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一种低频高灵敏度压电MEMS声接收器设计 被引量:2
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作者 王登攀 黄晶 +7 位作者 赵德锋 王飞 王露 刘文怡 苗晋威 张立宇 袁宇鹏 胡义东 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期28-31,58,共5页
为了提高低频段的灵敏度,基于ScAlN薄膜设计了一种开缝式低频高灵敏度MEMS声传感器结构,并分析了开缝数量对谐振频率和电压输出的影响规律。制作微机电系统(MEMS)声接收器样品,当谐振频率为29.3 kHz时,在20~30 kHz内测得其最高灵敏度高... 为了提高低频段的灵敏度,基于ScAlN薄膜设计了一种开缝式低频高灵敏度MEMS声传感器结构,并分析了开缝数量对谐振频率和电压输出的影响规律。制作微机电系统(MEMS)声接收器样品,当谐振频率为29.3 kHz时,在20~30 kHz内测得其最高灵敏度高于-60 dB,说明所提出的开缝式结构能在低频段实现高灵敏度。 展开更多
关键词 压电薄膜 微机电系统(MEMS) 声接收器
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一种射频SiP模组链路快速验证方法研究
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作者 崔梦琦 余怀强 +2 位作者 张磊 王玺 代春玥 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期108-112,共5页
针对射频SiP模组设计周期长、成本高、兼容性差等问题,提出了一种射频SiP模组链路快速验证方法。该方法将射频SiP模组内的射频器件分装于不同积木块中,再将积木块拼接形成有目标电路功能的验证链路。通过对该链路进行测试,可快速验证射... 针对射频SiP模组设计周期长、成本高、兼容性差等问题,提出了一种射频SiP模组链路快速验证方法。该方法将射频SiP模组内的射频器件分装于不同积木块中,再将积木块拼接形成有目标电路功能的验证链路。通过对该链路进行测试,可快速验证射频SiP模组设计是否达标。为实现积木块间良好互连,设计了高频连接桥压接结构。测试结果经去嵌计算,得到18 GHz内插入损耗最大值为1.34 dB。通过搭建与测试二次变频射频SiP模组链路,表明该方法具备低损耗、可重构、可复用等特性,对射频SiP模组快速设计具有重要的工程意义。 展开更多
关键词 射频SiP 快速验证 高频连接桥 可重构 可复用
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MEMS电容型器件边缘效应研究 被引量:3
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作者 胡钧铭 戴强 +2 位作者 刘军 徐江 宋丹路 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2023年第2期76-82,共7页
MEMS电容型器件在工作过程中,其电容通常情况下为非正对的极板,边缘效应不容忽视。为解决此问题,基于保角映射变换和复变函数相关理论,通过继承传统模型并加以修正,得出电容极板在非正对情况下的边缘效应模型。经过与有限元仿真、传统He... MEMS电容型器件在工作过程中,其电容通常情况下为非正对的极板,边缘效应不容忽视。为解决此问题,基于保角映射变换和复变函数相关理论,通过继承传统模型并加以修正,得出电容极板在非正对情况下的边缘效应模型。经过与有限元仿真、传统Heerens模型、Huang模型的对比,表明当电容极板从正对到完全移开的过程中,本文模型与有限元仿真的误差在10%~20%之间,优于传统Heerens模型与Huang模型。进一步,根据本文模型,当极板重合度低于40%时,边缘效应呈快速增长,此时其电容值可用本文模型进行计算。以上结论均得到了MEMS阵列电容数字式实验验证。研究对电容型MEMS器件的设计与性能分析具参考作用。 展开更多
关键词 边缘效应模型 MEMS电容型器件 保角映射变换 有限元仿真
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基于位移放大的压电致动器设计与仿真 被引量:2
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作者 王登攀 向路 +2 位作者 王露 王浩 代里程 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期376-380,共5页
压电叠堆致动器广泛用于驱动智能变形装置,由于压电叠堆输出位移小,需要放大结构增大位移输出。设计了一种椭圆形位移放大结构,分析了椭圆长轴、壳体厚度、X方向位移和压电叠堆宽度等结构参数对Y方向的位移输出、应力强度和放大倍数等... 压电叠堆致动器广泛用于驱动智能变形装置,由于压电叠堆输出位移小,需要放大结构增大位移输出。设计了一种椭圆形位移放大结构,分析了椭圆长轴、壳体厚度、X方向位移和压电叠堆宽度等结构参数对Y方向的位移输出、应力强度和放大倍数等性能的影响规律,优化了结构参数,并制作了样品。测试数据表明,位移放大结构实现了5.3倍以上的位移放大;分析了放大结构在高频电压驱动下的瞬态响应,模拟了驱动信号频率对位移输出的影响,结果表明,在周期0.01 s的交变电压驱动下,结构的位移输出未出现失真。 展开更多
关键词 压电致动器 位移放大结构 高频驱动
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杂模抑制薄膜体声波谐振器的仿真分析 被引量:1
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作者 罗恩雄 张必壮 +2 位作者 吴坤 马晋毅 李思忍 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第2期159-163,共5页
该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响。采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数。为了进一步验证仿真结果,实验制备了FBAR器件... 该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响。采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数。为了进一步验证仿真结果,实验制备了FBAR器件。测试结果表明,当该阶梯结构凸起宽度为3μm,凹陷宽度为1.5μm时,谐振器杂波被有效抑制,反谐振频率处的品质因数约增大100。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(FBAR) 阶梯结构 杂模抑制 有限元
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