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去除移动心电检测中运动干扰的多通道电极皮肤接触阻抗研究
被引量:
3
1
作者
张洹千
张树林
+5 位作者
杜晓薇
金庆辉
刘学华
李擎
杨坚
赵建龙
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期868-873,共6页
研究一种多通道电极皮肤接触阻抗检测方法,能够同步检测移动心电信号和电极皮肤接触阻抗信号.该方法不需要改变移动心电检测的输入级,能够通过结构简单的电路来保证移动心电信号放大器的输入阻抗达到足够高.为了评估该方法的性能,10位...
研究一种多通道电极皮肤接触阻抗检测方法,能够同步检测移动心电信号和电极皮肤接触阻抗信号.该方法不需要改变移动心电检测的输入级,能够通过结构简单的电路来保证移动心电信号放大器的输入阻抗达到足够高.为了评估该方法的性能,10位健康志愿者进行了20组实验,结果显示由多通道电极皮肤接触阻抗信号与移动心电信号中的运动干扰相关性更强(中位数=0.599).相比现有的单通道电极皮肤接触阻抗检测方法,多通道电极皮肤接触阻抗能够以更简单的电路结构实现更优的性能.
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关键词
移动心电检测
电极皮肤接触阻抗
运动干扰
相关性
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职称材料
基于埋置式基板的三维多芯片组件的翘曲研究
被引量:
2
2
作者
徐高卫
罗乐
+2 位作者
耿菲
黄秋平
周健
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期1006-1012,共7页
采用粘塑性有限元焊球模型以及大形变理论研究了三维多芯片组件(3D-MCM)的翘曲形态特征及其成因,结果表明基板腔室的存在使埋置式基板形成了双弓形翘曲形态,焊球的粘塑性使组件在温度循环中出现了翘曲回滞现象.基板中心空腔能改变基板...
采用粘塑性有限元焊球模型以及大形变理论研究了三维多芯片组件(3D-MCM)的翘曲形态特征及其成因,结果表明基板腔室的存在使埋置式基板形成了双弓形翘曲形态,焊球的粘塑性使组件在温度循环中出现了翘曲回滞现象.基板中心空腔能改变基板翘曲形态,有利于减小基板翘曲,并有利于提高倒扣焊器件的热机械可靠性.底充胶能够增强3D-MCM的互连强度,并且能够有效降低3D-MCM温度循环后的残留翘曲度.底充胶的热膨胀系数(CTE)过高可能引发3D-MCM新的失效模式.3D-MCM的云纹干涉实验结果与数值分析结果相符较好.
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关键词
三维多芯片组件
埋置式基板
翘曲
有限元模拟
热机械可靠性
云纹干涉
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职称材料
本征ZnO纳米线的原位生长及其对痕量H_(2)S气体的敏感性
被引量:
2
3
作者
丁培
黄海云
+3 位作者
徐涛
郑丹
许鹏程
陈莹
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2017年第11期21-24,共4页
文中研究了通过低温水热法在微传感器表面原位生长不同直径的本征ZnO纳米线,用于痕量H_2S气体的检测,比较了不同尺寸ZnO纳米线传感器对H_2S的气敏性。实验结果表明:在150℃条件下,随着ZnO纳米线直径的缩小(200 nm→50 nm→20 nm),其对H...
文中研究了通过低温水热法在微传感器表面原位生长不同直径的本征ZnO纳米线,用于痕量H_2S气体的检测,比较了不同尺寸ZnO纳米线传感器对H_2S的气敏性。实验结果表明:在150℃条件下,随着ZnO纳米线直径的缩小(200 nm→50 nm→20 nm),其对H_2S的气敏性显著提高。在相同H_2S气体浓度(5 ppm)下,50 nm ZnO纳米线的响应值是200 nm的5.4倍,检测下限为50 ppb,灵敏度均值达到6.4×10-2ppm-1;20 nm ZnO的响应值比50 nm ZnO的响应值进一步增大,检测下限达到10 ppb,是50 nm ZnO的5倍,检测灵敏度均值为2.0×10-3ppm-1,是50 nm ZnO的32倍。这些主要是由于纳米尺寸效应的影响。
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关键词
ZNO纳米线
H_(2)S气体检测
纳米尺寸效应
气体传感器
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职称材料
MEMS器件真空封装模型模拟
被引量:
4
4
作者
程迎军
朱锐
+1 位作者
许薇
罗乐
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2004年第12期86-88,共3页
结合典型的MEMS器件真空封装工艺,应用真空物理的相关理论,建立了MEMS器件真空封装的数学物理模型,确定了其数值模拟算法。据此,对一封装示例进行了计算,获得了真空回流炉内干燥箱及密封腔体真空度的变化情况,实现了MEMS器件真空封装工...
结合典型的MEMS器件真空封装工艺,应用真空物理的相关理论,建立了MEMS器件真空封装的数学物理模型,确定了其数值模拟算法。据此,对一封装示例进行了计算,获得了真空回流炉内干燥箱及密封腔体真空度的变化情况,实现了MEMS器件真空封装工艺过程的参数化建模与模拟。
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关键词
微机电系统
真空封装
模型
模拟
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职称材料
题名
去除移动心电检测中运动干扰的多通道电极皮肤接触阻抗研究
被引量:
3
1
作者
张洹千
张树林
杜晓薇
金庆辉
刘学华
李擎
杨坚
赵建龙
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家联合重点实验室
中国科学院
大学
徐汇区中心医院
出处
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期868-873,共6页
基金
上海市科委基金资助项目(14521106200)
文摘
研究一种多通道电极皮肤接触阻抗检测方法,能够同步检测移动心电信号和电极皮肤接触阻抗信号.该方法不需要改变移动心电检测的输入级,能够通过结构简单的电路来保证移动心电信号放大器的输入阻抗达到足够高.为了评估该方法的性能,10位健康志愿者进行了20组实验,结果显示由多通道电极皮肤接触阻抗信号与移动心电信号中的运动干扰相关性更强(中位数=0.599).相比现有的单通道电极皮肤接触阻抗检测方法,多通道电极皮肤接触阻抗能够以更简单的电路结构实现更优的性能.
关键词
移动心电检测
电极皮肤接触阻抗
运动干扰
相关性
Keywords
ambulatory electrocardiogram
electrode-tissue impedance
motion artifact
correlation
分类号
TH772 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
基于埋置式基板的三维多芯片组件的翘曲研究
被引量:
2
2
作者
徐高卫
罗乐
耿菲
黄秋平
周健
机构
中国科学院
上海
微
系统与
信息
技术
研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期1006-1012,共7页
基金
微系统国家级实验室基金(No.9140A18050607ZK3403)
上海市基础研究重点项目基金(No.08JC1422000)
文摘
采用粘塑性有限元焊球模型以及大形变理论研究了三维多芯片组件(3D-MCM)的翘曲形态特征及其成因,结果表明基板腔室的存在使埋置式基板形成了双弓形翘曲形态,焊球的粘塑性使组件在温度循环中出现了翘曲回滞现象.基板中心空腔能改变基板翘曲形态,有利于减小基板翘曲,并有利于提高倒扣焊器件的热机械可靠性.底充胶能够增强3D-MCM的互连强度,并且能够有效降低3D-MCM温度循环后的残留翘曲度.底充胶的热膨胀系数(CTE)过高可能引发3D-MCM新的失效模式.3D-MCM的云纹干涉实验结果与数值分析结果相符较好.
关键词
三维多芯片组件
埋置式基板
翘曲
有限元模拟
热机械可靠性
云纹干涉
Keywords
3D-MCM
embedded substrate
warpage
FE simulation
theemo-mechanical reliability
Moiré fringes
分类号
TN6 [电子电信—电路与系统]
TG4 [金属学及工艺—焊接]
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职称材料
题名
本征ZnO纳米线的原位生长及其对痕量H_(2)S气体的敏感性
被引量:
2
3
作者
丁培
黄海云
徐涛
郑丹
许鹏程
陈莹
机构
上海
应用
技术
大学化学与环境工程
学院
中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家联合重点实验室
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2017年第11期21-24,共4页
基金
国家自然科学基金(61401446)
中科院传感技术重点实验室基金(SKT1401).
文摘
文中研究了通过低温水热法在微传感器表面原位生长不同直径的本征ZnO纳米线,用于痕量H_2S气体的检测,比较了不同尺寸ZnO纳米线传感器对H_2S的气敏性。实验结果表明:在150℃条件下,随着ZnO纳米线直径的缩小(200 nm→50 nm→20 nm),其对H_2S的气敏性显著提高。在相同H_2S气体浓度(5 ppm)下,50 nm ZnO纳米线的响应值是200 nm的5.4倍,检测下限为50 ppb,灵敏度均值达到6.4×10-2ppm-1;20 nm ZnO的响应值比50 nm ZnO的响应值进一步增大,检测下限达到10 ppb,是50 nm ZnO的5倍,检测灵敏度均值为2.0×10-3ppm-1,是50 nm ZnO的32倍。这些主要是由于纳米尺寸效应的影响。
关键词
ZNO纳米线
H_(2)S气体检测
纳米尺寸效应
气体传感器
Keywords
ZnO NWs
H_(2)S gas detection
nano-size effect
gas sensor
分类号
O614 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
MEMS器件真空封装模型模拟
被引量:
4
4
作者
程迎军
朱锐
许薇
罗乐
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家联合重点实验室
出处
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2004年第12期86-88,共3页
基金
国家高技术研究发展计划资助项目(2003AA404015)
文摘
结合典型的MEMS器件真空封装工艺,应用真空物理的相关理论,建立了MEMS器件真空封装的数学物理模型,确定了其数值模拟算法。据此,对一封装示例进行了计算,获得了真空回流炉内干燥箱及密封腔体真空度的变化情况,实现了MEMS器件真空封装工艺过程的参数化建模与模拟。
关键词
微机电系统
真空封装
模型
模拟
Keywords
MEMS(microelectromechanical system)
vacuum packaging
modelling
simulation
分类号
TP15 [自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
去除移动心电检测中运动干扰的多通道电极皮肤接触阻抗研究
张洹千
张树林
杜晓薇
金庆辉
刘学华
李擎
杨坚
赵建龙
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于埋置式基板的三维多芯片组件的翘曲研究
徐高卫
罗乐
耿菲
黄秋平
周健
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
本征ZnO纳米线的原位生长及其对痕量H_(2)S气体的敏感性
丁培
黄海云
徐涛
郑丹
许鹏程
陈莹
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2017
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
MEMS器件真空封装模型模拟
程迎军
朱锐
许薇
罗乐
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2004
4
在线阅读
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职称材料
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