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一种低频高灵敏度压电MEMS声接收器设计
被引量:
2
1
作者
王登攀
黄晶
+7 位作者
赵德锋
王飞
王露
刘文怡
苗晋威
张立宇
袁宇鹏
胡义东
《压电与声光》
北大核心
2025年第1期28-31,58,共5页
为了提高低频段的灵敏度,基于ScAlN薄膜设计了一种开缝式低频高灵敏度MEMS声传感器结构,并分析了开缝数量对谐振频率和电压输出的影响规律。制作微机电系统(MEMS)声接收器样品,当谐振频率为29.3 kHz时,在20~30 kHz内测得其最高灵敏度高...
为了提高低频段的灵敏度,基于ScAlN薄膜设计了一种开缝式低频高灵敏度MEMS声传感器结构,并分析了开缝数量对谐振频率和电压输出的影响规律。制作微机电系统(MEMS)声接收器样品,当谐振频率为29.3 kHz时,在20~30 kHz内测得其最高灵敏度高于-60 dB,说明所提出的开缝式结构能在低频段实现高灵敏度。
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关键词
压电薄膜
微机电系统(MEMS)
声接收器
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职称材料
一种射频SiP模组链路快速验证方法研究
2
作者
崔梦琦
余怀强
+2 位作者
张磊
王玺
代春玥
《压电与声光》
北大核心
2025年第1期108-112,共5页
针对射频SiP模组设计周期长、成本高、兼容性差等问题,提出了一种射频SiP模组链路快速验证方法。该方法将射频SiP模组内的射频器件分装于不同积木块中,再将积木块拼接形成有目标电路功能的验证链路。通过对该链路进行测试,可快速验证射...
针对射频SiP模组设计周期长、成本高、兼容性差等问题,提出了一种射频SiP模组链路快速验证方法。该方法将射频SiP模组内的射频器件分装于不同积木块中,再将积木块拼接形成有目标电路功能的验证链路。通过对该链路进行测试,可快速验证射频SiP模组设计是否达标。为实现积木块间良好互连,设计了高频连接桥压接结构。测试结果经去嵌计算,得到18 GHz内插入损耗最大值为1.34 dB。通过搭建与测试二次变频射频SiP模组链路,表明该方法具备低损耗、可重构、可复用等特性,对射频SiP模组快速设计具有重要的工程意义。
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关键词
射频SiP
快速验证
高频连接桥
可重构
可复用
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职称材料
MEMS电容型器件边缘效应研究
被引量:
3
3
作者
胡钧铭
戴强
+2 位作者
刘军
徐江
宋丹路
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2023年第2期76-82,共7页
MEMS电容型器件在工作过程中,其电容通常情况下为非正对的极板,边缘效应不容忽视。为解决此问题,基于保角映射变换和复变函数相关理论,通过继承传统模型并加以修正,得出电容极板在非正对情况下的边缘效应模型。经过与有限元仿真、传统He...
MEMS电容型器件在工作过程中,其电容通常情况下为非正对的极板,边缘效应不容忽视。为解决此问题,基于保角映射变换和复变函数相关理论,通过继承传统模型并加以修正,得出电容极板在非正对情况下的边缘效应模型。经过与有限元仿真、传统Heerens模型、Huang模型的对比,表明当电容极板从正对到完全移开的过程中,本文模型与有限元仿真的误差在10%~20%之间,优于传统Heerens模型与Huang模型。进一步,根据本文模型,当极板重合度低于40%时,边缘效应呈快速增长,此时其电容值可用本文模型进行计算。以上结论均得到了MEMS阵列电容数字式实验验证。研究对电容型MEMS器件的设计与性能分析具参考作用。
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关键词
边缘效应模型
MEMS电容型器件
保角映射变换
有限元仿真
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职称材料
基于位移放大的压电致动器设计与仿真
被引量:
2
4
作者
王登攀
向路
+2 位作者
王露
王浩
代里程
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第3期376-380,共5页
压电叠堆致动器广泛用于驱动智能变形装置,由于压电叠堆输出位移小,需要放大结构增大位移输出。设计了一种椭圆形位移放大结构,分析了椭圆长轴、壳体厚度、X方向位移和压电叠堆宽度等结构参数对Y方向的位移输出、应力强度和放大倍数等...
压电叠堆致动器广泛用于驱动智能变形装置,由于压电叠堆输出位移小,需要放大结构增大位移输出。设计了一种椭圆形位移放大结构,分析了椭圆长轴、壳体厚度、X方向位移和压电叠堆宽度等结构参数对Y方向的位移输出、应力强度和放大倍数等性能的影响规律,优化了结构参数,并制作了样品。测试数据表明,位移放大结构实现了5.3倍以上的位移放大;分析了放大结构在高频电压驱动下的瞬态响应,模拟了驱动信号频率对位移输出的影响,结果表明,在周期0.01 s的交变电压驱动下,结构的位移输出未出现失真。
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关键词
压电致动器
位移放大结构
高频驱动
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职称材料
杂模抑制薄膜体声波谐振器的仿真分析
被引量:
1
5
作者
罗恩雄
张必壮
+2 位作者
吴坤
马晋毅
李思忍
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第2期159-163,共5页
该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响。采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数。为了进一步验证仿真结果,实验制备了FBAR器件...
该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响。采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数。为了进一步验证仿真结果,实验制备了FBAR器件。测试结果表明,当该阶梯结构凸起宽度为3μm,凹陷宽度为1.5μm时,谐振器杂波被有效抑制,反谐振频率处的品质因数约增大100。
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关键词
薄膜体声波谐振器(FBAR)
阶梯结构
杂模抑制
有限元
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职称材料
题名
一种低频高灵敏度压电MEMS声接收器设计
被引量:
2
1
作者
王登攀
黄晶
赵德锋
王飞
王露
刘文怡
苗晋威
张立宇
袁宇鹏
胡义东
机构
中国电科芯片技术研究院
国知创芯(重庆)
科
技有限公司
中国
电
子
科
技集团公司第二十六
研究
所
云南无线
电
有限公司
出处
《压电与声光》
北大核心
2025年第1期28-31,58,共5页
文摘
为了提高低频段的灵敏度,基于ScAlN薄膜设计了一种开缝式低频高灵敏度MEMS声传感器结构,并分析了开缝数量对谐振频率和电压输出的影响规律。制作微机电系统(MEMS)声接收器样品,当谐振频率为29.3 kHz时,在20~30 kHz内测得其最高灵敏度高于-60 dB,说明所提出的开缝式结构能在低频段实现高灵敏度。
关键词
压电薄膜
微机电系统(MEMS)
声接收器
Keywords
piezoelectric film
MEMS
acoustic receiver
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
TN64 [电子电信—电路与系统]
TH765 [机械工程—精密仪器及机械]
P412.13 [天文地球—大气科学及气象学]
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职称材料
题名
一种射频SiP模组链路快速验证方法研究
2
作者
崔梦琦
余怀强
张磊
王玺
代春玥
机构
中国电科芯片技术研究院
中国
电
子
科
技集团公司第二十六
研究
所
出处
《压电与声光》
北大核心
2025年第1期108-112,共5页
文摘
针对射频SiP模组设计周期长、成本高、兼容性差等问题,提出了一种射频SiP模组链路快速验证方法。该方法将射频SiP模组内的射频器件分装于不同积木块中,再将积木块拼接形成有目标电路功能的验证链路。通过对该链路进行测试,可快速验证射频SiP模组设计是否达标。为实现积木块间良好互连,设计了高频连接桥压接结构。测试结果经去嵌计算,得到18 GHz内插入损耗最大值为1.34 dB。通过搭建与测试二次变频射频SiP模组链路,表明该方法具备低损耗、可重构、可复用等特性,对射频SiP模组快速设计具有重要的工程意义。
关键词
射频SiP
快速验证
高频连接桥
可重构
可复用
Keywords
RF SiP
rapid verification
high-frequency connection bridge
reconfigurable
reusable
分类号
TN61 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
MEMS电容型器件边缘效应研究
被引量:
3
3
作者
胡钧铭
戴强
刘军
徐江
宋丹路
机构
制造过程测试
技术
教育部重点实验室
电
子
科
技大学通信抗干扰国家级重点实验室
中国电科芯片技术研究院
出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2023年第2期76-82,共7页
基金
国家重点研发计划(2020YFB1807700)
中国电子科技集团2021产业资金(C211)项目资助
文摘
MEMS电容型器件在工作过程中,其电容通常情况下为非正对的极板,边缘效应不容忽视。为解决此问题,基于保角映射变换和复变函数相关理论,通过继承传统模型并加以修正,得出电容极板在非正对情况下的边缘效应模型。经过与有限元仿真、传统Heerens模型、Huang模型的对比,表明当电容极板从正对到完全移开的过程中,本文模型与有限元仿真的误差在10%~20%之间,优于传统Heerens模型与Huang模型。进一步,根据本文模型,当极板重合度低于40%时,边缘效应呈快速增长,此时其电容值可用本文模型进行计算。以上结论均得到了MEMS阵列电容数字式实验验证。研究对电容型MEMS器件的设计与性能分析具参考作用。
关键词
边缘效应模型
MEMS电容型器件
保角映射变换
有限元仿真
Keywords
MEMS capacitive device
fringing effect model
conformal mapping transformation
finite element simulation
分类号
TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TH701 [机械工程—精密仪器及机械]
TM53 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
基于位移放大的压电致动器设计与仿真
被引量:
2
4
作者
王登攀
向路
王露
王浩
代里程
机构
中国电科芯片技术研究院
国知创芯(重庆)
科
技有限公司
中国
电
子
科
技集团公司第二十六
研究
所
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第3期376-380,共5页
文摘
压电叠堆致动器广泛用于驱动智能变形装置,由于压电叠堆输出位移小,需要放大结构增大位移输出。设计了一种椭圆形位移放大结构,分析了椭圆长轴、壳体厚度、X方向位移和压电叠堆宽度等结构参数对Y方向的位移输出、应力强度和放大倍数等性能的影响规律,优化了结构参数,并制作了样品。测试数据表明,位移放大结构实现了5.3倍以上的位移放大;分析了放大结构在高频电压驱动下的瞬态响应,模拟了驱动信号频率对位移输出的影响,结果表明,在周期0.01 s的交变电压驱动下,结构的位移输出未出现失真。
关键词
压电致动器
位移放大结构
高频驱动
Keywords
piezoelectric actuator
displacement amplification structure
high-frequency driving
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
TH765 [机械工程—精密仪器及机械]
TP412.13 [自动化与计算机技术]
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职称材料
题名
杂模抑制薄膜体声波谐振器的仿真分析
被引量:
1
5
作者
罗恩雄
张必壮
吴坤
马晋毅
李思忍
机构
中国电科芯片技术研究院
柳州市计量
技术
测试
研究
所
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024年第2期159-163,共5页
文摘
该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响。采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数。为了进一步验证仿真结果,实验制备了FBAR器件。测试结果表明,当该阶梯结构凸起宽度为3μm,凹陷宽度为1.5μm时,谐振器杂波被有效抑制,反谐振频率处的品质因数约增大100。
关键词
薄膜体声波谐振器(FBAR)
阶梯结构
杂模抑制
有限元
Keywords
thin film bulk acoustic resonators(FBAR)
step structure
spurious mode suppression
finite element
分类号
TN65 [电子电信—电路与系统]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种低频高灵敏度压电MEMS声接收器设计
王登攀
黄晶
赵德锋
王飞
王露
刘文怡
苗晋威
张立宇
袁宇鹏
胡义东
《压电与声光》
北大核心
2025
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
一种射频SiP模组链路快速验证方法研究
崔梦琦
余怀强
张磊
王玺
代春玥
《压电与声光》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
MEMS电容型器件边缘效应研究
胡钧铭
戴强
刘军
徐江
宋丹路
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2023
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
基于位移放大的压电致动器设计与仿真
王登攀
向路
王露
王浩
代里程
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
杂模抑制薄膜体声波谐振器的仿真分析
罗恩雄
张必壮
吴坤
马晋毅
李思忍
《压电与声光》
CAS
北大核心
2024
1
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职称材料
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