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氧化镓异质衬底集成技术研究进展: 1; 作者瞿振宇徐文慧 +9 位作者江昊东梁恒硕赵天成谢银飞孙华锐邹新波游天桂齐红基韩根全欧欣《人工晶体学报》北大核心 2025年第3期470-490,共21页; 超宽禁带氧化镓在高功率和射频器件领域显示出巨大发展潜力。然而,氧化镓固有的极低热导率和p型掺杂困难问题限制了其器件性能和结构设计。异质集成是突破单一材料性能极限,变革提升器件性能的关键技术。本文综述了异质外延、机械剥离... 展开更多; 关键词氧化镓异质衬底集成异质外延机械剥离离子束剥离转移热管理; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于微转印技术的金刚石上硅材料制备与表征: 2; 作者刘玉高定成 +1 位作者薛忠营常永伟《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期813-817,共5页; 硅基电子器件在高温、高功率、射频领域应用时面临热管理的挑战。为解决其散热和射频损耗问题,采用微转印技术在常温常压下将单晶硅薄膜转移至金刚石衬底上,制备出新型集成电路材料——金刚石上硅(SOD)。实验结果表明,转移的单晶硅薄膜... 展开更多; 关键词金刚石金刚石上硅(SOD) 热管理微转印界面热阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

超宽带隙氧化镓功率器件热管理的研究进展: 3; 作者谢银飞何阳 +5 位作者刘伟业徐文慧游天桂欧欣郭怀新孙华锐《人工晶体学报》北大核心 2025年第2期290-311,共22页; 氧化镓的低热导率是其功率器件发展的最大瓶颈,使其在高功率密度下产热时面临高效散热的巨大挑战。因此,开发全新的热管理和封装技术迫在眉睫。通过材料、器件和封装多层面的热管理来缓解自热引发的性能与可靠性问题成为关键。本文综述... 展开更多; 关键词热管理超宽带隙氧化镓材料-器件-封装结侧散热高导热率衬底集成电热协同设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于4.3 THz量子级联激光器的微米级无损厚度测量: 4; 作者李弘义谭智勇 +1 位作者万文坚曹俊诚《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期354-358,共5页; 构建和描述了一种用于获取硅片厚度的零差检测系统。利用4.3-THz激光束的传输相变与机械旋转台控制的入射角之间的关系,可以使用标准残差法精确推导被测样品的厚度值。结果表明,样品的厚度拟合值与光学显微镜的精确测量结果仅相差2.5~3... 展开更多; 关键词太赫兹量子级联激光器零差探测无损检测非接触测量; 在线阅读下载PDF 职称材料

动态范围超过75dB的InGaAs/InAIAs光电导太赫兹探测天线制备与表征: 5; 作者江情男谭智勇 +4 位作者万文坚符张龙夏宇李敏曹俊诚《红外与毫米波学报》北大核心 2025年第4期562-568,共7页; 光电导天线是太赫兹频段非常重要的器件,在太赫兹时域光谱技术中应用广泛。本文采用分子束外延生长方法制备Be掺杂InGaAs/InAlAs超晶格材料,作为1550nm激光泵浦光电导太赫兹探测天线的光吸收材料,制备的材料方块电阻大于10°Q2/sq... 展开更多; 关键词太赫兹光电导探测天线分子束外延时域光谱光纤飞秒激光; 在线阅读下载PDF 职称材料

量子级联激光器非线性动态特性研究进展被引量：1: 6; 作者冯伟毛雨 +3 位作者孟悦任天亮王长曹俊诚《红外与毫米波学报》 SCIE EI CSCD 北大核心 2023年第6期763-771,共9页; 量子级联激光器(Quantum Cascade Laser,QCL)是依赖电子在量子阱子带间跃迁辐射出光子而发生激射的单极型半导体激光器。大量的理论与实验研究已经证明轻微的外部扰动(如光反馈、光注入)或内部足够强的非线性模式耦合能够引起半导体激... 展开更多; 关键词量子级联激光器半导体激光器外部扰动非线性动力学; 在线阅读下载PDF 职称材料

C掺杂Sb_(2)Te_(3)高速相变材料被引量：1: 7; 作者陈元浩吴良才 +2 位作者黄晓江宋三年宋志棠《东华大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2023年第5期33-40,共8页; Sb_(2)Te_(3)材料是一种具有快速相变特性的硫系化合物材料,但其热稳定性较差,高、低阻态之间的阻值差异小,不适宜制备相变存储器件。为解决Sb_(2)Te_(3)材料的高、低阻态的阻值差异小,热稳定性差的问题,提出对Sb_(2)Te_(3)材料进行碳(C... 展开更多; 关键词相变材料 C-Sb_(2)Te_(3) 高热稳定性高速相变表面处理; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧化镓异质衬底集成技术研究进展: 1; 作者瞿振宇徐文慧江昊东梁恒硕赵天成谢银飞孙华锐邹新波游天桂齐红基韩根全欧欣; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海科技大学信息科学与技术学院哈尔滨工业大学(深圳) 中国科学院上海光学精密机械研究所杭州光学精密机械研究所西安电子科技大学微电子学院; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第3期470-490,共21页; 基金上海市战略前沿项目(24DP1500100) 国家自然科学基金(62404236,62293520,62293521)。; 文摘超宽禁带氧化镓在高功率和射频器件领域显示出巨大发展潜力。然而,氧化镓固有的极低热导率和p型掺杂困难问题限制了其器件性能和结构设计。异质集成是突破单一材料性能极限,变革提升器件性能的关键技术。本文综述了异质外延、机械剥离和离子束剥离转移三种氧化镓异质集成技术的最新研究进展,重点对比分析不同集成技术在材料质量、电学和热学特性及器件性能等方面的优缺点,并针对衬底种类、界面成键方式、过渡层厚度对纵向散热和电子输运的影响进行探讨。同时,本文对当前氧化镓异质集成技术所面临的挑战进行分析,并对氧化镓异质集成技术未来的发展趋势进行展望,旨在唤起国内氧化镓异质集成衬底相关研究,推动氧化镓异质集成器件开发,加快推进氧化镓材料和器件产业化应用。; 关键词氧化镓异质衬底集成异质外延机械剥离离子束剥离转移热管理; Keywords Ga_(2)O_(3) heterogenous substrate integration heteroepitaxy mechanical exfoliation ion-cutting thermal management; 分类号 O472 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于微转印技术的金刚石上硅材料制备与表征: 2; 作者刘玉高定成薛忠营常永伟; 机构中国科学技术大学微电子学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所集成电路材料全国重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期813-817,共5页; 基金国家自然科学基金(62304232)。; 文摘硅基电子器件在高温、高功率、射频领域应用时面临热管理的挑战。为解决其散热和射频损耗问题,采用微转印技术在常温常压下将单晶硅薄膜转移至金刚石衬底上,制备出新型集成电路材料——金刚石上硅(SOD)。实验结果表明,转移的单晶硅薄膜表面平整、无明显损伤,保持了其原有的完整性。透射电子显微镜的观察结果进一步显示,金刚石与硅之间的界面结合紧密,不存在纳米级间隙。界面热阻测试结果显示,SOD样品的有效界面热阻(R_(EI))为30.30m^(2)·K/GW,明显优于SOI样品的R_(EI)(376.78m^(2)·K/GW)。该研究验证了SOD材料在热管理方面的潜力,也为未来新型硅基器件的设计与应用提供了参考。; 关键词金刚石金刚石上硅(SOD) 热管理微转印界面热阻; Keywords diamond Si-on-diamond(SOD) thermal management micro-transfer printing interfacial thermal resistance; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超宽带隙氧化镓功率器件热管理的研究进展: 3; 作者谢银飞何阳刘伟业徐文慧游天桂欧欣郭怀新孙华锐; 机构哈尔滨工业大学(深圳) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所南京电子器件研究所; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第2期290-311,共22页; 基金集成电路材料全国重点实验室开放课题(SKLIC-K2024-04) 广东省科技创新青年拔尖人才项目(2021TQ06C953) 深圳市基础研究面上项目(JCYJ20190806142614541)。; 文摘氧化镓的低热导率是其功率器件发展的最大瓶颈,使其在高功率密度下产热时面临高效散热的巨大挑战。因此,开发全新的热管理和封装技术迫在眉睫。通过材料、器件和封装多层面的热管理来缓解自热引发的性能与可靠性问题成为关键。本文综述了超宽带隙(UWBG)氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))功率器件的热管理,针对相关挑战、潜在解决方案和研究机遇提出了观点。论文首先介绍了超宽带隙氧化镓的特性及其在电子器件领域的重要性,详细阐述了热管理在氧化镓器件中的关键意义。随后,从不同的热管理技术方面,包括衬底相关技术和结侧热管理技术等进行深入探讨,并分析了热管理对氧化镓器件电学性能的影响。最后,对氧化镓器件热管理的未来发展趋势进行展望,提出了“材料-器件-封装”电热协同设计、近结异质集成和新型外部封装等多维度的热管理策略,旨在唤起相关研究,加快超宽带隙氧化镓功率器件的开发和产业化进程。; 关键词热管理超宽带隙氧化镓材料-器件-封装结侧散热高导热率衬底集成电热协同设计; Keywords thermal management ultrawide bandgap(UWBG) gallium oxide(β-Ga_(2)O_(3)) material-device-packaging junction-side heat dissipation integration of high thermal conductivity substrate electrothermal co-design; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于4.3 THz量子级联激光器的微米级无损厚度测量: 4; 作者李弘义谭智勇万文坚曹俊诚; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院大学材料科学与光电工程中心; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期354-358,共5页; 基金 the National Natural Science Foundation of China(61927813,62035014,62275258) Science and Technology Com⁃mission of Shanghai Municipal(21ZR1474600).; 文摘构建和描述了一种用于获取硅片厚度的零差检测系统。利用4.3-THz激光束的传输相变与机械旋转台控制的入射角之间的关系,可以使用标准残差法精确推导被测样品的厚度值。结果表明,样品的厚度拟合值与光学显微镜的精确测量结果仅相差2.5~3μm,实现了微米级精度的太赫兹无损厚度测量。实验验证了太赫兹量子级联激光器在非接触无损测量中的有效性。; 关键词太赫兹量子级联激光器零差探测无损检测非接触测量; Keywords terahertz quantum-cascade laser homodyne detection non-destructive testing non-contact measurement; 分类号 TN219 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名动态范围超过75dB的InGaAs/InAIAs光电导太赫兹探测天线制备与表征: 5; 作者江情男谭智勇万文坚符张龙夏宇李敏曹俊诚; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所集成电路材料全国重点实验室中国科学院大学材料与光电研究中心上海理工大学光电信息与计算机工程学院; 出处《红外与毫米波学报》北大核心 2025年第4期562-568,共7页; 基金国家自然科学基金(61927813、62435020、12333012)。; 文摘光电导天线是太赫兹频段非常重要的器件,在太赫兹时域光谱技术中应用广泛。本文采用分子束外延生长方法制备Be掺杂InGaAs/InAlAs超晶格材料,作为1550nm激光泵浦光电导太赫兹探测天线的光吸收材料,制备的材料方块电阻大于10°Q2/sq、电子迁移率为216cm^(2)/(Vs)。采用湿法腐蚀和磁控溅射工艺分别制备探测天线有源区台面和电极结构,并将天线芯片封装在PCB电路板上。采用国产1550nm飞秒泵浦激光器搭建探测天线测试系统,对电极间隙分别为40μm和60μm的探测天线进行了表征。测量结果表明,60μm天线具有更宽的谱宽和功率动态范围,分别达到4.0THz和77.0dB。; 关键词太赫兹光电导探测天线分子束外延时域光谱光纤飞秒激光; Keywords terahertz photoconductive detection antenna molecular beam epitaxy time-domain spectroscopy fiber; 分类号 TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名量子级联激光器非线性动态特性研究进展被引量：1: 6; 作者冯伟毛雨孟悦任天亮王长曹俊诚; 机构江苏大学物理与电子工程学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所集成电路材料全国重点实验室中国科学院大学材料与光电研究中心; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CSCD 北大核心 2023年第6期763-771,共9页; 基金国家自然科学基金(12333012,61927813,61975225) 上海市科学技术委员会(21DZ1101102)。; 文摘量子级联激光器(Quantum Cascade Laser,QCL)是依赖电子在量子阱子带间跃迁辐射出光子而发生激射的单极型半导体激光器。大量的理论与实验研究已经证明轻微的外部扰动(如光反馈、光注入)或内部足够强的非线性模式耦合能够引起半导体激光器的非线性输出。QCL作为新型半导体器件,具有腔内强度高、子带间光学非线性强以及电子弛豫时间快等特点,激发了学者研究其非线性动力学的兴趣。本文详细综述了QCL的非线性动态特性研究进展情况,探究了QCL非线性动力学性质的产生机理,总结了QCL非线性特性的应用场景。; 关键词量子级联激光器半导体激光器外部扰动非线性动力学; Keywords quantum cascade lasers semiconductor lasers external perturbations nonlinear dynamics; 分类号 O43 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名C掺杂Sb_(2)Te_(3)高速相变材料被引量：1: 7; 作者陈元浩吴良才黄晓江宋三年宋志棠; 机构东华大学理学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所集成电路材料全国重点实验室; 出处《东华大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2023年第5期33-40,共8页; 基金国家自然科学基金面上项目(61874151) 上海市科学技术委员会项目(19JC1416802)。; 文摘 Sb_(2)Te_(3)材料是一种具有快速相变特性的硫系化合物材料,但其热稳定性较差,高、低阻态之间的阻值差异小,不适宜制备相变存储器件。为解决Sb_(2)Te_(3)材料的高、低阻态的阻值差异小,热稳定性差的问题,提出对Sb_(2)Te_(3)材料进行碳(C)掺杂改性。试验制备了基于C掺杂Sb_(2)Te_(3)材料(C-Sb_(2)Te_(3))的高速相变存储器件,并分析了氢(H)等离子体处理加热电极对相变存储器件性能的影响。基于C-Sb_(2)Te_(3)材料制备的相变存储器件的高、低阻态阻值比达两个数量级,器件的擦写循环次数达10^(5)次;分析氢(H)等离子体处理对器件性能的影响,加热电极经过H等离子体处理的相变存储器件高、低阻态的阻值稳定。研究表明:掺杂C使得Sb_(2)Te_(3)材料的结晶温度上升、晶粒细化;使用C掺杂Sb_(2)Te_(3)材料制备相变存储器件,并进行H等离子体处理,可得到一种具有热稳定性高、阻值稳定、能多次循环擦写的高速相变存储器件。; 关键词相变材料 C-Sb_(2)Te_(3) 高热稳定性高速相变表面处理; Keywords phase change material C-Sb_(2)Te_(3) high thermal stability rapid phase transition surface treatment; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	氧化镓异质衬底集成技术研究进展	瞿振宇徐文慧江昊东梁恒硕赵天成谢银飞孙华锐邹新波游天桂齐红基韩根全欧欣	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于微转印技术的金刚石上硅材料制备与表征	刘玉高定成薛忠营常永伟	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	超宽带隙氧化镓功率器件热管理的研究进展	谢银飞何阳刘伟业徐文慧游天桂欧欣郭怀新孙华锐	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于4.3 THz量子级联激光器的微米级无损厚度测量	李弘义谭智勇万文坚曹俊诚	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	动态范围超过75dB的InGaAs/InAIAs光电导太赫兹探测天线制备与表征	江情男谭智勇万文坚符张龙夏宇李敏曹俊诚	《红外与毫米波学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	量子级联激光器非线性动态特性研究进展	冯伟毛雨孟悦任天亮王长曹俊诚	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	C掺杂Sb_(2)Te_(3)高速相变材料	陈元浩吴良才黄晓江宋三年宋志棠	《东华大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料