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Ge_2Sb_2Te_5相变薄膜光学及擦除性能研究 被引量:3
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作者 张广军 顾冬红 干福熹 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期577-581,共5页
利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2Te5相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000ns, 500ns,100ns, 60ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一定脉宽下,反射率对比度随擦除功率的增加而增大 并且,在1000ns, 500ns, 100ns, 60ns的激光作用时间范围... 利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2Te5相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000ns, 500ns,100ns, 60ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一定脉宽下,反射率对比度随擦除功率的增加而增大 并且,在1000ns, 500ns, 100ns, 60ns的激光作用时间范围内,非晶态薄膜均可转变成晶态 对于脉宽为60ns的蓝绿激光,擦除功率大于4. 49mW以后,薄膜的反射率对比度高于15%,这表明Ge2Sb2Te5 相变薄膜在短脉宽、低擦除功率条件下,可具有较高的晶化速度 同时,分析了非晶态和晶态Ge2Sb2Te5 相变薄膜的光谱特性,对比研究了780nm, 650nm, 514nm和405nm波长处的反射率和反射率对比度。 展开更多
关键词 相变薄膜 蓝绿激光 Ge2Sb2Te5 擦除 反射率对比度 光盘
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用于蓝光可录存储的无机材料研究进展 被引量:1
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作者 周莹 耿永友 顾冬红 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期778-782,共5页
蓝光存储是信息存储领域发展的一个重要方向。用于蓝光存储的可录型光盘,由于其巨大的商业价值,将是今后研究的热点。本文总结了近几年来国内外文献报道的适用于蓝光可录存储的无机材料的最新研究成果,详细阐述了用于蓝光可录存储的无... 蓝光存储是信息存储领域发展的一个重要方向。用于蓝光存储的可录型光盘,由于其巨大的商业价值,将是今后研究的热点。本文总结了近几年来国内外文献报道的适用于蓝光可录存储的无机材料的最新研究成果,详细阐述了用于蓝光可录存储的无机薄膜的制备方法、无机记录材料的种类及存储原理。最后,对用于蓝光可录存储的无机材料今后的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 蓝光存储 可录光盘 无机记录材料 存储原理
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新型多氮杂环金属配合物的合成及其光谱研究 被引量:6
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作者 江欣 吴谊群 贺春英 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2511-2514,共4页
采用溶液析出法,合成了以2-(2′-羟基-5′-甲基苯基)苯并三唑(HMPB)为配体的多氮杂环金属配合物M(HMPB)2(M=Co,Ni),利用元素分析、激光解析飞行时间质谱等进行了表征,并研究了新配合物的红外特征光谱和紫外-可见电子吸收光谱。结果表明:... 采用溶液析出法,合成了以2-(2′-羟基-5′-甲基苯基)苯并三唑(HMPB)为配体的多氮杂环金属配合物M(HMPB)2(M=Co,Ni),利用元素分析、激光解析飞行时间质谱等进行了表征,并研究了新配合物的红外特征光谱和紫外-可见电子吸收光谱。结果表明:HMPB配体通过N和O原子与中心金属以二齿形式配位,中心金属的配位数为4;配合物红外特征吸收谱带位于400~2 500 cm-1,形成金属配合物后,2-(2′-羟基-5′-甲基苯基)苯并三唑的羟基的伸缩振动吸收、CN振动峰和C─O特征吸收有明显改变,同时确定了配位键M─N和M─O的特征峰位置;配合物在紫外区有强吸收,其最大吸收峰位于335~345 nm。 展开更多
关键词 多氮杂环金属配合物 合成 红外光谱 紫外-可见光谱
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TCNQ脂类衍生物及其铜复合物的合成与红外光谱研究 被引量:3
4
作者 黄伍桥 吴谊群 +1 位作者 顾冬红 干福熹 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1577-1580,共4页
首次合成了7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷的脂类衍生物:TCNQ(C2H4COOR)2(R=CH3,C2H5,C3H7)及其铜电子转移复合物.通过元素分析确定这些化合物的组成,对这些化合成物在4000~400cm-1范围内的主要红外光谱吸收峰进行了归属,并讨论了取代基对... 首次合成了7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷的脂类衍生物:TCNQ(C2H4COOR)2(R=CH3,C2H5,C3H7)及其铜电子转移复合物.通过元素分析确定这些化合物的组成,对这些化合成物在4000~400cm-1范围内的主要红外光谱吸收峰进行了归属,并讨论了取代基对TCNQ类衍生物红外光谱的影响及其规律. 展开更多
关键词 TCNQ脂类衍生物 电子转移复合物 红外光谱
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InSb薄膜热导率温度特性及传热机理 被引量:1
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作者 黄正兴 孙豪 +1 位作者 李奇松 管相宇 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期519-525,共7页
InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中.热导率及其温度特性是影响薄膜实际应用的关键因素.采用瞬态热反射方法测试了厚度为70~200nm的InSb薄膜在非晶态和晶态下热导率,并探讨了其中的... InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中.热导率及其温度特性是影响薄膜实际应用的关键因素.采用瞬态热反射方法测试了厚度为70~200nm的InSb薄膜在非晶态和晶态下热导率,并探讨了其中的传热机理.对于晶态InSb薄膜,热导率为(0.55±0.055)W/(m·K),并且随温度的变化不明显;而非晶态InSb薄膜在温度450K以下时热导率为(0.37±0.037)W/(m·K).当温度在450K以上时,由于薄膜从非晶态转化为晶态,其热导率经历了一个突然的升高过程.无论是晶态还是非晶态薄膜样品,热导率与薄膜厚度都没有明显依赖关系.研究结果可以为InSb薄膜的实际应用提供有益的参考. 展开更多
关键词 INSB薄膜 晶态和非晶态 热导率 温度特性
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