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金刚石粉末淀积层的场发射特性研究被引量：7: 1; 作者周江云徐静芳 +1 位作者茅东升柳襄怀《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期330-333,共4页; 采用电镀方法和直接刷涂的方法在钨针衬底和硅衬底上沉积高压合成的金刚石粉末形成冷阴极。将这种冷阴极与荧光阳极组成真空二极管结构。通过该结构电流电压特性的测量和发光特性的观察研究了金刚石粉末冷阴极的电子场发射性能。实验... 展开更多; 关键词金刚石粉末场发射电导调制效应热电正反馈电镀法直接刷涂法点状场发射冷阴极制备技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

金刚石薄膜电子场发射研究进展被引量：2: 2; 作者茅东升赵俊 +7 位作者李炜王曦柳襄怀诸玉坤周江云范忠李琼徐静芳《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期27-31,共5页; 综述了近年来金刚石和类金刚石薄膜电子场发射性能的研究进展。金刚石薄膜是出色的场发射材料,由于其很低的或者是负的电子亲和势(导带能级位于真空能级之上)和良好的化学稳定性,在真空微电子和场发射显示领域具有广阔的应用前景。; 关键词金刚石薄膜电子场发射性能研究进展制备; 在线阅读下载PDF 职称材料

离子注入形成AIN埋层的分析与计算机模拟被引量：1: 3; 作者施左宇林成鲁 +3 位作者朱文化 U.Bussmann P.L.F.Hemment 邹世昌《功能材料》 EI CAS CSCD 1993年第3期219-222,241,共5页; 以离子背散射和二次离子质谱分析了大剂量N^+离子注入A1形成的A1/A1N/A1多层结构。基于离子注入形成A1N埋层的机理,利用计算机程序动态模拟A1N层的形成过程及终态结构。研究发现,N/A1原子比饱和于A1N化学组分比,模拟与实验结果符合得很... 展开更多; 关键词 AIN 离子注入计算机模拟半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制被引量：1: 4; 作者董业民叶春暖 +5 位作者汤乃云陈静吴雪梅诸葛兰剑王曦姚伟国《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期670-672,共3页; 采用射频磁控溅射技术 ,在Ge纳米镶嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件。器件的结构为半透明Au膜 /Ge纳米镶嵌薄膜 /p Si基片。当正向偏压大于 6V时 ,用肉眼可以观察到可见的电致发光 ,但在反向偏压下探测不到光发射。所测电致发光谱中... 展开更多; 关键词锗纳米镶嵌薄膜电致发光发光机制; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金刚石粉末淀积层的场发射特性研究被引量：7: 1; 作者周江云徐静芳茅东升柳襄怀; 机构上海华东师范大学电子科学技术系中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期330-333,共4页; 基金国家自然科学基金资助!(6 96 710 11); 文摘采用电镀方法和直接刷涂的方法在钨针衬底和硅衬底上沉积高压合成的金刚石粉末形成冷阴极。将这种冷阴极与荧光阳极组成真空二极管结构。通过该结构电流电压特性的测量和发光特性的观察研究了金刚石粉末冷阴极的电子场发射性能。实验显示 ,这些冷阴极都具有很高的电子发射能力 ,最低开启场强达到3 2 5V/μm。; 关键词金刚石粉末场发射电导调制效应热电正反馈电镀法直接刷涂法点状场发射冷阴极制备技术; Keywords diamond powder field emission; 分类号 O462.4 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金刚石薄膜电子场发射研究进展被引量：2: 2; 作者茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤周江云范忠李琼徐静芳; 机构中国科学院上海冶金所离子束开放实验室中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室华东师范大学电子科学技术系; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期27-31,共5页; 基金国家863计划支持项目; 文摘综述了近年来金刚石和类金刚石薄膜电子场发射性能的研究进展。金刚石薄膜是出色的场发射材料,由于其很低的或者是负的电子亲和势(导带能级位于真空能级之上)和良好的化学稳定性,在真空微电子和场发射显示领域具有广阔的应用前景。; 关键词金刚石薄膜电子场发射性能研究进展制备; Keywords diamond film,electron field emission property ,progress; 分类号 O484 [理学—固体物理] TN304.18 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名离子注入形成AIN埋层的分析与计算机模拟被引量：1: 3; 作者施左宇林成鲁朱文化 U.Bussmann P.L.F.Hemment 邹世昌; 机构中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 1993年第3期219-222,241,共5页; 文摘以离子背散射和二次离子质谱分析了大剂量N^+离子注入A1形成的A1/A1N/A1多层结构。基于离子注入形成A1N埋层的机理,利用计算机程序动态模拟A1N层的形成过程及终态结构。研究发现,N/A1原子比饱和于A1N化学组分比,模拟与实验结果符合得很好;低能注入能降低形成A1N层的临界剂量,且A1/A1N界面更陡。; 关键词 AIN 离子注入计算机模拟半导体; Keywords A1N Ion implantation computer simulation; 分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制被引量：1: 4; 作者董业民叶春暖汤乃云陈静吴雪梅诸葛兰剑王曦姚伟国; 机构苏州大学物理系中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期670-672,共3页; 文摘采用射频磁控溅射技术 ,在Ge纳米镶嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件。器件的结构为半透明Au膜 /Ge纳米镶嵌薄膜 /p Si基片。当正向偏压大于 6V时 ,用肉眼可以观察到可见的电致发光 ,但在反向偏压下探测不到光发射。所测电致发光谱中只有一个发光峰 ,峰位在 5 10nm ( 2 .4eV ,绿光 ) ,并且随着正向偏压的升高 ,峰位不发生移动 ;对于不同温度退火的样品 ,峰位也保持不变。; 关键词锗纳米镶嵌薄膜电致发光发光机制; Keywords Ge nanocrystal embedded thin films electroluminescence light emission mechanism; 分类号 TN104.3 [电子电信—物理电子学] TN383.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	金刚石粉末淀积层的场发射特性研究	周江云徐静芳茅东升柳襄怀	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	7	在线阅读下载PDF 职称材料
2	金刚石薄膜电子场发射研究进展	茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤周江云范忠李琼徐静芳	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	1998	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	离子注入形成AIN埋层的分析与计算机模拟	施左宇林成鲁朱文化 U.Bussmann P.L.F.Hemment 邹世昌	《功能材料》 EI CAS CSCD	1993	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制	董业民叶春暖汤乃云陈静吴雪梅诸葛兰剑王曦姚伟国	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	1	在线阅读下载PDF 职称材料