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Nc-Si∶H薄膜器件的研究
1
作者
韦文生
徐刚毅
+1 位作者
王天民
张春熹
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2004年第1期76-79,共4页
介绍了氢化纳米硅(nc-Si∶H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si∶H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的...
介绍了氢化纳米硅(nc-Si∶H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si∶H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的优点。
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关键词
Nc-Si:H薄膜
氢化纳米硅薄膜
电子学器件
光电转换器件
化学稳定性
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职称材料
题名
Nc-Si∶H薄膜器件的研究
1
作者
韦文生
徐刚毅
王天民
张春熹
机构
北京航空航天大学理
学院
材料物理与化学
研究
中心
中国科学院上海信息技术研究所
北京航空航天大学光电
技术
研究所
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2004年第1期76-79,共4页
基金
863-***项目
高校博士点基金(200220006037)
北京航空航天大学博士生基础性研究基金
文摘
介绍了氢化纳米硅(nc-Si∶H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si∶H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的优点。
关键词
Nc-Si:H薄膜
氢化纳米硅薄膜
电子学器件
光电转换器件
化学稳定性
Keywords
nc-Si:H film
tunneling diode
heterojunction diode
varied capacitance diode
solar cell
single electronic transistor
light emitting diode
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Nc-Si∶H薄膜器件的研究
韦文生
徐刚毅
王天民
张春熹
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2004
0
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