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ULSI化学机械抛光(CMP)材料去除机制模型
被引量：
2
1
作者
钟旻
张楷亮
+1 位作者
宋志棠
封松林
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期170-173,共4页
CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,相关机制模型的研究是当前CMP的热点。综述了考虑抛光液的流动、抛光垫的弹性和硬度、研磨颗粒的大小和硬度等不同因素的机制模型,并对基于不同假设的模型作了分析和比较。最后对CMP模型未来的发展和...
CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,相关机制模型的研究是当前CMP的热点。综述了考虑抛光液的流动、抛光垫的弹性和硬度、研磨颗粒的大小和硬度等不同因素的机制模型,并对基于不同假设的模型作了分析和比较。最后对CMP模型未来的发展和研究方向提出了展望。
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关键词
化学机械抛光
平坦化
材料去除机制
模型
集成电路
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职称材料
题名
ULSI化学机械抛光(CMP)材料去除机制模型
被引量：
2
1
作者
钟旻
张楷亮
宋志棠
封松林
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室半导体功能薄膜工程技术研究中心
出处
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期170-173,共4页
基金
中国博士后基金(2005037522)
中国科学院王宽诚博士后工作奖励基金资助项目(20040916094306)
+9 种基金
上海市博士后基金(05R214156)
上海-应用材料科技合作共同计划(AM基金0414)
上海市纳米专项(05nm05043)
中国科学院资助项目(Y2005027)
上海市科委项目(0452nm012
04DZ05612
04ZR14154
04JC14080
05JC14076
AM0517)资助
文摘
CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,相关机制模型的研究是当前CMP的热点。综述了考虑抛光液的流动、抛光垫的弹性和硬度、研磨颗粒的大小和硬度等不同因素的机制模型,并对基于不同假设的模型作了分析和比较。最后对CMP模型未来的发展和研究方向提出了展望。
关键词
化学机械抛光
平坦化
材料去除机制
模型
集成电路
Keywords
chemical mechanical polishing
planarization
material removal mechanism
model
integrate circuit
分类号
TH117.1 [机械工程—机械设计及理论]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ULSI化学机械抛光(CMP)材料去除机制模型
钟旻
张楷亮
宋志棠
封松林
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
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