
陆荣
葛进
胡淑红
戴宁
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期2209-2214,共6页
根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°或180°时,利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当,强于〈110〉晶向.利用...
根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°或180°时,利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当,强于〈110〉晶向.利用电光取样原理,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹探测性能,通过理论计算为〈331〉晶向ZnTe晶体有效辐射太赫兹波提供理论依据.
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关键词
太赫兹辐射
光整流效应
电光效应
ZnTe单晶
〈331〉晶向
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职称材料
题名
利用傅里叶变换测量红外焦平面器件响应光谱
被引量：
1
1
作者
王溪
林春
林加木
赖嘉毅
丁瑞军
何力
机构
中国科学院上海技术物理所红外成像材料与器件重点实验室
中国科学院
大学
哈尔滨工业大学
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期200-203,共4页
文摘
利用傅里叶变换测量光谱的方法具有大通量、高信噪比的优势,在红外测试领域具有重要的应用价值。利用步进扫描和时间分辨的方法,可以同步傅里叶变换红外光谱仪动镜移动和焦平面器件的输出,获得高质量的干涉图,从而计算得到器件的响应光谱。在本系统测量范围400~10000 cm-1内,所得光谱的分辨率可以达到4 cm-1。
关键词
傅里叶变换红外光谱
红外焦平面探测器
步进扫描
Keywords
Fourier transform infrared（FTIR） spectroscopy
infrared focal plane array（FPA）
step scan
分类号
TN214 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能
2
作者
李海滨
林春
陈兴国
魏彦峰
徐竟杰
何力
机构
中国科学院上海技术物理所红外成像材料与器件重点实验室
中国科学院
研究生院
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期403-406,共4页
基金
国家自然科学基金(6070612)~~
文摘
采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5μm,规格为256×1的长波红外光电二极管阵列.实验设计了一种新的pn结测量方法,测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6～5.3μm之间,而其最大横向尺寸大约是设计尺寸的1.3倍.实验采用一种改进的表面处理工艺制备了砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列,获得了良好的电学性能,该工艺与常规表面处理工艺相比可以使器件峰值阻抗提高2个量级,而-0.5 v偏压下的动态电阻可提高约30倍.研究认为,器件性能提高的原因是由于改进工艺可以有效抑制器件表面漏电流.
关键词
As掺HgCdT
长波HgCdTe红外光电二极管阵列
伏安特性
表面处理工艺
Keywords
arsenic doped HgCdTe
long-wavelength HgCdTe infrared photodiode arrays
electrical characteristic
surface processing
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射-探测性能理论研究
被引量：
1
3
作者
王仍
林杏潮
张丽萍
张可锋
焦翠玲
陆液
邵秀华
陆荣
葛进
胡淑红
戴宁
机构
中国科学院上海技术物理所红外成像材料与器件重点实验室
中国科学院
上海
技术
物理所
红外
物理
国家
重点
实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期2209-2214,共6页
基金
中国科学院三期创新项目(Y-4)
上海市自然科学基金(10ZR1434500)资助
文摘
根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°或180°时,利用〈331〉晶向ZnTe单晶辐射太赫兹信号可以与〈111〉晶向相当,强于〈110〉晶向.利用电光取样原理,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹探测性能,通过理论计算为〈331〉晶向ZnTe晶体有效辐射太赫兹波提供理论依据.
关键词
太赫兹辐射
光整流效应
电光效应
ZnTe单晶
〈331〉晶向
Keywords
THz emitter
Optical rectification
Electro-optic sampling
ZnTe
〈331〉-oriented
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
利用傅里叶变换测量红外焦平面器件响应光谱
王溪
林春
林加木
赖嘉毅
丁瑞军
何力
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能
李海滨
林春
陈兴国
魏彦峰
徐竟杰
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
在线阅读
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职称材料
3
〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射-探测性能理论研究
王仍
林杏潮
张丽萍
张可锋
焦翠玲
陆液
邵秀华
陆荣
葛进
胡淑红
戴宁
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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职称材料
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