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Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究
1
作者
倪鹤南
惠春
+1 位作者
吴良才
宋志棠
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期460-464,共5页
优化了Ni纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸5nm,密度2×1012/cm2的Ni纳米晶。在此基础上,制备了包含Ni纳米晶的MOS电容结构。利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结...
优化了Ni纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸5nm,密度2×1012/cm2的Ni纳米晶。在此基础上,制备了包含Ni纳米晶的MOS电容结构。利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态。电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间600s,具有较好的保留性能。
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关键词
非挥发性存储器
镍纳米晶
金属-氧化物-半导体电容
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职称材料
题名
Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究
1
作者
倪鹤南
惠春
吴良才
宋志棠
机构
上海
交通大学
微
纳
科学
技术
研究
院
上海
交通大学生命
科学
技术
学院
中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期460-464,共5页
基金
国家自然科学基金(60776058)
国家重点基础研究发展计划(2007CB935400
+1 种基金
2006CB302700)
上海市纲米技术专项(0752nm027)
文摘
优化了Ni纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸5nm,密度2×1012/cm2的Ni纳米晶。在此基础上,制备了包含Ni纳米晶的MOS电容结构。利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态。电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间600s,具有较好的保留性能。
关键词
非挥发性存储器
镍纳米晶
金属-氧化物-半导体电容
Keywords
NVM
Ni nanocrystal
MOS capacitance
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究
倪鹤南
惠春
吴良才
宋志棠
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009
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