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题名InAs/GaSbⅡ型超晶格的锯齿形解理
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作者
崔其霞
耿继国
刘镇洋
史衍丽
隋曼龄
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机构
北京工业大学固体微结构与性能研究所
中国石油大学北京材料科学与工程学院
昆明物理研究所
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出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2013年第3期198-205,共8页
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基金
教育部长江学者奖励计划和国家自然科学基金重点基金(U1037602)
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文摘
本文利用高分辨透射电子显微技术及高分辨像几何相位分析技术,对分子束外延方法生长在GaSb(001)面上的InAs/GaSbⅡ型超晶格材料进行了界面显微结构和解理特征的研究。众所周知,InAs和GaSb都是立方硫化锌结构,具有平行于{110}面的六组完全解理面,然而,本工作中发现InAs/GaSb超晶格的解理面发生改变,平行于{111}面解理,并在InAs/GaSb界面处发生扭折,呈现锯齿状解理边缘。而在InAs盖帽层即非超晶格区域内,解理面依然平行于{110}面。通过建立超晶胞模型与计算分析表明,在超晶胞中由于共格应力的对称性降低,(110)面的电中性发生改变,导致解理面从电中性的{110}面转变为面网密度最大的{111}面。界面两侧应力分布分析结果表明,锯齿状{111}解理边缘是Ga-As型界面与In-Sb型界面所受应力作用不同的结果。
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关键词
INAS
GaSb超晶格
解理
HRTEM
几何相位分析
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Keywords
InAs/GaSb superlattices
cleavage
HRTEM
GPA
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分类号
O649
[理学—物理化学]
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