期刊文献+
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
初始电子密度对光学薄膜激光损伤机制的影响(英文) 被引量:1
1
作者 夏志林 赵元安 +2 位作者 薛亦渝 郭培涛 吴师岗 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期2618-2623,共6页
光学元件的激光损伤问题是激光器件向高功率密度方向发展中必须认识和克服的问题.基于Forkker-Planck方程,研究了激光与材料相互作用时的雪崩电离机制、多光子电离机制以及联合两种机制的情况.雪崩电离的产生需要一定密度的初始自由电... 光学元件的激光损伤问题是激光器件向高功率密度方向发展中必须认识和克服的问题.基于Forkker-Planck方程,研究了激光与材料相互作用时的雪崩电离机制、多光子电离机制以及联合两种机制的情况.雪崩电离的产生需要一定密度的初始自由电子存在,该自由电子可以是材料中原本就存在的,也可能是光电离产生的.着重分析了材料中的初始自由电子对材料电离机制的影响.结果表明,雪崩过程在激光作用一段时间后会达到一个稳定的电离阶段(以自由电子平均能量不随时间变化为特征,且此时雪崩电离为材料电离的主导机制),该时间与光电离速率、材料中初始自由电子密度有关.材料中的初始自由电子可以在一定程度上掩盖光电离的作用效果. 展开更多
关键词 初始电子 激光损伤 光电离 雪崩电离
在线阅读 下载PDF
激光二极管侧面抽运调Q倍频Nd∶YAG激光器 被引量:4
2
作者 毕进子 陈卫标 +1 位作者 余婷 崔俊文 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期488-489,共2页
对高平均功率输出的激光二极管侧面抽运电光调Q倍频Nd∶YAG激光器进行了研究,当采用90个60W的脉冲激光二极管阵列抽运时,在重复频率为10Hz下,实现了最大平均功率为1180mW的1064nm红外激光输出,光-光转换效率为11%。腔外倍频获得600mW的5... 对高平均功率输出的激光二极管侧面抽运电光调Q倍频Nd∶YAG激光器进行了研究,当采用90个60W的脉冲激光二极管阵列抽运时,在重复频率为10Hz下,实现了最大平均功率为1180mW的1064nm红外激光输出,光-光转换效率为11%。腔外倍频获得600mW的532nm绿光输出,倍频效率达到50%以上。 展开更多
关键词 激光二极管侧面抽运 电光调Q ND:YAG激光器
在线阅读 下载PDF
光纤光栅外腔半导体激光器理论模型分析与选取 被引量:5
3
作者 郭天华 汪岳峰 于广礼 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期225-230,共6页
为了讨论三腔镜近似或耦合腔近似两种等效腔模型对计算光纤光栅外腔半导体激光器等效反射率等参量的近似程度,挑选出最优的理论模型,采用数值计算的方法进行模拟仿真,得到了两种模型在采用切趾光纤Bragg光栅和非切趾光纤Bragg光栅情况... 为了讨论三腔镜近似或耦合腔近似两种等效腔模型对计算光纤光栅外腔半导体激光器等效反射率等参量的近似程度,挑选出最优的理论模型,采用数值计算的方法进行模拟仿真,得到了两种模型在采用切趾光纤Bragg光栅和非切趾光纤Bragg光栅情况下的阈值增益等特性曲线。结果表明,在采用切趾光纤Bragg光栅,特别是切趾深度较大的情况下,采用三腔镜近似模型更加符合实际情况。此研究结果对分析和设计单纵模光纤光栅外腔半导体激光器具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 激光器 外腔半导体激光器 数值计算 光纤BRAGG光栅 等效反射率
在线阅读 下载PDF
混晶β-(Al,Ga)_2O_3的禁带调节(英文) 被引量:4
4
作者 肖海林 邵刚勤 +3 位作者 赛青林 夏长泰 周圣明 易学专 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期1258-1262,共5页
通过光学浮区法生长了不同浓度的β-(Al,Ga)_2O_3混晶。当Al^(3+)掺杂浓度达到0.26的时候,晶体生长出现开裂现象。进行X射线衍射分析,结果表明所得β-(Al,Ga)_2O_3混晶保持了β-Ga_2O_3的晶体结构,晶体没有出现其他杂质相,并且随着Al^(... 通过光学浮区法生长了不同浓度的β-(Al,Ga)_2O_3混晶。当Al^(3+)掺杂浓度达到0.26的时候,晶体生长出现开裂现象。进行X射线衍射分析,结果表明所得β-(Al,Ga)_2O_3混晶保持了β-Ga_2O_3的晶体结构,晶体没有出现其他杂质相,并且随着Al^(3+)浓度的增加,晶格常数a、b、c减小,β角增大;核磁共振光谱显示Al的确进入了Ga的格位并且取代了Ga的四配位和六配位格位,两者的比例约为1:3。通过测试β-(Al,Ga)_2O_3混晶的透过光谱,得出β-(Al,Ga)_2O_3混晶的禁带调节范围为4.72~5.32 eV,扩大了β-Ga_2O_3晶体在更短波段的光电子探测器方面的应用。 展开更多
关键词 β-Ga2O3 Al3+ 禁带宽度 半导体
在线阅读 下载PDF
Al^(3+)/Yb^(3+)/P^(5+)掺杂对石英玻璃紫外透过和紫外激发荧光的影响 被引量:2
5
作者 邵冲云 许文彬 +4 位作者 刘力挽 杨秋红 胡丽丽 周秦岭 王世凯 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期1327-1333,共7页
采用溶胶–凝胶法结合高温真空烧结工艺制备了不同浓度的Al^(3+)/Yb^(3+)/P^(5+)掺杂石英玻璃。研究了P^(5+)和Al^(3+)的引入对Yb^(3+)掺杂石英玻璃紫外透过和紫外激发荧光光谱,以及Yb4d电子结合能的影响,并初步探索了其机理。研究结果... 采用溶胶–凝胶法结合高温真空烧结工艺制备了不同浓度的Al^(3+)/Yb^(3+)/P^(5+)掺杂石英玻璃。研究了P^(5+)和Al^(3+)的引入对Yb^(3+)掺杂石英玻璃紫外透过和紫外激发荧光光谱,以及Yb4d电子结合能的影响,并初步探索了其机理。研究结果表明,Al^(3+)/Yb^(3+)/P^(5+)掺杂石英玻璃在190~300 nm波段的吸收主要来源于O2-→Yb^(3+)的电荷迁移吸收,其谱带位置和Yb4d电子结合能随Yb^(3+)的第二配位元素(Al、Si、P)电负性增大向高能方向移动。真空烧结条件下,引入Al^(3+)会引发石英玻璃中Yb^(3+)还原为Yb2+,其典型的吸收峰位于330 nm处;然而,在Al^(3+)/Yb^(3+)共掺的基础上再引入P^(5+),且P^(5+)/Al^(3+)摩尔比大于1时,可以有效抑制Yb2+的形成。紫外光激发引起的近红外发光(976 nm)是电子从电荷迁移态弛豫到Yb^(3+)激发态向基态跃迁的结果,可见发光(525 nm)归因于Yb2+的5d→4f跃迁。本文研究结果对通过优化工艺和调整组分制备出高性能的Yb^(3+)掺杂光纤具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 Yb^3+掺杂石英玻璃 紫外吸收带 电荷迁移 Yb^2+
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部