单源低能离子束辅助沉积类金刚石薄膜摩擦性能的研究 被引量：12

1

作者 朱宏 柳襄怀 +3 位作者 任琮欣 邹世昌 刘惠文 张绪寿 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期118-125,共8页

目前，制各类金刚石薄膜的方法很多，然而其中的多数在沉积过程中都需要基体具有比较高的温度，这就不可避免地会对耐温性能较差的材料造成损伤，或使机械零部件发生变形和尺寸变化．因此，利用单源低能离子束辅助沉积法制备了非晶碳薄... 目前，制各类金刚石薄膜的方法很多，然而其中的多数在沉积过程中都需要基体具有比较高的温度，这就不可避免地会对耐温性能较差的材料造成损伤，或使机械零部件发生变形和尺寸变化．因此，利用单源低能离子束辅助沉积法制备了非晶碳薄膜，并且利用喇曼光谱和俄歇电子能谱研究了薄膜的结构，发现其为无定形的类金刚石薄膜，薄膜中的碳原子成键主要是ｓｐ２杂化键．研究表明，随着离子能量和束流的增大，薄膜的显微硬度、摩擦系数和寿命都增大．由于这种方法制备的类金刚石薄膜的含氢量较少，膜中ｓｐ２杂化键较多，性能更接近于石墨，故其摩擦性能较好．研究结果对深入认识类金刚石簿膜结构和在改进磁盘表面耐磨保护涂层等薄膜润滑性能方面，都具有重要的指导意义和实用价值。 展开更多

关键词 离子束辅助沉积 类金刚石薄膜 摩擦性能

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用离子束技术改善材料电子发射特性的研究 被引量：3

2

作者 柳襄怀 朱宏 +2 位作者 郑志宏 刘炎源 吴静贤 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期89-91,共3页

本文用离子束技术，使铜网的二次电子发射系数降低，场发射性能得到改善，钼网的＂栅发射＂得到抑制。测量并讨论了逸出功变化对电子发射性能的影响，研究表明，离子束技术是改善材料电子发射性能的有效手段。

关键词 离子束技术 电子发射特性 逸出功 电真空器件

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定向凝固过程中胞晶生长方向顺流偏转机制的研究 被引量：4

3

作者 毛应俊 刘建 周尧和 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期47-51,共5页

本文利用透明模型合金ＳＣＮ０．７ｗｔ％Ｅｔｈ．，系统考察了定向凝固中强制性生长胞晶在垂直其生长方向的液相对流作用下形态向顺流方向偏转的机制。发现胞晶生长端前沿流场的不对称，形成其溶质分布的不对称，导致胞端两侧生长动... 本文利用透明模型合金ＳＣＮ０．７ｗｔ％Ｅｔｈ．，系统考察了定向凝固中强制性生长胞晶在垂直其生长方向的液相对流作用下形态向顺流方向偏转的机制。发现胞晶生长端前沿流场的不对称，形成其溶质分布的不对称，导致胞端两侧生长动力学因素的差异。 展开更多

关键词 定向凝固 长胞晶 顺流偏转 晶体生长

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CoSi＿2／Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术

4

作者 刘平 李炳宗 +2 位作者 黄维宁 姜国宝 顾志光 《应用科学学报》 CAS CSCD 1994年第4期401-408,共8页

研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子注入，用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤... 研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子注入，用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算，选择适当的注入能量，使注入的杂质浓度峰值位于ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ界面附近，经快速退火，可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型ＮＭＯＳ晶体管。该文还研究了注入在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化，结果表明，磷在热处理过程中，存在向硅衬底较强的扩散趋势，而硼则明显不同。 展开更多

关键词 MOS晶体管 离子注入 界面 快速退火 硅化物

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离子注入SOI材料的红外吸收谱分析

5

作者 方子韦 俞跃辉 +1 位作者 林成鲁 邹世昌 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期113-119,共7页

用傅里叶红外吸收谱对不同热处理条件下的SOI样品进行了系统的分析,结果表明:对于190keV,1.8×10^(18)/cm^2N^+注入的样品,在低于1100℃的温度下退火可保持氮化硅埋层的无定形态,而～1200℃热退火则导致氮化硅埋层的结晶成核现象。... 用傅里叶红外吸收谱对不同热处理条件下的SOI样品进行了系统的分析,结果表明:对于190keV,1.8×10^(18)/cm^2N^+注入的样品,在低于1100℃的温度下退火可保持氮化硅埋层的无定形态,而～1200℃热退火则导致氮化硅埋层的结晶成核现象。对于200keV,1.8×10^(18)/cm^2O^+注入的样品,氧化硅埋层的形成是连续渐变的,注入的氧化硅埋层向常规的热氧化非晶态SiO_2转变的激活能为0.13eV。 展开更多

关键词 离子注入 SOI 红外吸收谱 硅

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氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质

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作者 俞跃辉 林成鲁 +2 位作者 朱文化 邹世昌 卢江 《电子科学学刊》 CSCD 1991年第5期489-495,共7页

本文利用俄歇能谱和红外吸收谱研究了硅中O^+(200keV,1.8×10^(18)/cm^2)和N^+(180keV,4×10^(17)/cm^2)共注入、并经1200℃、2h退火后所形成的绝缘埋层的微观结构及其光学性质。结果表明:O^+和N^+共注入所形成的绝缘埋层是由Si... 本文利用俄歇能谱和红外吸收谱研究了硅中O^+(200keV,1.8×10^(18)/cm^2)和N^+(180keV,4×10^(17)/cm^2)共注入、并经1200℃、2h退火后所形成的绝缘埋层的微观结构及其光学性质。结果表明:O^+和N^+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO_2相和不饱和氧化硅态组成;在氧化硅埋层的两侧形成氮氧化硅薄层;表面硅-埋层的界面和埋层-体硅的界面的化学结构无明显差异。通过对波数范围在5000—1700cm^(-1)的红外反射谱的计算机模拟,得到了该绝缘埋层的折射率、厚度等有关的参数值,这些结果与离子背散射谱的分析结果相一致。本文还讨论了绝缘埋层的形成特征。 展开更多

关键词 离子注入 绝缘埋层 微观结构 光学

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等离子体基离子注入法制备SOI材料 被引量：1

7

作者 于伟东 王曦 +1 位作者 陈静 张苗 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期347-349,353,共4页

注氧隔离法 (SIMOX)和体硅智能剥离法 (smart cut)是目前制备绝缘体上的硅 (SOI)材料的最重要的两种方法。而离子注入是其中最主要工艺过程。本文简述了等离子体基离子注入 (PBII)在制备SOI的两种方法中应用的国内外研究现状。讨论了两... 注氧隔离法 (SIMOX)和体硅智能剥离法 (smart cut)是目前制备绝缘体上的硅 (SOI)材料的最重要的两种方法。而离子注入是其中最主要工艺过程。本文简述了等离子体基离子注入 (PBII)在制备SOI的两种方法中应用的国内外研究现状。讨论了两种方法中需要考虑的共性问题 ,包括注入剂量的均匀性、等离子体中离子的选择、单一能量的获得以及避免C、N、O及金属粒子的污染等。并且针对SIMOX和smart cut各自的工艺特点 ,分别讨论了不同工艺参数的选择。 展开更多

关键词 等离子体基离子注入 SOI材料 PBII SIMOX SMART-CUT

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纳米材料的结构、性能及应用 被引量：56

8

作者 丁星兆 柳襄怀 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期1-5,共5页

综述了纳米材料的微观结构特征、宏观性能以及近年来在各个领域中的实际应用。

关键词 纳米材料 微观结构 应用 宏观性能 制备

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ZrO_2(YSZ)衬底和 YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导膜的相互作用 被引量：1

9

作者 陈建民 郑彦 +4 位作者 陈国梁 任琮欣 杨洁 谢雷鸣 邹世昌 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期284-288,共5页

研究了不同晶向的 ZrO_2(YSZ)与 YBa_2Cu_3O_(?)超导膜的相互作用。结果表明:衬底 ZrO_2的晶向对YBa_2Cu_3O_(7-δ)晶粒取向有明显影响,在<100>ZrO_2上制备的超导膜,超导晶粒 c 轴平行于衬底表面,出现择优取向;在 Y-Ba-Cu-O/ZrO_... 研究了不同晶向的 ZrO_2(YSZ)与 YBa_2Cu_3O_(?)超导膜的相互作用。结果表明:衬底 ZrO_2的晶向对YBa_2Cu_3O_(7-δ)晶粒取向有明显影响,在<100>ZrO_2上制备的超导膜,超导晶粒 c 轴平行于衬底表面,出现择优取向;在 Y-Ba-Cu-O/ZrO_2上铜晶粒的析出是由于超导膜与 ZrO_2界面反应引起的;用俄歇能谱(AES)和背散射技术(RBS)都观察到了 Ba、Cu 原子向衬底的内扩散;同时,实验证实了在 ZrO_2衬底上热蒸发(?)薄层 Ag 对衬底反应有强压制作用,并在 YBa_2Cu_3O_(7-δ)/Ag/ZrO_2样品中观察到了超导晶粒 c 轴在垂直于衬底方向出现择优取向。 展开更多

关键词 超导体 钇钡铜氧 薄膜 二氧化锆

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ACRT定向凝固过程非小面胞枝晶形态的演变

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作者 毛应俊 刘建 周尧和 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第1期38-43,共6页

ＡＣＲＴ定向凝固技术是一种新型的晶体生长技术，已成功地应用于制备一些优质高效的功能材料。本文利用自行研制的透明模型合金ＡＣＲＴ定向凝固装置，实时实地观察了ＡＣＲＴ定向凝固过程中胞晶枝晶生长形态的变化过程。发现ＡＣＲＴ... ＡＣＲＴ定向凝固技术是一种新型的晶体生长技术，已成功地应用于制备一些优质高效的功能材料。本文利用自行研制的透明模型合金ＡＣＲＴ定向凝固装置，实时实地观察了ＡＣＲＴ定向凝固过程中胞晶枝晶生长形态的变化过程。发现ＡＣＲＴ产生的对流减小胞枝晶一次间距，较高强度对流使胞枝晶生长转变为平界面生长，并会在本质上改变枝晶的生长特性。 展开更多

关键词 晶体生长 定向凝固 胞晶 生长形态

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退火条件对Y-Ba-Cu-O薄膜超导性能的影响

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作者 郑彦 任琮欣 +7 位作者 陈国梁 陈建民 杨洁 汪乐 陈正秀 柳襄怀 谢雷鸣 邹世昌 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期283-287,共5页

用XRD、XIFS及SEM等对比分析了不同退火温度或退火时间下Y-Ba-Cu-O薄膜的相结构、成份比及微结构等的变化。发现在860℃/1h的退火条件下,薄膜已形成了较为完全的超导相,而940℃/1h的退火条件将使薄膜失去超导性。当退火温度升到900℃以... 用XRD、XIFS及SEM等对比分析了不同退火温度或退火时间下Y-Ba-Cu-O薄膜的相结构、成份比及微结构等的变化。发现在860℃/1h的退火条件下,薄膜已形成了较为完全的超导相,而940℃/1h的退火条件将使薄膜失去超导性。当退火温度升到900℃以上时,Ba和Cu原子浓度百分比开始较快地下降。结合不同条件下的T_c测试数据及分析结果,提出了较为合适的退火条件。 展开更多

关键词 超导薄膜 退火条件 超导性能 钇 钡

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