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离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究被引量：5: 1; 作者柳襄怀任琮欣 +3 位作者江炳尧朱宏刘炎源刘静贤《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期661-663,共3页; 本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表... 展开更多; 关键词碳膜抑制栅电子发射钼栅极离子束辅助沉积行波管; 在线阅读下载PDF 职称材料

离子束增强沉积氮化铝薄膜的电绝缘性能研究被引量：3: 2; 作者宋朝瑞俞跃辉 +1 位作者邹世昌郑志宏《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第6期494-496,502,共4页; AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。采用离子束增强沉积(IBED)法制备了AlN薄膜,采用X光电子能谱(XPS)和电容-电压/电流-电压(C-V/I-V)等方法对AlN薄膜的微观结构和绝缘性能进行了研究,得到了影响薄... 展开更多; 关键词 ALN薄膜离子束增强沉积(IBED) 电绝缘性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

离子束辅助沉积铪薄膜晶粒的择优取向被引量：4: 3; 作者江炳尧任琮欣 +5 位作者郑志宏柳襄怀樊会明姚刘聪李玉涛苏小保《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1414-1419,共6页; 采用离子束辅助沉积方法 (IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜。实验发现 :在铪膜生长时 ,轰击铪膜的Ar+ 离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响。当Ar+ 离子的能量为 5 0 0eV、入射角为 75°、束流密度为 0 .... 展开更多; 关键词铪薄膜晶粒择优取向离子束辅助沉积 IBAD; 在线阅读下载PDF 职称材料

功能碳薄膜化学键成分的椭偏光谱研究被引量：2: 4; 作者莫党李芳 +2 位作者陈第虎郭扬铭魏爱香《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期582-584,共3页; 　用磁过滤真空离子溅射系统,改变加在单晶Si(100)衬底上的衬底偏压,制备不同sp3C键与sp2C键比例的碳薄膜样品。测量了2.0～5.0eV光子能量范围内各个碳薄膜样品的椭偏光谱。发现该谱与碳薄膜中的sp键比例有明显的关系。我们提出一种较... 展开更多; 关键词功能碳薄膜化学键椭偏光谱四配位非晶碳拉曼光谱吸收光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

Lanxide技术合成含烧结助剂的复合AIN粉体被引量：1: 5; 作者林志浪郑新和 +1 位作者王群周美玲《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1351-1356,共6页; 高纯度的氮气中,以Al-Mg-Y合金为母合金,利用Lanxide技术合成了含烧结助剂Y_2O_3的复合AIN粉体.通过扫描电镜、X射线衍射、粒径分析及化学成分分析等检测手段对氮化产物进行表征.实验结果表明,合金氮化反应完全,氮化产物疏松易于粉化.... 展开更多; 关键词 AlN粉体 Lanxide技术铝合金烧结助剂; 在线阅读下载PDF 职称材料

立方氮化硼表面硬化层的制备及性能被引量：2: 6; 作者王钧石柳襄怀 +1 位作者王曦陈元儒《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期31-33,共3页; 用渗硼和新型的等离子体浸没式氮离子注入技术(PⅢ)对Cr12MoV钢进行复合处理,制备出了含有立方氮化硼的表面硬化层。经X光电子能谱和X射线衍射分析发现硬化层中的组织主要是立方氮化硼(c BN)、六方氮化硼(h BN)、FeB和Fe2B。在与单独渗... 展开更多; 关键词立方氮化硼表面硬化层渗硼等离子体浸没式离子注入(PⅢ) 显微硬度摩擦性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜被引量：3: 7; 作者邢玉梅陶凯 +4 位作者俞跃辉郑志宏杨文伟宋朝瑞沈达身《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期736-738,共3页; 　用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s)。借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退... 展开更多; 关键词 SOI材料氧化铪薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究被引量：5: 1; 作者柳襄怀任琮欣江炳尧朱宏刘炎源刘静贤; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室中国科学院电子学研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期661-663,共3页; 基金〈8 63〉国家高技术研究计划基金(No .71 5 0 0 8 0 0 1 1 ) 〈973〉重大项目基金研究基金 (No .G2 0 0 0 0 672 0 7 2 ); 文摘本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果。; 关键词碳膜抑制栅电子发射钼栅极离子束辅助沉积行波管; Keywords Mo grid electron emission ion beam assisted deposition; 分类号 TN124 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名离子束增强沉积氮化铝薄膜的电绝缘性能研究被引量：3: 2; 作者宋朝瑞俞跃辉邹世昌郑志宏; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第6期494-496,502,共4页; 文摘 AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。采用离子束增强沉积(IBED)法制备了AlN薄膜,采用X光电子能谱(XPS)和电容-电压/电流-电压(C-V/I-V)等方法对AlN薄膜的微观结构和绝缘性能进行了研究,得到了影响薄膜电绝缘性能的主要参数。研究结果表明,沉积过程中向IBED系统通入一定的氮气可有效提高薄膜的N/Al,使其接近化学计量比(从0.53∶1到0.81∶1)及电绝缘性能(击穿电场约为1.42MV/cm)。; 关键词 ALN薄膜离子束增强沉积(IBED) 电绝缘性能; Keywords AlN thin film IBED dielectric properties; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名离子束辅助沉积铪薄膜晶粒的择优取向被引量：4: 3; 作者江炳尧任琮欣郑志宏柳襄怀樊会明姚刘聪李玉涛苏小保; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室中国科学院电子学研究所; 出处《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1414-1419,共6页; 基金国家重点基础研究发展规划基金资助项目 (G2 0 0 0 0 672 0 72 ) 中国科学院电子学研究所基金资助项目 (3 10 90 7); 文摘采用离子束辅助沉积方法 (IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜。实验发现 :在铪膜生长时 ,轰击铪膜的Ar+ 离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响。当Ar+ 离子的能量为 5 0 0eV、入射角为 75°、束流密度为 0 .9A/m2 时 ,铪膜为 (110 )择优取向。当束流密度大于 1.2A/m2 时 ,铪膜以 (0 0 2 )、(10 0 )混合晶向为主 ,而与Ar+ 离子的入射角度无关。讨论了铪膜晶粒取向的转变机制 ,认为铪膜晶粒的择优取向 ,不是单纯地取决于基于沟道效应的溅射机制 ,或取决于基于能量极小原理的表面能最小或表面应力最小的面生长较快的机制 ,而是影响薄膜生长的各种因素互相竞争、共同作用 ,在非平衡态条件下表面能极小化的结果。; 关键词铪薄膜晶粒择优取向离子束辅助沉积 IBAD; Keywords ion beam assisted deposition(IBAD) Hf film preferred orientation; 分类号 TG174.444 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名功能碳薄膜化学键成分的椭偏光谱研究被引量：2: 4; 作者莫党李芳陈第虎郭扬铭魏爱香; 机构中山大学理工学院光电材料与技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期582-584,共3页; 基金广东省自然科学基金资助项目(021696) 广东省科技计划资助项目(2002B11701); 文摘　用磁过滤真空离子溅射系统,改变加在单晶Si(100)衬底上的衬底偏压,制备不同sp3C键与sp2C键比例的碳薄膜样品。测量了2.0～5.0eV光子能量范围内各个碳薄膜样品的椭偏光谱。发现该谱与碳薄膜中的sp键比例有明显的关系。我们提出一种较简便的分析解谱方法,分析所测得的各个椭偏光谱,半定量地确定各碳薄膜样品的sp3C键与sp2C键比例。所得结果还与同类样品的拉曼光谱与吸收光谱测量结果相比较,结果基本上是一致的。研究结果表明椭偏光谱方法可以发展成一种较简便的、对样品无损伤的测定功能碳薄膜中的sp3C键成分的新方法。; 关键词功能碳薄膜化学键椭偏光谱四配位非晶碳拉曼光谱吸收光谱; Keywords carbon film spectroscopic ellipsometry chemical bond; 分类号 O484.5 [理学—固体物理] O433.1 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Lanxide技术合成含烧结助剂的复合AIN粉体被引量：1: 5; 作者林志浪郑新和王群周美玲; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室北京工业大学材料科学与工程学院中国科学院半导体研究所; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1351-1356,共6页; 基金国家自然科学基金(59802001); 文摘高纯度的氮气中,以Al-Mg-Y合金为母合金,利用Lanxide技术合成了含烧结助剂Y_2O_3的复合AIN粉体.通过扫描电镜、X射线衍射、粒径分析及化学成分分析等检测手段对氮化产物进行表征.实验结果表明,合金氮化反应完全,氮化产物疏松易于粉化.粉化后获得的复合AIN粉体具有纯度高,氧杂质含量低,粒度细小等优点.; 关键词 AlN粉体 Lanxide技术铝合金烧结助剂; Keywords AIN powder Lanxide method aluminium alloys sintering additives; 分类号 TQ133 [化学工程—无机化工] TF12 [冶金工程—粉末冶金]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名立方氮化硼表面硬化层的制备及性能被引量：2: 6; 作者王钧石柳襄怀王曦陈元儒; 机构西南交通大学材料科学与工程学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室; 出处《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期31-33,共3页; 基金中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室基金资助项目(100027); 文摘用渗硼和新型的等离子体浸没式氮离子注入技术(PⅢ)对Cr12MoV钢进行复合处理,制备出了含有立方氮化硼的表面硬化层。经X光电子能谱和X射线衍射分析发现硬化层中的组织主要是立方氮化硼(c BN)、六方氮化硼(h BN)、FeB和Fe2B。在与单独渗硼处理的Cr12MoV钢试样进行对比时,对立方氮化硼表面硬化层进行了维氏显微硬度和滑动摩擦试验。结果表明:硬化层具有高达48GPa的高硬度和优良的摩擦性能。; 关键词立方氮化硼表面硬化层渗硼等离子体浸没式离子注入(PⅢ) 显微硬度摩擦性能; Keywords hardened surface layer containing cubic boron nitride(c-BN) boronizing plasma immersion ion implantation (PⅢ) microhardness tribological property; 分类号 TG156.8 [金属学及工艺—热处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜被引量：3: 7; 作者邢玉梅陶凯俞跃辉郑志宏杨文伟宋朝瑞沈达身; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室美国阿拉巴马大学电子与计算机工程系; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期736-738,共3页; 基金美国国家自然科学基金资助项目(INT 0004547); 文摘　用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s)。借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化,结果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态,薄膜中的O/Hf原子比较退火前更接近化学计量比2。借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能,证明在SOI材料上制备的多晶氧化铪薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能。; 关键词 SOI材料氧化铪薄膜; Keywords Dielectric properties of solids Polycrystalline materials Rapid thermal annealing Silicon on insulator technology Thin films Transmission electron microscopy X ray diffraction analysis X ray photoelectron spectroscopy; 分类号 TN304.05 [电子电信—物理电子学] TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究	柳襄怀任琮欣江炳尧朱宏刘炎源刘静贤	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	离子束增强沉积氮化铝薄膜的电绝缘性能研究	宋朝瑞俞跃辉邹世昌郑志宏	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2004	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	离子束辅助沉积铪薄膜晶粒的择优取向	江炳尧任琮欣郑志宏柳襄怀樊会明姚刘聪李玉涛苏小保	《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	功能碳薄膜化学键成分的椭偏光谱研究	莫党李芳陈第虎郭扬铭魏爱香	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	Lanxide技术合成含烧结助剂的复合AIN粉体	林志浪郑新和王群周美玲	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2003	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	立方氮化硼表面硬化层的制备及性能	王钧石柳襄怀王曦陈元儒	《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心	2003	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜	邢玉梅陶凯俞跃辉郑志宏杨文伟宋朝瑞沈达身	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	3	在线阅读下载PDF 职称材料