GSMBE生长In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT微结构材料及器件研究

1

作者 陈晓杰 陈建新 +2 位作者 陈意桥 彭鹏 李爱珍 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2000年第4期407-413,共7页

采用 GSMBE技术 ,在材料表征和分析的基础上 ,通过优化生长条件 ,生长出高性能In0 .4 9Ga0 .51P/ Ga As异质结双极晶体管 (HBT)微结构材料 ,并制备出器件。材料结构中采用了厚度为 6 0 nm、掺杂浓度为 3× 10 19cm-3的掺 Be Ga As... 采用 GSMBE技术 ,在材料表征和分析的基础上 ,通过优化生长条件 ,生长出高性能In0 .4 9Ga0 .51P/ Ga As异质结双极晶体管 (HBT)微结构材料 ,并制备出器件。材料结构中采用了厚度为 6 0 nm、掺杂浓度为 3× 10 19cm-3的掺 Be Ga As基区和 5nm非掺杂隔离层 ,器件流片中采用湿法化学腐蚀制作台面结构。测试结果表明该类器件具有良好的结特性 ,在集电极电流密度 2 80 A/cm2时其共发射极电流增益达 32 0。由此说明非掺杂隔离层的引入有效地抑制了由于基区 Be扩散导致的 pn结与异质结偏位及其所引起的器件性能劣化。 展开更多

关键词 异质结双检晶体管 砷化镓 GSMBE 微结构材料

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新型Fe-Mn-Al-Cr合金的组织及耐酸性能的研究 被引量：1

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作者 刘卫丽 陈才金 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期360-364,共5页

设计了几种不同铬质量分数和铝质量分数的Fe Mn Al Cr合金 ,将以前设计的Fe 2 5 .65Mn 4 .1Al 4 1 3Cr和 1Cr1 8Ni9Ti作为对比试样。金相观察结果表明 :当锰质量分数降到 1 5 %时合金仍能呈单相奥氏体 ,但当铬铝达到一定值时出现铁素... 设计了几种不同铬质量分数和铝质量分数的Fe Mn Al Cr合金 ,将以前设计的Fe 2 5 .65Mn 4 .1Al 4 1 3Cr和 1Cr1 8Ni9Ti作为对比试样。金相观察结果表明 :当锰质量分数降到 1 5 %时合金仍能呈单相奥氏体 ,但当铬铝达到一定值时出现铁素体。应用阳极极化技术和失重法研究了各种合金在 0 .5mol/LH2 SO4 和 1mol/LHNO3中的耐腐蚀性能 ,结果表明 :随铬质量分数的增加 ,合金的耐酸性能先提高后降低 ;随铝质量分数的增加 ,合金的耐酸性能下降。钼在硝酸中大大提高了合金的耐腐蚀性 ,而在硫酸中作用不大 ;降低锰铝并适当升高铬质量分数既可得到更好耐酸性能的合金又降低了成本 ,经钝化后的Fe Mn Al Cr合金的耐硝酸性能比 1Cr1 展开更多

关键词 Fe-Mn-Al-Cr合金 不锈钢 水溶液腐蚀

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钛酸铋薄膜的室温脉冲激光沉积研究

3

作者 曾建明 张苗 +4 位作者 高剑侠 宋志棠 郑立荣 王连卫 林成鲁 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第2期131-135,共5页

在室温下，采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在７．６２ｃｍＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）衬底上制备了钛酸铋（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）薄膜。Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和扩展电阻技术... 在室温下，采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在７．６２ｃｍＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）衬底上制备了钛酸铋（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）薄膜。Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和扩展电阻技术（ＳＲＰ）来分析、表征；采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）技术研究了薄膜的退火特性。研究发现单独用常规退火或快速退火热处理的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜中较容易出现Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７杂相；而采用常规退火和快速退火相结合的方法，较好地解决了杂相出现的问题，得到相结构和结晶性完好的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜。透射电子显微镜实验和扩展电阻实验表明，室温下制备的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜具有良好的表面和界面特性。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 钛酸铋薄膜 SRP RBS 铁电薄膜

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O^+注入SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的研究

4

作者 曾建明 林成鲁 郑立荣 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第3期214-218,共5页

研究了Ｈ＋注入对ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）铁电薄膜的晶体结构和电学性质的影响，并与含氢气氛退火作了比较，进而研究了Ｏ＋注入对ＳＢＴ铁电薄膜电学性质的影响。发现室温Ｏ＋注入，由于较严重的晶格损伤的存在，ＳＢＴ铁电薄... 研究了Ｈ＋注入对ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）铁电薄膜的晶体结构和电学性质的影响，并与含氢气氛退火作了比较，进而研究了Ｏ＋注入对ＳＢＴ铁电薄膜电学性质的影响。发现室温Ｏ＋注入，由于较严重的晶格损伤的存在，ＳＢＴ铁电薄膜的电学性能退化严重，而热靶Ｏ＋注入有助于克服氢对ＳＢＴ铁电薄膜的影响。 展开更多

关键词 集成铁电 离子注入 铁电薄膜 热靶注入

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硅中注H^+的退火行为及智能剥离SOI新材料的微结构分析 被引量：1

5

作者 张苗 林成鲁 +3 位作者 陈立凡 王鲁闽 K.Gutjahr U.M.Gosele 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期181-187,共7页

将中等剂量的H+注入到硅单晶中，并结合硅片低温键合及后续热处理形成了智能剥离SOI新材料。用热波分析技术对注H+片的剥离现象进行了无损非接触检测研究。采用剖面透射电子显微镜与高分辨率透射电子显微镜等手段对这种SOI材料的微结构... 将中等剂量的H+注入到硅单晶中，并结合硅片低温键合及后续热处理形成了智能剥离SOI新材料。用热波分析技术对注H+片的剥离现象进行了无损非接触检测研究。采用剖面透射电子显微镜与高分辨率透射电子显微镜等手段对这种SOI材料的微结构进行了分析。研究表明，智能剥离SOI是一种可通过较简单的工艺获得高质量SOI材料的新途径。 展开更多

关键词 离子注入 智能剥离 SOI 半导体硅膜材料

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硅传感器反应离子刻蚀的观察 被引量：3

6

作者 唐圣明 陈思琴 熊幸果 《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第4期583-584,共2页

关键词 硅传感器 反应离子刻蚀 微电子技术

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基于发射光谱测量的中红外量子级联激光器热特性分析 被引量：2

7

作者 张永刚 南矿军 李爱珍 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期205-209,共5页

基于不同脉冲工作条件下的激射光谱测量可以对激光器的一系列特性进行分析表征 ,为此建立了中红外激光器测量表征系统 ,其中包括引入双调制技术的 FTIR发射光谱测量系统和具有甚宽脉冲参数调节范围的 I-V、I-P测量系统 ,并通过计算机经... 基于不同脉冲工作条件下的激射光谱测量可以对激光器的一系列特性进行分析表征 ,为此建立了中红外激光器测量表征系统 ,其中包括引入双调制技术的 FTIR发射光谱测量系统和具有甚宽脉冲参数调节范围的 I-V、I-P测量系统 ,并通过计算机经由 GPIB总线进行控制 ,同时开发了相应的测量软件。利用此系统对采用气态源分子束外延技术生长的中红外波段 In Al As/In Ga As/In P量子级联激光器的热特性进行了测量分析 ,得出了器件的热阻参数 ,同时也对器件的激射温度范围、激射波长的温度特性、激射时的最高脉冲占空比、激射谱线宽度及其模式特征等一系列参数进行了测量 ,获得了有意义的结果。 展开更多

关键词 中红外 量子级联激光器 分子束外延 光谱测量 热性能 半导体激光器

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WSi_2栅和Si栅CMOS／BESOI的高温特性分析 被引量：1

8

作者 竺士炀 林成鲁 +1 位作者 高剑侠 李金华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期348-351,共4页

用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线... 用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。 展开更多

关键词 高温特性 BESOI CMOS 硅栅器件

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Ni过渡层对Co/Cu/Co三明治膜微结构及巨磁电阻性能的影响

9

作者 李铁 沈鸿烈 +2 位作者 沈勤我 李冠雄 邹世昌 《电子显微学报》 CAS CSCD 1999年第1期29-34,共6页

本文利用原子力显微镜对具有不同厚度Ｎｉ过渡层的Ｃｏ５．０ｎｍ／Ｃｕ３．５ｎｍ／Ｃｏ５．０ｎｍ三明治在各个制备阶段样品的表面形貌进行了系统的研究，并结合Ｘ射线衍射的结果，发现Ｎｉ过渡层可以使Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治的界面... 本文利用原子力显微镜对具有不同厚度Ｎｉ过渡层的Ｃｏ５．０ｎｍ／Ｃｕ３．５ｎｍ／Ｃｏ５．０ｎｍ三明治在各个制备阶段样品的表面形貌进行了系统的研究，并结合Ｘ射线衍射的结果，发现Ｎｉ过渡层可以使Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治的界面平整，并形成强的（１１１）织构，从而导致材料的巨磁电阻值增大和矫顽力减少。 展开更多

关键词 微结构 巨磁电阻 AFM 过渡层 钴/铜/钴 层状模

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突变异质结双极晶体管中的复合效应与电流传输

10

作者 齐鸣 李爱珍 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期274-280,共7页

建立了带有不掺杂隔离层的突变异质结双极晶体管（ＨＢＴ）模型，在热场发射－扩散（ＴＦＤ）理论的基础上，又考虑了空间电荷区中的复合效应。对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ特性的分析表明，不掺杂隔离层虽可有效地降低导带边的势垒... 建立了带有不掺杂隔离层的突变异质结双极晶体管（ＨＢＴ）模型，在热场发射－扩散（ＴＦＤ）理论的基础上，又考虑了空间电荷区中的复合效应。对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ特性的分析表明，不掺杂隔离层虽可有效地降低导带边的势垒尖峰，提高发射结的注入效率，但也会增大空间电荷区中的复合电流。因此，在实际器件的设计和制作中，应适当选择不掺杂隔离层的厚度，以获得较好的器件特性。还给出了计算突变异质结界面处电子准费米能级不连续的公式。 展开更多

关键词 异质结 双极晶体管 复合 电流传输

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高剂量离子注入的物理效应与计算机模拟

11

作者 林成鲁 施左宇 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期31-33,共3页

本文报告了硅中注入大剂量Ｏ＋或Ｎ＋离子形成ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＮＩ的物理效应及计算机模拟结果；分析了ＳＩＭＯＸ与ＳＩＭＮＩ形成的不同机制．在注氧形成ＳＩＭＯＸ结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成ＳＩＭＮＩ结构的动... 本文报告了硅中注入大剂量Ｏ＋或Ｎ＋离子形成ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＮＩ的物理效应及计算机模拟结果；分析了ＳＩＭＯＸ与ＳＩＭＮＩ形成的不同机制．在注氧形成ＳＩＭＯＸ结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成ＳＩＭＮＩ结构的动态模拟程序。实验与模拟结果符合很好，验证了现有的理论模型和程序所作的假设。多次注入与退火会减小ＳＩＭＯＸ上层硅厚度，而增大ＳＩＭＮＩ的上层硅厚度。低能注入可以获得良好的ＳＯＩ材料，而且可以降低注入剂量。 展开更多

关键词 离子注入 物理效应 计算机模拟

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水热合成BaTiO_3薄膜及其微观结构分析 被引量：1

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作者 许华平 辛火平 +3 位作者 林成鲁 江富民 殷庆瑞 孟繁德 《应用科学学报》 CAS CSCD 1997年第1期112-116,共5页

利用水热反应，成功地在１６０℃的低温下，直接在蒸钛硅衬底表面合成了多晶ＢａＴｉＯ３薄膜。扫描电镜（ＳＥＭ）观察发现薄膜的组织结构均匀、致密、平均晶粒尺寸约１００ｎｍ．对比快速热退火（ＲＴＡ）前后薄膜的扩展电阻深度分布... 利用水热反应，成功地在１６０℃的低温下，直接在蒸钛硅衬底表面合成了多晶ＢａＴｉＯ３薄膜。扫描电镜（ＳＥＭ）观察发现薄膜的组织结构均匀、致密、平均晶粒尺寸约１００ｎｍ．对比快速热退火（ＲＴＡ）前后薄膜的扩展电阻深度分布、ＳＥＭ形貌象和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）谱发现：薄膜吕多层结构，退火前为立方ＢａＴｉＯ３／非晶ＢａＴｉＯ３－ｘ／Ｔ／Ｓｉ．退火后变为四方ＢａＴｉＯ３／Ｔｉ／Ｓｉ。 展开更多

关键词 水热法 薄膜 微观结构 钛酸钡 合成

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低压、低功耗SOI电路的进展 被引量：2

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作者 多新中 张苗 +2 位作者 符晓荣 王连卫 林成鲁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期15-21,共7页

最近 IBM公司在利用 SOI(Silicon- on- insulator)技术制作计算机中央处理器 (CPU)方面取得了突破性的进展 ,该消息轰动了全世界。SOI电路最突出的优点是能够实现低驱动电压、低功耗。文中介绍了市场对低压、低功耗电路的需求 ,分析了 ... 最近 IBM公司在利用 SOI(Silicon- on- insulator)技术制作计算机中央处理器 (CPU)方面取得了突破性的进展 ,该消息轰动了全世界。SOI电路最突出的优点是能够实现低驱动电压、低功耗。文中介绍了市场对低压、低功耗电路的需求 ,分析了 SOI低压、低功耗电路的工作原理 ,综述了当前国际上 SOI低压、低功耗电路的发展现状。 展开更多

关键词 绝缘层上硅 低功耗电路 集成电路 低压电路

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