期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
富磷半绝缘磷化铟晶体生长的行波磁场调控
1
作者
邵会民
史睿菁
+4 位作者
李早阳
孙聂枫
姜剑
毛旭瑞
宋瑞良
《半导体技术》
北大核心
2025年第9期901-907,共7页
针对高压垂直梯度凝固(HP-VGF)法生长InP晶体,建立了行波磁场作用下的晶体生长流动传热数值模型,并结合晶体生长实验研究了磁场对富磷半绝缘InP晶体中缺陷生成与掺杂分布的调控作用。研究结果表明,行波磁场可以在InP熔体中产生足够大的...
针对高压垂直梯度凝固(HP-VGF)法生长InP晶体,建立了行波磁场作用下的晶体生长流动传热数值模型,并结合晶体生长实验研究了磁场对富磷半绝缘InP晶体中缺陷生成与掺杂分布的调控作用。研究结果表明,行波磁场可以在InP熔体中产生足够大的洛伦兹力,使得熔体流动增强且温度分布发生变化;磁场调控使孪晶形核概率降低了15%,促进富磷熔体中气泡的逃逸,获得少气孔甚至无气孔的InP晶体,并能够减少晶体中心位错和提高Fe掺杂及轴向电学参数的均匀性。本研究可为生长大尺寸高品质InP晶体提供参考。
展开更多
关键词
磷化铟
单晶
孪晶
半绝缘
磁场
位错
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
富磷半绝缘磷化铟晶体生长的行波磁场调控
1
作者
邵会民
史睿菁
李早阳
孙聂枫
姜剑
毛旭瑞
宋瑞良
机构
中国
电
子
科
技集团公司第十三
研究
所
固态微波器件与
电
路全国重点实验室
西安交通大学能源与动力工程学院
苏州实验室
中国电科网络通信研究院北京研发中心
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第9期901-907,共7页
文摘
针对高压垂直梯度凝固(HP-VGF)法生长InP晶体,建立了行波磁场作用下的晶体生长流动传热数值模型,并结合晶体生长实验研究了磁场对富磷半绝缘InP晶体中缺陷生成与掺杂分布的调控作用。研究结果表明,行波磁场可以在InP熔体中产生足够大的洛伦兹力,使得熔体流动增强且温度分布发生变化;磁场调控使孪晶形核概率降低了15%,促进富磷熔体中气泡的逃逸,获得少气孔甚至无气孔的InP晶体,并能够减少晶体中心位错和提高Fe掺杂及轴向电学参数的均匀性。本研究可为生长大尺寸高品质InP晶体提供参考。
关键词
磷化铟
单晶
孪晶
半绝缘
磁场
位错
Keywords
InP
single crystal
twin
semi-insulating
magnetic field
dislocation
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN304.053 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
富磷半绝缘磷化铟晶体生长的行波磁场调控
邵会民
史睿菁
李早阳
孙聂枫
姜剑
毛旭瑞
宋瑞良
《半导体技术》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
