光互连技术的研究现状及发展 被引量：4

1

作者 祖继锋 陈兴文 +2 位作者 余宽豪 陈学良 耿完桢 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期60-64,共5页

本文首先总结了光学互连的主要实现途径，然后评述了光互连的研究现状与最新发展，通过对存在问题的分析，最后给出了有关的结论．

关键词 光互连 光波导 VLSI ULSI

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多晶硅超自对准技术在双极超高速器件工艺中的研究

2

作者 余宽豪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期19-21,共3页

叙述了在硅双极型超高速工艺中研究使用的多晶硅超自对准技术（ＳＳＴ），通过对器件结构的比较，工艺特点的分析，进行了改善关键技术的探讨，并在我们现有基础条件下，开展了用ＳＳＴ研制晶体管的实验。

关键词 多晶硅 自对准 CVD RIE

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单片集成透镜高速1×4InGaAs/InPpin探测器阵列研究 被引量：1

3

作者 肖德元 任琮欣 陈学良 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期364-368,共5页

设计并制作了带有集成透镜的1×4 InGaAs/InP pin探测器阵列.对器件纵向和横向结构参数及集成InP透镜几何参数进行了模拟设计与优化.器件带宽达1.0GHz,对宽带波分复用、光互连以及光计算网络有重要应用价值.

关键词 探测器阵列 集成透镜 磷化铟 INGAAS

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外延迁移技术制作光电子单片集成Si的GaAs/GaAlAs DH LED

4

作者 肖德元 郭康瑾 +2 位作者 李爱珍 徐少华 朱黎明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期367-369,共3页

描述了采用外延迁移技术制作光电子集成电路的Si衬底砷化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果.发光器件是在外延迁移后流片制作的,克服了光子器件与电子器件的对准问题,可与电子器件大规模集成.

关键词 外延迁移 光电子 集成电路 LED

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TDDB击穿特性评估薄介质层质量 被引量：8

5

作者 胡恒升 张敏 林立谨 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期80-83,74,共5页

与时间相关电介质击穿 (TDDB)测量是评估厚度小于 2 0nm薄栅介质层质量的重要方法 .氧化层击穿前 ,隧穿电子和空穴在氧化层中或界面附近产生陷阱、界面态 ,当陷阱密度超过临界平均值 ρbd时 ,发生击穿 .击穿电量Qbd值表征了介质层的质... 与时间相关电介质击穿 (TDDB)测量是评估厚度小于 2 0nm薄栅介质层质量的重要方法 .氧化层击穿前 ,隧穿电子和空穴在氧化层中或界面附近产生陷阱、界面态 ,当陷阱密度超过临界平均值 ρbd时 ,发生击穿 .击穿电量Qbd值表征了介质层的质量 .Qbd值及其失效统计分布与测试电流密度、电场强度、温度及氧化层面积等有定量关系 .TDDB的早期失效分布可以反映工艺引入的缺陷 .TDDB可以直接评估氧化、氮化、清洗、刻蚀等工艺对厚度小于 10nm的栅介质质量的影响 .它是硅片级评估可靠性和预测EEPROM擦写次数的重要方法 . 展开更多

关键词 薄介质层 VLSI 集成电路 TDDB 击穿特性

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半导体工艺线上的C－t检测及其应用 被引量：2

6

作者 何德湛 闵靖 曾庆光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期46-49,共4页

本文主要介绍在半导体工艺线上对有关工艺进行Ｃ－ｔ检测及应用，结果表明这对提高工艺质量及产品成品率是重要的。

关键词 半导体器件 工艺 C-t检测

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反应离子刻蚀工艺中的充电效应 被引量：2

7

作者 胡恒升 张敏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期81-83,67,共4页

本文阐述了反应离子刻蚀 (RIE)工艺过程中充电效应产生的机理 ,认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的 ,推导了等离子体充电电流的表达式 .

关键词 反应离子刻蚀 等离子体不均匀 充电效应

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快速热处理技术在集成电路制造上的应用 被引量：1

8

作者 何德湛 陈学良 +1 位作者 朱培青 李东宏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期34-36,共3页

主要介绍快速热处理（ＲＴＰ）技术［１］，包括在高速双极ＩＣ的快速热退火（ＲＴＡ）［２］、Ｔｉ金属与Ｓｉ形成低阻的ＴｉＳｉ２接触同时，其上表面形成防止Ａｌ往Ｓｉ中渗透的阻挡层ＴｉＮ的ＲＴＰ。

关键词 快速热处理 集成电路 制造工艺

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高速双极集成电路中的快速热退火 被引量：1

9

作者 何德湛 陈学良 +1 位作者 杨华丽 刘晓岚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期11-14,共4页

本文介绍近年来发展较快的快速热退火(RTA)技术在高速双极IC(集成电路)的应用,文中给出RTA技术与普通热退火的比较,也给出了RTA技术在高速双极集成电路中应用的结果。

关键词 双极 集成电路 热退火 高速

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原子力显微镜微探针制造及阳极键合技术

10

作者 何德湛 郑宜波 张敏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期53-55,共3页

首先简介原子力显微镜（ＡＦＭ）的特点，然后叙述阳极键合技术的原理，以及此技术在微探针制造中的应用。

关键词 原子力显微镜 FAM 微探针 阳极 键合技术

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采用不同工艺的CMOS钟电路分析及设计

11

作者 余宽豪 须国宗 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期33-36,共4页

对早期开发的铝栅ＣＭＯＳ４．１９ＭＨｚ钟电路和近期研制的硅栅ＣＭＯＳ４．１９ＭＨｚ钟电路进行了详细分析比较。随着工艺技术的不断提高和设计改进，使得电路在降低功耗、减小面积方面更加完善，从而提高性能价格比。

关键词 低功耗 C^2MOS电路 石英钟 钟表电路

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发射激光脉冲用的高速pnpn闸流管的设计与制造

12

作者 何德湛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期33-37,共5页

介绍了发射激光脉冲用的高速ｐｎｐｎ闸流管的设计、制造方法及参数测试结果。该器件可用于激光通信、引信（引爆）、测距、小型雷达、模拟射击、游戏枪、车辆防碰撞等方面，也可用于各种脉冲电源及脉冲开关。

关键词 激光脉冲 闸流管 高速pnpn闸流管 设计 制造工艺

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用于多路信号传输的集成复用技术

13

作者 余宽豪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期40-42,共3页

通过对集成复用技术中常用的复用电路和解复用电路的分析，认为选择单节的四路ＭＵＸ和ＤＭＵＸ，结合通常为２～３微米双极高速工艺，比需要更高工艺水平的二节树型分叉结构更有实际意义。实际设计的４：１ＭＵＸ和１：４ＤＭＵＸ电路... 通过对集成复用技术中常用的复用电路和解复用电路的分析，认为选择单节的四路ＭＵＸ和ＤＭＵＸ，结合通常为２～３微米双极高速工艺，比需要更高工艺水平的二节树型分叉结构更有实际意义。实际设计的４：１ＭＵＸ和１：４ＤＭＵＸ电路经模拟验证，用２微米高速双极工艺研制已具有初步功能。 展开更多

关键词 复用电路 解复用电路 SPICE模拟 高速工艺

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PNPN管原理在分析CMOS寄生效应中的应用

14

作者 何德湛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期18-21,共4页

本文从四层器件PNPN管原理,分析了CMOS电路中寄生PNPN管效应的现象,从原理上指出,(1)输出端较易触发此寄生管效应的原因。(2)触发导通是从共基极触发方式转为共发射极触发。触发时,n沟源区(或P沟源区)受反向偏置,只有触发过后,才有大电... 本文从四层器件PNPN管原理,分析了CMOS电路中寄生PNPN管效应的现象,从原理上指出,(1)输出端较易触发此寄生管效应的原因。(2)触发导通是从共基极触发方式转为共发射极触发。触发时,n沟源区(或P沟源区)受反向偏置,只有触发过后,才有大电流流经此区。(3)版图没计中,输入端至地的保护两极管,为什么单独在一个小p阱上比与n沟源、漏区同在一个p阱上,能减少寄生效应。(4)在倒相器的I-V负阻闸流特性曲线中,输入端分别接V_(DD)和V_(ss)时,为什么会出现维持电流I_H数值会不相等现象,其相差值在10～50mA不等。在什么情况下才会相等。此外,文中还分析了其它一些问题。实验结果表明与分析是一致的。 展开更多

关键词 PNPN管 CMOS 寄生效应 可控硅

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薄栅介质层可靠性与陷阱统计分析 被引量：1

15

作者 姚峰英 胡恒升 张敏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1522-1525,共4页

本文以高电场 ( >11 8MV/cm)恒电流TDDB为手段研究了厚度为 7 6、10 3、12 5、14 5nm薄氧化层的击穿统计特性 .实验分析表明在加速失效实验中测量击穿电量Qbd的同时 ,还可以测量击穿时的栅电压增量ΔVbd.因为ΔVbd的统计分布反映... 本文以高电场 ( >11 8MV/cm)恒电流TDDB为手段研究了厚度为 7 6、10 3、12 5、14 5nm薄氧化层的击穿统计特性 .实验分析表明在加速失效实验中测量击穿电量Qbd的同时 ,还可以测量击穿时的栅电压增量ΔVbd.因为ΔVbd的统计分布反映了栅介质层中带电陷阱的数量及其位置分布 ,可以表征栅介质层的质量和均匀性 .此外由Qbd和ΔVbd能够较合理地计算临界陷阱密度Nbd.实验结果表明本征击穿时Nbd与测试条件无关而随工艺和介质层厚度变化 .同样厚度时Nbd反映不同工艺生成的介质质量 .陷阱生成的随机性使Nbd随栅介质厚度减小而下降 .氧化层厚度约10nm时Nbd达到氧化层分子密度的 1%发生击穿 ( 10 2 0 cm-3) .Nbd的物理意义清楚 ,不象Qbd随测试应力条件变化 ,是薄栅介质层可靠性的较好的定量指标 . 展开更多

关键词 集成电路 薄栅介质 可靠性 缺陷统计分析

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中束流平行扫描式离子注入机的现状 被引量：2

16

作者 何晓阳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期61-64,F003,共5页

全面介绍了当今集成电路制造工业中四种中束流平行扫描式离子注入机的发展情况，由于平行束扫描方式的实现，使得８英寸硅片的注入均匀性小于０．５％

关键词 离子注入机 中束流 平行扫描 半导体器件

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短沟道CMOS器件在液氮温区的特性比较与分析

17

作者 何晓阳 朱荣锦 许康 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期14-17,13,共5页

本文主要对两种不同的常规工艺条件下制备的短沟道ＣＭＯＳ器件在室温和液氮温区的场效应迁移率、跨导、亚阈和高频特性进行比较和分析，结果发现ＨＣＭＯＳⅡ型ＰＭＯＳ管在７７Ｋ下的工作特性比ＨＣＭＯＳⅠ型的好，而相应的ＮＭＯＳ... 本文主要对两种不同的常规工艺条件下制备的短沟道ＣＭＯＳ器件在室温和液氮温区的场效应迁移率、跨导、亚阈和高频特性进行比较和分析，结果发现ＨＣＭＯＳⅡ型ＰＭＯＳ管在７７Ｋ下的工作特性比ＨＣＭＯＳⅠ型的好，而相应的ＮＭＯＳ管特性却变得很差，这主要是由于电离杂质散射增强的缘故。为此我们提出一种既适于室温工作又能在液氮温区充分发挥优点的新型短沟道ＣＭＯＳ器件。 展开更多

关键词 CMOS器件 液氮区 特性 分析

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高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化

18

作者 胡旭宏 张敏 +1 位作者 俞波 黄焕章 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期15-19,共5页

本文报导一套先进的ＢｉＣＭＯＳ集成电路制造技术。建立在ＣＭＯＳ工艺基础上的ＢｉＣＭＯＳ制造工艺，增加了双埋层、２．５微米本征外延层、双阱、基区、多晶硅发射区、深集电区和平坦化双层金属布线等工艺技术。器件性能测试和扫描... 本文报导一套先进的ＢｉＣＭＯＳ集成电路制造技术。建立在ＣＭＯＳ工艺基础上的ＢｉＣＭＯＳ制造工艺，增加了双埋层、２．５微米本征外延层、双阱、基区、多晶硅发射区、深集电区和平坦化双层金属布线等工艺技术。器件性能测试和扫描电镜检查结果表明，双极器件和ＭＯＳ器件性能优良，ＢｉｃＭＯＳ器件的抗锁定性能比ＣＭＯＳ器件提高了一个数量级。优化设计了高性能该电路。当负载电容为２．０ｐＦ时，该电路的延迟时间为１．２ｎｓ，ＢｉＣＭＯＳ宏单元的传输速度比同类ＣＭＯＳ电路有所提高，这套制造技术适合于１．２～２．０μｍ　ＢｉＣＭＯＳ集成电路的制造。 展开更多

关键词 I/O电路 CMOS 集成电路 制造工艺

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薄膜晶体管制作工艺的发展概况

19

作者 何晓阳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期1-4,共4页

介绍了目前薄膜晶体管（ＴＦＴ）的结构和相关工艺的进展及低温化过程。

关键词 薄膜晶体管 工艺进展 AMLCO 制作工艺

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双极型器件制做工艺的发展综述

20

作者 何晓阳 陈学良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期5-10,21,共7页

本文通过对双极型器件缩小规则的讨论,总述了双极型器件纵向、横向尺寸缩小所引起的工艺发展,并着重介绍了隔离、多晶发射极和自对准这三方面工艺的演变,从而引出Si高速双极型器件的发展趋势。此外,本文还简述了Si异质结双极型器件的优点。

关键词 双极型器件 工艺

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