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相变存储器驱动电路的设计与实现
被引量：
2
1
作者
沈菊
宋志棠
+1 位作者
刘波
封松林
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期431-434,共4页
介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理,设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16Kb以及1Mb容量的相变存储器芯片的设计,并采用中芯国际集...
介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理,设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16Kb以及1Mb容量的相变存储器芯片的设计,并采用中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的0·18μm标准CMOS工艺实现。该驱动电路通过Hspice仿真,表明带隙基准电压、偏置电流均具有较高的精度,取得了良好的仿真结果,在16Kb相变存储器芯片测试中,进一步验证了以上仿真结果。
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关键词
相变存储器
电流驱动
基准电压
偏置电流
电流镜
互补金属氧化物半导体
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职称材料
题名
相变存储器驱动电路的设计与实现
被引量：
2
1
作者
沈菊
宋志棠
刘波
封松林
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米存储技术联合实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期431-434,共4页
基金
国家863计划(2006AA03Z360)
国家重点基础研究发展计划(2007CB935400
+6 种基金
2006CB302700)
上海市科委资助项目(06QA14060
06XD14025
0652nm003
06DZ22017
0752nm013
07QA14065)
文摘
介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理,设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16Kb以及1Mb容量的相变存储器芯片的设计,并采用中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的0·18μm标准CMOS工艺实现。该驱动电路通过Hspice仿真,表明带隙基准电压、偏置电流均具有较高的精度,取得了良好的仿真结果,在16Kb相变存储器芯片测试中,进一步验证了以上仿真结果。
关键词
相变存储器
电流驱动
基准电压
偏置电流
电流镜
互补金属氧化物半导体
Keywords
phase-change RAM
current driving
reference voltage
bias current
current mirror
CMOS
分类号
N432 [自然科学总论]
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
相变存储器驱动电路的设计与实现
沈菊
宋志棠
刘波
封松林
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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