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幅度固定唯相位实现波束控制的功分器设计
1
作者
吕英华
甘曦
+3 位作者
张金玲
郑占旗
万文钢
温舒桦
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2016年第2期358-362,共5页
针对传统阵列天线设计流程中功分器繁琐的设计过程,基于满足-3 dB范围为0＆#176;～12＆#176;,-10dB波束宽度为65＆#176;,波束覆盖为65＆#176;,中心频率为9.05 GHz的余割平方扩展波束赋形要求,设计了一种幅度固定唯相位实现波束控制的新...
针对传统阵列天线设计流程中功分器繁琐的设计过程,基于满足-3 dB范围为0＆#176;～12＆#176;,-10dB波束宽度为65＆#176;,波束覆盖为65＆#176;,中心频率为9.05 GHz的余割平方扩展波束赋形要求,设计了一种幅度固定唯相位实现波束控制的新型串馈结构Gysel功分器.该功分器幅度为固定值,此幅度分布满足余割平方赋形阵列天线幅度的分布特征,在遗传算法计算出理想赋形激励后只需调整该功分器的输出相位值就能实现高拟合度的余割平方扩展波束赋形,大为减少了传统设计中功分器所需的设计时间.
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关键词
Gysel功分器
串馈结构
唯相位控制波束
固定幅度
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职称材料
低压恒跨导增益提高CMOS运算放大器的设计
被引量：
2
2
作者
周欢欢
陈岚
+1 位作者
尹明会
吕志强
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第9期651-655,共5页
设计和研究了一种低压恒跨导增益提高互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器。输入级采用互补差分对结构,使共模输入电压范围达到轨到轨,通过3倍电流镜控制尾电流使输入级总跨导恒定。中间级为增益提高级,通过反馈增大输出阻抗提高增益...
设计和研究了一种低压恒跨导增益提高互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器。输入级采用互补差分对结构,使共模输入电压范围达到轨到轨,通过3倍电流镜控制尾电流使输入级总跨导恒定。中间级为增益提高级,通过反馈增大输出阻抗提高增益。输出级采用AB类结构,通过米勒补偿控制零点使系统稳定,此运放可用于低压低功耗电子设备中。整个电路用CSMC 0.5μm BCDMOS工艺参数进行设计,工作电压为2.7 V。Spectre仿真结果显示,此运放实现了直流开环增益90 dB(负载电阻R L=600Ω),相位裕度70°,增益带宽积1.4 MHz,静态电流0.18 mA。设计的运算放大器满足设计指标。
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关键词
互补金属氧化物半导体（CMOS）运算放大器
AB类
低压
增益提高
恒跨导
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职称材料
基于40nm CMOS工艺的电平转换器的设计及优化
被引量：
1
3
作者
周欢欢
陈岚
+1 位作者
尹明会
张卫华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期93-96,122,共5页
电平转换器可以作为1.1 V核心电压和3.3 V输入输出电压之间的高速接口。优化的电压上升转换器使用2.5 V厚氧化层栅零阈值电压n MOS管保护1.1 V薄氧化层栅n MOS器件,在输入电压低至0.7 V时仍可正常工作;此外,在六种不同工作情况下电路性...
电平转换器可以作为1.1 V核心电压和3.3 V输入输出电压之间的高速接口。优化的电压上升转换器使用2.5 V厚氧化层栅零阈值电压n MOS管保护1.1 V薄氧化层栅n MOS器件,在输入电压低至0.7 V时仍可正常工作;此外,在六种不同工作情况下电路性能良好。3.3 V n MOS器件作为优化电平下降转换器的上拉和下拉器件,它们的供电电压是1.1 V,栅压范围从0 V到3.3 V。电平下降转换器没有最小核心电压限制,上升传输延时0.111 ns,下降传输延时0.121 ns。电平转换器经过结构优化后,可以成功应用到40 nm CMOS工艺的I/O库的输入输出单元中,作为低功耗、高速接口。
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关键词
电平转换器
核心电压
输入输出电压
40
NM
CMOS工艺
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职称材料
题名
幅度固定唯相位实现波束控制的功分器设计
1
作者
吕英华
甘曦
张金玲
郑占旗
万文钢
温舒桦
机构
北京邮电大学
电子
工程学院
中国科学研究院微电子研究所
出处
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2016年第2期358-362,共5页
基金
国家自然科学基金(No.61171051)
文摘
针对传统阵列天线设计流程中功分器繁琐的设计过程,基于满足-3 dB范围为0＆#176;～12＆#176;,-10dB波束宽度为65＆#176;,波束覆盖为65＆#176;,中心频率为9.05 GHz的余割平方扩展波束赋形要求,设计了一种幅度固定唯相位实现波束控制的新型串馈结构Gysel功分器.该功分器幅度为固定值,此幅度分布满足余割平方赋形阵列天线幅度的分布特征,在遗传算法计算出理想赋形激励后只需调整该功分器的输出相位值就能实现高拟合度的余割平方扩展波束赋形,大为减少了传统设计中功分器所需的设计时间.
关键词
Gysel功分器
串馈结构
唯相位控制波束
固定幅度
Keywords
Gysel power divider
fed structure
phase-only control
fixed amplitude
分类号
TN819.1 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
低压恒跨导增益提高CMOS运算放大器的设计
被引量：
2
2
作者
周欢欢
陈岚
尹明会
吕志强
机构
中国科学研究院微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第9期651-655,共5页
基金
国家科技重大专项(2009ZX02303-004
2010ZX02201-002-001)
文摘
设计和研究了一种低压恒跨导增益提高互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器。输入级采用互补差分对结构,使共模输入电压范围达到轨到轨,通过3倍电流镜控制尾电流使输入级总跨导恒定。中间级为增益提高级,通过反馈增大输出阻抗提高增益。输出级采用AB类结构,通过米勒补偿控制零点使系统稳定,此运放可用于低压低功耗电子设备中。整个电路用CSMC 0.5μm BCDMOS工艺参数进行设计,工作电压为2.7 V。Spectre仿真结果显示,此运放实现了直流开环增益90 dB(负载电阻R L=600Ω),相位裕度70°,增益带宽积1.4 MHz,静态电流0.18 mA。设计的运算放大器满足设计指标。
关键词
互补金属氧化物半导体（CMOS）运算放大器
AB类
低压
增益提高
恒跨导
Keywords
complementary metal-oxide-semiconductor （CMOS） operational amplifier
class AB
low voltage
gain boost
constant transconductance
分类号
TN722.77 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于40nm CMOS工艺的电平转换器的设计及优化
被引量：
1
3
作者
周欢欢
陈岚
尹明会
张卫华
机构
中国科学研究院微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期93-96,122,共5页
文摘
电平转换器可以作为1.1 V核心电压和3.3 V输入输出电压之间的高速接口。优化的电压上升转换器使用2.5 V厚氧化层栅零阈值电压n MOS管保护1.1 V薄氧化层栅n MOS器件,在输入电压低至0.7 V时仍可正常工作;此外,在六种不同工作情况下电路性能良好。3.3 V n MOS器件作为优化电平下降转换器的上拉和下拉器件,它们的供电电压是1.1 V,栅压范围从0 V到3.3 V。电平下降转换器没有最小核心电压限制,上升传输延时0.111 ns,下降传输延时0.121 ns。电平转换器经过结构优化后,可以成功应用到40 nm CMOS工艺的I/O库的输入输出单元中,作为低功耗、高速接口。
关键词
电平转换器
核心电压
输入输出电压
40
NM
CMOS工艺
Keywords
level shifter
core voltage
input / output voltage
40 nm
CMOS process
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
幅度固定唯相位实现波束控制的功分器设计
吕英华
甘曦
张金玲
郑占旗
万文钢
温舒桦
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2016
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
低压恒跨导增益提高CMOS运算放大器的设计
周欢欢
陈岚
尹明会
吕志强
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于40nm CMOS工艺的电平转换器的设计及优化
周欢欢
陈岚
尹明会
张卫华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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职称材料
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