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阶段离子束辅助法制备基频减反膜
被引量：
3
1
作者
张大伟
黄元申
+2 位作者
贺洪波
邵建达
范正修
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期1463-1468,共6页
在研究阶段离子束辅助制备方式对薄膜性质影响的基础上,采用电子枪蒸发及离子束辅助沉积制备了氧化铪及氧化硅单层膜,采用阶段离子束辅助沉积及全程非离子束辅助沉积制备了基频减反膜。测量了所有样品的弱吸收、残余应力和激光损伤阈值...
在研究阶段离子束辅助制备方式对薄膜性质影响的基础上,采用电子枪蒸发及离子束辅助沉积制备了氧化铪及氧化硅单层膜,采用阶段离子束辅助沉积及全程非离子束辅助沉积制备了基频减反膜。测量了所有样品的弱吸收、残余应力和激光损伤阈值。结果发现,相对电子枪热蒸发制备的样品,离子束辅助沉积的单层膜具有大的弱吸收、低的激光损伤阈值,且张应力减小,压应力增加;阶段离子束辅助沉积制备的减反膜剩余应力变小,弱吸收稍微增加,激光损伤阈值从10.91 J/cm2增加到18 J/cm2。分析表明,离子束辅助沉积在引入提高样品激光损伤阈值有利因素的同时,也引入了不利因素,阶段离子束辅助沉积在引入有利因素的同时,有效减少了不利因素的引入,从而提高了样品的激光损伤阈值。
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关键词
离子束辅助沉积
激光损伤阈值
减反膜
弱吸收
应力
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职称材料
题名
阶段离子束辅助法制备基频减反膜
被引量：
3
1
作者
张大伟
黄元申
贺洪波
邵建达
范正修
机构
上海
理工大学
光学
与电子工程
学院
中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜中心
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期1463-1468,共6页
基金
"上海高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金"资助项目(No.351182)
上海市教委07年一般科研基金项目资助(No.06EZ011)
文摘
在研究阶段离子束辅助制备方式对薄膜性质影响的基础上,采用电子枪蒸发及离子束辅助沉积制备了氧化铪及氧化硅单层膜,采用阶段离子束辅助沉积及全程非离子束辅助沉积制备了基频减反膜。测量了所有样品的弱吸收、残余应力和激光损伤阈值。结果发现,相对电子枪热蒸发制备的样品,离子束辅助沉积的单层膜具有大的弱吸收、低的激光损伤阈值,且张应力减小,压应力增加;阶段离子束辅助沉积制备的减反膜剩余应力变小,弱吸收稍微增加,激光损伤阈值从10.91 J/cm2增加到18 J/cm2。分析表明,离子束辅助沉积在引入提高样品激光损伤阈值有利因素的同时,也引入了不利因素,阶段离子束辅助沉积在引入有利因素的同时,有效减少了不利因素的引入,从而提高了样品的激光损伤阈值。
关键词
离子束辅助沉积
激光损伤阈值
减反膜
弱吸收
应力
Keywords
ion assisted deposition
Laser-Induced Damage Threshold（LIDT）
antireflective film
weak absorption
stress
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
阶段离子束辅助法制备基频减反膜
张大伟
黄元申
贺洪波
邵建达
范正修
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
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