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阴极电弧法定向生长的铜纳米线上沉积非晶碳膜及其场发射特性(英文)
被引量：
4
1
作者
黄柏仁
叶忠信
+2 位作者
汪岛军
谭振台
宋健民
《新型炭材料》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期97-101,共5页
以阴极电弧法,分别于硅基材与铜纳米线(CuNWs)/硅基材(其中铜纳米线系阳极氧化铝(AAO)模板技术成长于硅基材上)沉积非晶碳膜。分别以扫描电子显微镜(SEM)、原子力电子显微镜(AFM)和X光电子光谱仪(XPS)表征了非晶碳膜/铜纳米线/硅基材与...
以阴极电弧法,分别于硅基材与铜纳米线(CuNWs)/硅基材(其中铜纳米线系阳极氧化铝(AAO)模板技术成长于硅基材上)沉积非晶碳膜。分别以扫描电子显微镜(SEM)、原子力电子显微镜(AFM)和X光电子光谱仪(XPS)表征了非晶碳膜/铜纳米线/硅基材与非晶碳膜/硅基材两者之表面形貌、粗糙度、结构及键结等物理特性。并比较两者之电子场发射特性。研究结果显示:两者都拥有低起始电场及高电流密度,其中非晶碳膜/铜纳米线/硅基材的场发射起始电压为3.75V/μm优于非晶碳膜/硅基材的15V/μm,因此非晶碳膜/铜纳米线/硅基材更适用于场发射平面显示器(FED)之发射子,可应用于高稳定性及低成本之场发射平面显示器之研发。
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关键词
场发射
非晶碳膜
铜纳米线(CuNWs)
阳极氧化铝(AAO)
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职称材料
题名
阴极电弧法定向生长的铜纳米线上沉积非晶碳膜及其场发射特性(英文)
被引量：
4
1
作者
黄柏仁
叶忠信
汪岛军
谭振台
宋健民
机构
国立云林科技大学工程科技研究所
国立台湾科技大学电子工程系暨光电工程研究所
建国科技大学电子工程系
中国砂轮公司
出处
《新型炭材料》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期97-101,共5页
文摘
以阴极电弧法,分别于硅基材与铜纳米线(CuNWs)/硅基材(其中铜纳米线系阳极氧化铝(AAO)模板技术成长于硅基材上)沉积非晶碳膜。分别以扫描电子显微镜(SEM)、原子力电子显微镜(AFM)和X光电子光谱仪(XPS)表征了非晶碳膜/铜纳米线/硅基材与非晶碳膜/硅基材两者之表面形貌、粗糙度、结构及键结等物理特性。并比较两者之电子场发射特性。研究结果显示:两者都拥有低起始电场及高电流密度,其中非晶碳膜/铜纳米线/硅基材的场发射起始电压为3.75V/μm优于非晶碳膜/硅基材的15V/μm,因此非晶碳膜/铜纳米线/硅基材更适用于场发射平面显示器(FED)之发射子,可应用于高稳定性及低成本之场发射平面显示器之研发。
关键词
场发射
非晶碳膜
铜纳米线(CuNWs)
阳极氧化铝(AAO)
Keywords
Field emission
Amorphous carbon
Copper nanowires （CuNWs）
Anodic aluminum oxide （AAO）
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
阴极电弧法定向生长的铜纳米线上沉积非晶碳膜及其场发射特性(英文)
黄柏仁
叶忠信
汪岛军
谭振台
宋健民
《新型炭材料》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
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