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原位电子束诱导碲化锑(Sb_2Te_3)及硅掺杂的晶化
1
作者
孙明达
韩晓东
+4 位作者
张晓娜
张泽
刘波
宋志棠
封松林
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2006年第B08期19-20,共2页
关键词
电子束诱导
晶化过程
硅掺杂
原位
透射电子显微镜
随机存储器
功能材料
相变特性
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职称材料
题名
原位电子束诱导碲化锑(Sb_2Te_3)及硅掺杂的晶化
1
作者
孙明达
韩晓东
张晓娜
张泽
刘波
宋志棠
封松林
机构
北京工业大学固体
微
结构
与性能
研究所
中国科学院上海微系统与结构研究所
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2006年第B08期19-20,共2页
基金
国家高新技术863发展项目资助(No.2003AA30272和No.2004AA302G20)
关键词
电子束诱导
晶化过程
硅掺杂
原位
透射电子显微镜
随机存储器
功能材料
相变特性
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
原位电子束诱导碲化锑(Sb_2Te_3)及硅掺杂的晶化
孙明达
韩晓东
张晓娜
张泽
刘波
宋志棠
封松林
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2006
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