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中子闪烁探测器前端电子学的抗饱和改进
被引量：
2
1
作者
李锋
江晓
+3 位作者
林成生
陈炼
梁福田
金革
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期291-296,共6页
ICF实验会产生大量X射线和γ射线,其在光电倍增管(PMT)中产生的脉冲信号过大,导致前端电子学电路饱和,严重影响电路的正常工作和中子飞行时间的测量。结合前端电子学系统的结构,对电路饱和的原因进行了深入分析,提出了非线性抗饱和电路...
ICF实验会产生大量X射线和γ射线,其在光电倍增管(PMT)中产生的脉冲信号过大,导致前端电子学电路饱和,严重影响电路的正常工作和中子飞行时间的测量。结合前端电子学系统的结构,对电路饱和的原因进行了深入分析,提出了非线性抗饱和电路改进方案,并进行了仿真和实验研究。仿真结果表明,该设计方案能够大幅衰减大信号而确保小信号的通过,信号通过后电路基线能在35 ns内恢复;电路的实测结果与仿真结果基本相同。这表明:采取的方案简洁有效,能够确保输入高达数十V脉冲的情况下电路的正常工作。目前这一电路已经得到应用,并将安装在某大型激光原型的大阵列中子探测器上。
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关键词
ICF
前端电子学
抗饱和
闪烁探测器
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职称材料
题名
中子闪烁探测器前端电子学的抗饱和改进
被引量：
2
1
作者
李锋
江晓
林成生
陈炼
梁福田
金革
机构
中国科学技术大学安徽省物理电子学重点实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期291-296,共6页
基金
国家高技术发展计划项目
博士点基金项目资助(20050358047)
文摘
ICF实验会产生大量X射线和γ射线,其在光电倍增管(PMT)中产生的脉冲信号过大,导致前端电子学电路饱和,严重影响电路的正常工作和中子飞行时间的测量。结合前端电子学系统的结构,对电路饱和的原因进行了深入分析,提出了非线性抗饱和电路改进方案,并进行了仿真和实验研究。仿真结果表明,该设计方案能够大幅衰减大信号而确保小信号的通过,信号通过后电路基线能在35 ns内恢复;电路的实测结果与仿真结果基本相同。这表明:采取的方案简洁有效,能够确保输入高达数十V脉冲的情况下电路的正常工作。目前这一电路已经得到应用,并将安装在某大型激光原型的大阵列中子探测器上。
关键词
ICF
前端电子学
抗饱和
闪烁探测器
Keywords
ICF
front-end electronics
anti-saturation
scintillantion detector
分类号
TL82 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
中子闪烁探测器前端电子学的抗饱和改进
李锋
江晓
林成生
陈炼
梁福田
金革
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
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