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离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究被引量：2: 1; 作者蒋军江炳尧 +5 位作者郑志宏任琮欣冯涛王曦柳襄怀邹世昌《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1673-1675,共3页; 利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能。实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电... 展开更多; 关键词抑制电子发射铪离子束辅助沉积钼栅极; 在线阅读下载PDF 职称材料

多层互连工艺中铜布线化学机械抛光研究进展被引量：6: 2; 作者陈苏张楷亮 +1 位作者宋志棠封松林《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期21-24,共4页; 对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,对今后铜抛光研究方向及方法进行了进一步... 展开更多; 关键词超大规模集成电路化学机械抛光铜抛光液多层互连; 在线阅读下载PDF 职称材料

相变存储器器件单元测试系统被引量：7: 3; 作者梁爽宋志棠 +2 位作者刘波陈小刚封松林《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第8期614-617,共4页; 通过计算机控制脉冲信号发生器和数字信号源等硬件设备,实现对硫系化合物随机存储器(C-RAM)器件性能的测试。该系统主要有电流与电压关系测试、电压与电流关系测试、电阻与所加的脉冲信号关系的测试和疲劳特性测试等模块组成。通过这些... 展开更多; 关键词硫系化合物随机存储器远程控制测试系统相变; 在线阅读下载PDF 职称材料

低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜被引量：4: 4; 作者江炳尧蒋军 +5 位作者冯涛任琮欣张正选宋志棠柳襄怀郑里平《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期774-775,778,共3页; 　采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强... 展开更多; 关键词离子束辅助沉积 Pt膜择优取向; 在线阅读下载PDF 职称材料

SOI在高压器件中的应用被引量：1: 5; 作者王石冶刘卫丽 +2 位作者张苗林成鲁宋志棠《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期983-987,共5页; 综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.; 关键词 SOI 高压器击穿电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

CH_4+Ar混合等离子体注入新工艺: 6; 作者邢玉梅俞跃辉 +2 位作者陈可炜郑志宏杨文伟《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第3期328-330,334,共4页; 采用CH4+Ar混合等离子体对p-Si(100)进行剂量为5.0×1017cm-2,能量分别为40keV及80keV的碳离子注入,靶温控制在700°C左右;注入后将样品在1250°C的氩气中退火5h。通过红外反射光谱、掠角X-射线衍射以及剖面透射电镜对退火... 展开更多; 关键词甲烷等离子体碳化硅离子注入; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究被引量：2: 1; 作者蒋军江炳尧郑志宏任琮欣冯涛王曦柳襄怀邹世昌; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1673-1675,共3页; 基金国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(G2000067207-2); 文摘利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能。实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理。; 关键词抑制电子发射铪离子束辅助沉积钼栅极; Keywords anti-emission hafnium ion beam assisted deposition molybdenum grid; 分类号 TG146.4 [金属学及工艺—金属材料]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多层互连工艺中铜布线化学机械抛光研究进展被引量：6: 2; 作者陈苏张楷亮宋志棠封松林; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期21-24,共4页; 基金国家863计划(2003AA327200) 上海市纳米科技与产业发展促进中心纳米专项(0352nm016 +3 种基金 0359nm204 0252nm084) 上海市科委项目(03dz11009) 基础研究项目前沿课题(2001CCA02800); 文摘对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,对今后铜抛光研究方向及方法进行了进一步探讨。; 关键词超大规模集成电路化学机械抛光铜抛光液多层互连; Keywords ULSI CMP copper slurry multilevel interconnect; 分类号 TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名相变存储器器件单元测试系统被引量：7: 3; 作者梁爽宋志棠刘波陈小刚封松林; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心纳米技术研究室中国科学院研究生院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第8期614-617,共4页; 基金中国科学院资助项目(Y2005027) 上海市科委项目(0452nm012 +7 种基金 04DZ05612 04ZR14154 04JC14080 05JC14076 AM0414 05nm05043 AM0517) 美国SST公司资助; 文摘通过计算机控制脉冲信号发生器和数字信号源等硬件设备,实现对硫系化合物随机存储器(C-RAM)器件性能的测试。该系统主要有电流与电压关系测试、电压与电流关系测试、电阻与所加的脉冲信号关系的测试和疲劳特性测试等模块组成。通过这些测试从而找出写脉冲信号与擦脉冲信号的高度和宽度的最佳参数、C-RAM器件的阈值电压、循环寿命等重要参数。此系统不仅为研究C-RAM器件的速度、功耗、可靠性等提供了一个途径,又为C-RAM的工艺和结构参数的研究提供了试验平台。; 关键词硫系化合物随机存储器远程控制测试系统相变; Keywords C-RAM remote control test system phase change; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜被引量：4: 4; 作者江炳尧蒋军冯涛任琮欣张正选宋志棠柳襄怀郑里平; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心中国科学院上海原子核研究所; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期774-775,778,共3页; 基金国家重点基础研究发展规划(973计划)资助项目(G2000067207 2); 文摘　采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析。; 关键词离子束辅助沉积 Pt膜择优取向; Keywords Crystal orientation Ion beam assisted deposition Ion bombardment Thin films; 分类号 TG174.444 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SOI在高压器件中的应用被引量：1: 5; 作者王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠; 机构中国科学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期983-987,共5页; 基金国家重点基础研究专项经费(G20000365) 国家自然科学基金资助项目(90101012) 上海市科技发展基金资助项目(0252nm084和0359nm004); 文摘综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.; 关键词 SOI 高压器击穿电压; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] O472+.4 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CH_4+Ar混合等离子体注入新工艺: 6; 作者邢玉梅俞跃辉陈可炜郑志宏杨文伟; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第3期328-330,334,共4页; 基金中法合作研究基金资助项目(No.PRAMX01-06); 文摘采用CH4+Ar混合等离子体对p-Si(100)进行剂量为5.0×1017cm-2,能量分别为40keV及80keV的碳离子注入,靶温控制在700°C左右;注入后将样品在1250°C的氩气中退火5h。通过红外反射光谱、掠角X-射线衍射以及剖面透射电镜对退火前后的样品进行分析,其结果证明了结晶质量较好的多晶β-SiC不连续埋层的形成。; 关键词甲烷等离子体碳化硅离子注入; Keywords CH_4 plasma SiC ion implantation; 分类号 O459 [理学—无线电物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究	蒋军江炳尧郑志宏任琮欣冯涛王曦柳襄怀邹世昌	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	多层互连工艺中铜布线化学机械抛光研究进展	陈苏张楷亮宋志棠封松林	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2005	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	相变存储器器件单元测试系统	梁爽宋志棠刘波陈小刚封松林	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	7	在线阅读下载PDF 职称材料
4	低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜	江炳尧蒋军冯涛任琮欣张正选宋志棠柳襄怀郑里平	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SOI在高压器件中的应用	王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	CH_4+Ar混合等离子体注入新工艺	邢玉梅俞跃辉陈可炜郑志宏杨文伟	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料