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0．13μm抗辐射SOICMOS标准单元库建库流程研究与实现
被引量：
1
1
作者
吕灵娟
刘汝萍
+2 位作者
林敏
杨根庆
邹世昌
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期273-279,共7页
基于0.13μm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线,开发了全套0.13μm抗辐射SOI CMOS工艺的标准单元库。针对深亚微米SOI器件的辐射效应,在电路设计和版图设计上进行了加固,达到了比较好的抗辐射效果。对SOI标准单...
基于0.13μm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线,开发了全套0.13μm抗辐射SOI CMOS工艺的标准单元库。针对深亚微米SOI器件的辐射效应,在电路设计和版图设计上进行了加固,达到了比较好的抗辐射效果。对SOI标准单元库的建库流程的各方面做了比较深入的介绍,通过Hspice仿真验证单元库中加固D触发器(DFF)抗单粒子效应的能力并对不同加固方式的性能开销进行了对比。利用已建立的0.13μm抗辐射SOI CMOS标准单元库设计了测试芯片以验证库的可靠性。
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关键词
0
13μm抗辐射绝缘体上硅互补金属氧化物半导体
标准单元库
建库流程
测试芯片
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职称材料
题名
0．13μm抗辐射SOICMOS标准单元库建库流程研究与实现
被引量：
1
1
作者
吕灵娟
刘汝萍
林敏
杨根庆
邹世昌
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验室
中国科学院
大学
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期273-279,共7页
文摘
基于0.13μm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线,开发了全套0.13μm抗辐射SOI CMOS工艺的标准单元库。针对深亚微米SOI器件的辐射效应,在电路设计和版图设计上进行了加固,达到了比较好的抗辐射效果。对SOI标准单元库的建库流程的各方面做了比较深入的介绍,通过Hspice仿真验证单元库中加固D触发器(DFF)抗单粒子效应的能力并对不同加固方式的性能开销进行了对比。利用已建立的0.13μm抗辐射SOI CMOS标准单元库设计了测试芯片以验证库的可靠性。
关键词
0
13μm抗辐射绝缘体上硅互补金属氧化物半导体
标准单元库
建库流程
测试芯片
Keywords
0. 13 μm radiation hardened SO1 CMOS
standard cell library
library buildingflow
test chip
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0．13μm抗辐射SOICMOS标准单元库建库流程研究与实现
吕灵娟
刘汝萍
林敏
杨根庆
邹世昌
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
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